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1. 发明专利

TW201616636A 整合型電容感應模組及其相關系統审中-公开
简体标题：集成型电容感应模块及其相关系统
公开(公告)号：TW201616636A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104124055
申请日：2015-07-24
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：陳緯仁 , CHEN, WEI REN , 李文豪 , LEE, WEN HAO , 柳星舟 , LIU, HSIN CHOU , 楊青松 , YANG, CHING SUNG
IPC分类号： H01L27/10 , G06F3/044
CPC分类号： G01D5/24 , G06K9/0002 , G11C29/1201 , G11C29/78 , H01L23/552 , H01L27/0248 , H01L27/11206 , H01L27/115 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種整合型電容感應模組，包括：矽基板、第一層間介電層、第二層間介電層、第三層間介電層、多個電性連接層、屏蔽層、下感應電極層、上感應電極層、保護鍍膜層。內嵌式記憶體與感應電路形成於該矽基板內。第一層間介電層覆蓋於該矽基板。該些電性連接層堆疊於第一層間介電層上。屏蔽層形成於該些電性連接層上。第二層間介電層覆蓋於屏蔽層。下感應電極層形成於第二層間介電層上。第三層間介電層覆蓋於該下感應電極層。上感應電極層形成於第三層間介電層上。保護鍍膜層覆蓋上感應電極層。
简体摘要：一种集成型电容感应模块，包括：硅基板、第一层间介电层、第二层间介电层、第三层间介电层、多个电性连接层、屏蔽层、下感应电极层、上感应电极层、保护镀膜层。内嵌式内存与感应电路形成于该硅基板内。第一层间介电层覆盖于该硅基板。该些电性连接层堆栈于第一层间介电层上。屏蔽层形成于该些电性连接层上。第二层间介电层覆盖于屏蔽层。下感应电极层形成于第二层间介电层上。第三层间介电层覆盖于该下感应电极层。上感应电极层形成于第三层间介电层上。保护镀膜层覆盖上感应电极层。

2. 发明专利

TW202030867A 玻璃基板上的非揮發性記憶體审中-公开
简体标题：玻璃基板上的非挥发性内存
公开(公告)号：TW202030867A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108145107
申请日：2019-12-10
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：李允翔 , LEE, YUN-HSIANG , 柳星舟 , LIU, HSIN-CHOU
IPC分类号： H01L27/112 , H01L23/15
摘要：一種非揮發性記憶體，包括：一玻璃基板；一第一多晶矽層，位於該玻璃基板上，其中該第一多晶矽層包括一第一源/汲極、一通道區域與一第二源/汲極，且該通道區域位於該第一源/汲極與該第二源/汲極之間；一第二多晶矽層，位於該玻璃基板上該通道區域的側邊，並作為一浮動閘極；一介電層，覆蓋該第一多晶矽層與該第二多晶矽層；一耦合閘極，形成於該第二多晶矽層上方的該介電層上；以及一選擇閘極，形成於該通道區域上方的該介電層上；其中，該第一源/汲極連接至一源極線、該第二源/汲極連接至一位元線、該耦合閘極連接至一控制線、該選擇閘極連接至一字元線。
简体摘要：一种非挥发性内存，包括：一玻璃基板；一第一多晶硅层，位于该玻璃基板上，其中该第一多晶硅层包括一第一源/汲极、一信道区域与一第二源/汲极，且该信道区域位于该第一源/汲极与该第二源/汲极之间；一第二多晶硅层，位于该玻璃基板上该信道区域的侧边，并作为一浮动闸极；一介电层，覆盖该第一多晶硅层与该第二多晶硅层；一耦合闸极，形成于该第二多晶硅层上方的该介电层上；以及一选择闸极，形成于该信道区域上方的该介电层上；其中，该第一源/汲极连接至一源极线、该第二源/汲极连接至一比特线、该耦合闸极连接至一控制线、该选择闸极连接至一字符线。

3. 发明专利

TW202025969A 血糖試片及其相關量測方法审中-公开
简体标题：血糖试片及其相关量测方法
公开(公告)号：TW202025969A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108140518
申请日：2019-11-07
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：柳星舟 , LIU, HSIN-CHOU
IPC分类号： A61B5/145 , A61B5/1468 , G01N27/04 , G01N33/66
摘要：一種血糖測試片，包括一基片、一校正點、一測試點與一非揮發性記憶體。校正點位於該基片上，且該校正點塗上一化學試劑。測試點位於該基片上，且該測試點塗上該化學試劑。非揮發性記憶體位於該基片上並儲存一校正參數。於一校正程序時，將一校正溶液滴至該校正點，並根據該校正溶液與該化學試劑的反應結果計算出一校正參數後，將該校正參數儲存於該非揮發性記憶體。
简体摘要：一种血糖测试片，包括一基片、一校正点、一测试点与一非挥发性内存。校正点位于该基片上，且该校正点涂上一化学试剂。测试点位于该基片上，且该测试点涂上该化学试剂。非挥发性内存位于该基片上并存储一校正参数。于一校正进程时，将一校正溶液滴至该校正点，并根据该校正溶液与该化学试剂的反应结果计算出一校正参数后，将该校正参数存储于该非挥发性内存。

