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1. 发明专利

TWI621129B 資料儲存裝置及其資料寫入方法有权
简体标题：数据存储设备及其数据写入方法
公开(公告)号：TWI621129B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW105134401
申请日：2016-10-25
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION, INC.
发明人：林文生 , LIN, WEN SHENG
IPC分类号： G11C7/24 , G06F12/16
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C11/5621 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/22 , G11C16/225 , G11C16/28 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642 , G11C2211/5648 , G11C2216/14

2. 发明专利

TWI576846B 快閃記憶體的資料寫入方法與其控制裝置有权
简体标题：闪存的数据写入方法与其控制设备
公开(公告)号：TWI576846B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW103144137
申请日：2014-12-17
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION INC.
发明人：林璟輝 , LIN, CHING HUI , 楊宗杰 , YANG, TSUNG CHIEH
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C11/5635 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/10

3. 发明专利

TW201703237A 三維雙密度反及快閃記憶體审中-公开
简体标题：三维双密度反及闪存
公开(公告)号：TW201703237A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105109685
申请日：2016-03-28
申请人： NEO半導體股份有限公司 , NEO SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：許富菖 , HSU, FU-CHANG
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11582 , G11C11/5621 , G11C16/0475 , G11C16/0483 , H01L23/525 , H01L27/11565 , H01L27/1157
摘要：本發明揭露一種三維雙密度反及快閃記憶體。就其中一個觀點，本發明之三維堆疊結構係由字元線層以及分離字元線層之絕緣層所構成，三維堆疊結構包括特定數目之複數個字元線層。三維堆疊結構還包括反及記憶體串陣列，其沉積於三維堆疊結構中，並垂直於三維堆疊結構之上表面。每一反及記憶體串包括一電荷捕陷層，其延伸穿過上述特定數目之字元線層。三維堆疊結構還包括穿過三維堆疊結構之一或多條狹縫，狹縫係分離每一該字元線層以形成複數個字元線區。在每一字元線層中，每一反及記憶體串之電荷捕陷層係耦合二字元線區，以形成二電荷捕陷區，使得每一字元線層中可儲存二資料位元。
简体摘要：本发明揭露一种三维双密度反及闪存。就其中一个观点，本发明之三维堆栈结构系由字符线层以及分离字符线层之绝缘层所构成，三维堆栈结构包括特定数目之复数个字符线层。三维堆栈结构还包括反及内存串数组，其沉积于三维堆栈结构中，并垂直于三维堆栈结构之上表面。每一反及内存串包括一电荷捕陷层，其延伸穿过上述特定数目之字符线层。三维堆栈结构还包括穿过三维堆栈结构之一或多条狭缝，狭缝系分离每一该字符线层以形成复数个字符线区。在每一字符线层中，每一反及内存串之电荷捕陷层系耦合二字符线区，以形成二电荷捕陷区，使得每一字符线层中可存储二数据比特。

4. 发明专利

TW201640513A 可操作於多個電源模式之裝置及其操作方法审中-公开
简体标题：可操作于多个电源模式之设备及其操作方法
公开(公告)号：TW201640513A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105103047
申请日：2016-01-30
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：鮑威森亞當N , BOYSAN, ADAM N. , 梅克維傑佛瑞 , MCVAY, JEFFREY
IPC分类号： G11C16/30 , G11C11/56
CPC分类号： G11C16/30 , G11C5/14 , G11C11/5621 , G11C16/0483 , G11C2211/5641
摘要：本發明係關於可操作於多個電源模式之裝置及其操作方法。一例示性實施例包含一裝置，該裝置包括一記憶體，該記憶體包括記憶體胞元之一陣列，該陣列可操作以儲存單層胞元(SLC)資料及多層胞元(MLC)資料。該裝置可包含一控制器，該控制器經耦合至該記憶體且經組態以：回應於該裝置處於一第一電源模式中，將SLC資料折疊成MLC資料；且回應於該裝置處於一第二電源模式中，防止SLC資料被折疊成MLC資料。
简体摘要：本发明系关于可操作于多个电源模式之设备及其操作方法。一例示性实施例包含一设备，该设备包括一内存，该内存包括内存胞元之一数组，该数组可操作以存储单层胞元(SLC)数据及多层胞元(MLC)数据。该设备可包含一控制器，该控制器经耦合至该内存且经组态以：回应于该设备处于一第一电源模式中，将SLC数据折叠成MLC数据；且回应于该设备处于一第二电源模式中，防止SLC数据被折叠成MLC数据。