4. 发明专利

TW201810102A 處理指紋資料的系統及動態加密指紋資料的方法审中-公开
简体标题：处理指纹数据的系统及动态加密指纹数据的方法
公开(公告)号：TW201810102A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105118490
申请日：2016-06-14
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：柳星舟 , LIU, HSIN-CHOU , 王宏祥 , WANG, HUNG-HSIANG
IPC分类号： G06F21/32 , G06K9/00
CPC分类号： H04L63/0457 , G06F21/32 , G06F21/606 , G09C1/00 , G11C5/145 , G11C5/147 , H02M3/07 , H02M3/073 , H02M2003/075 , H03K3/012 , H03K5/1515 , H03K5/159 , H03K17/687 , H03K2005/00019 , H04L9/3231 , H04L63/0861
摘要：動態加密式指紋感測器包含用於感測指紋並產生指紋資料的電容陣列，用於儲存一次性碼及加密演算法指標的嵌入式非揮發性記憶體，用於依據一次性碼及加密演算法指標將電容陣列產生的指紋資料進行加密的邏輯演算電路，以及用於控制電容陣列、嵌入式非揮發性記憶體及邏輯演算電路的控制電路。
简体摘要：动态加密式指纹传感器包含用于传感指纹并产生指纹数据的电容数组，用于存储一次性码及加密算法指针的嵌入式非挥发性内存，用于依据一次性码及加密算法指针将电容数组产生的指纹数据进行加密的逻辑演算电路，以及用于控制电容数组、嵌入式非挥发性内存及逻辑演算电路的控制电路。

5. 发明专利

TWI584147B 處理指紋資料的系統及動態加密指紋資料的方法有权
简体标题：处理指纹数据的系统及动态加密指纹数据的方法
公开(公告)号：TWI584147B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW105118490
申请日：2016-06-14
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：柳星舟 , LIU, HSIN-CHOU , 王宏祥 , WANG, HUNG-HSIANG
IPC分类号： G06F21/32 , G06K9/00
CPC分类号： H04L63/0457 , G06F21/32 , G06F21/606 , G09C1/00 , G11C5/145 , G11C5/147 , H02M3/07 , H02M3/073 , H02M2003/075 , H03K3/012 , H03K5/1515 , H03K5/159 , H03K17/687 , H03K2005/00019 , H04L9/3231 , H04L63/0861

6. 发明专利

TWI581406B 整合型電容感應模組及其相關系統有权
简体标题：集成型电容感应模块及其相关系统
公开(公告)号：TWI581406B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104124055
申请日：2015-07-24
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：陳緯仁 , CHEN, WEI REN , 李文豪 , LEE, WEN HAO , 柳星舟 , LIU, HSIN CHOU , 楊青松 , YANG, CHING SUNG
IPC分类号： H01L27/10 , G06F3/044
CPC分类号： G01D5/24 , G06K9/0002 , G11C29/1201 , G11C29/78 , H01L23/552 , H01L27/0248 , H01L27/11206 , H01L27/115 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

7. 发明专利

TW201242252A 輸出輸入介面裝置及其中的電壓準位轉移器 OUTPUT INPUT INTERFACE APPARATUS AND VOLTAGE LEVEL SHIFTER THEREOF 审中-公开
简体标题：输出输入界面设备及其中的电压准位转移器 OUTPUT INPUT INTERFACE APPARATUS AND VOLTAGE LEVEL SHIFTER THEREOF
公开(公告)号：TW201242252A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100112060
申请日：2011-04-07
申请人：力旺電子股份有限公司
发明人：黃紹璋 , 張琨暐 , 許妙淑 , 李宗隆 , 林偉堯 , 陳臨福 , 柳星舟
IPC分类号： H03K
摘要：一種電壓準位轉移器,接收並轉移輸入信號的電壓準位以在輸出端產生輸出信號,包括通路電路、反向電路以及拉升電路。通路電路接收輸入信號以及第一參考電壓,並依據輸入信號以及第一參考電壓以導通或斷開與輸出端的連接。輸入信號為在接地電壓以及第二參考電壓間轉態的數位信號,且第一參考電壓的電壓準位小於第二參考電壓的電壓準位。反向電路接收輸入信號,並反向輸入信號且轉換輸入信號為在接地電壓以及第一參考電壓間轉態的數位信號以產生控制信號。拉升電路接收第一參考電壓與控制信號,並依據控制信號來拉升輸出信號至第一參考電壓。
简体摘要：一种电压准位转移器,接收并转移输入信号的电压准位以在输出端产生输出信号,包括通路电路、反向电路以及拉升电路。通路电路接收输入信号以及第一参考电压,并依据输入信号以及第一参考电压以导通或断开与输出端的连接。输入信号为在接地电压以及第二参考电压间转态的数码信号,且第一参考电压的电压准位小于第二参考电压的电压准位。反向电路接收输入信号,并反向输入信号且转换输入信号为在接地电压以及第一参考电压间转态的数码信号以产生控制信号。拉升电路接收第一参考电压与控制信号,并依据控制信号来拉升输出信号至第一参考电压。

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