5. 发明专利

TW201447914A 在三維記憶體中之子區塊停用审中-公开
简体标题：在三维内存中之子区块停用
公开(公告)号：TW201447914A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103106888
申请日：2014-02-27
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哈昌偉 , HA, CHANG WAN
IPC分类号： G11C8/06 , G11C7/10
CPC分类号： G11C8/12 , G11C8/06 , G11C8/08 , G11C11/5621 , G11C16/08 , G11C16/20 , G11C29/00 , G11C29/04 , G11C29/76 , G11C29/765 , G11C29/78 , G11C29/832
摘要：一些實施例係關於與記憶體胞之區塊相關聯之裝置及方法。記憶體胞之該等區塊可包含記憶體胞之兩個或兩個以上子區塊。此一子區塊可包括記憶體胞之一垂直串，其包含一選擇電晶體。一裝置可包含一子區塊停用電路。該子區塊停用電路可包含一內容可定址記憶體。該內容可定址記憶體可接收包含一區塊位址及一子區塊位址之一位址。若該所接收之位址包含與一標記子區塊相關聯之該區塊位址及該子區塊位址，則該內容可定址記憶體可輸出一信號以停用該標記子區塊。該子區塊停用電路可進一步包含複數個驅動器以基於該信號而驅動該等選擇電晶體之一或多者。本發明亦描述其他裝置及方法。
简体摘要：一些实施例系关于与内存胞之区块相关联之设备及方法。内存胞之该等区块可包含内存胞之两个或两个以上子区块。此一子区块可包括内存胞之一垂直串，其包含一选择晶体管。一设备可包含一子区块停用电路。该子区块停用电路可包含一内容可寻址内存。该内容可寻址内存可接收包含一区块位址及一子区块位址之一位址。若该所接收之位址包含与一标记子区块相关联之该区块位址及该子区块位址，则该内容可寻址内存可输出一信号以停用该标记子区块。该子区块停用电路可进一步包含复数个驱动器以基于该信号而驱动该等选择晶体管之一或多者。本发明亦描述其他设备及方法。

6. 发明专利

TW201443896A 具有每單元位元可組態能力之方法、裝置及系統审中-公开
简体标题：具有每单元比特可组态能力之方法、设备及系统
公开(公告)号：TW201443896A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102145868
申请日：2013-12-12
申请人： PS4盧克斯科公司 , PS4 LUXCO S. A. R. L.
发明人：巴圖露卡 , BATTU, LUCA , 傑羅希安東尼奧 , GERACI, ANTONIO , 帕格里亞托毛洛 , PAGLIATO, MAURO , 蘇瑞可史泰法諾 , SURICO, STEFANO
IPC分类号： G11C11/56 , G06F12/02
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F12/06 , G11C11/5621 , G11C2211/56 , G11C2211/5641
摘要：一種方法，包含提供一分割命令至一裝置，該裝置包含具有多個記憶體單元的記憶陣列。回應於該分割命令的提供，該記憶體陣列的記憶體單元被分割以選擇該記憶體陣列的一部分。回應於該分割命令的提供，選擇要儲存於一記憶體單元的位元數的其中一位元數，使得每個包含於該選擇部分之記憶體單元儲存具該選擇位元數之資料。
简体摘要：一种方法，包含提供一分割命令至一设备，该设备包含具有多个内存单元的记忆数组。回应于该分割命令的提供，该内存数组的内存单元被分割以选择该内存数组的一部分。回应于该分割命令的提供，选择要存储于一内存单元的比特数的其中一比特数，使得每个包含于该选择部分之内存单元存储具该选择比特数之数据。

7. 发明专利

TWI426598B 用於電子裝置之電子阻隔層失效
简体标题：用于电子设备之电子阻隔层
公开(公告)号：TWI426598B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW098134155
申请日：2009-10-08
申请人：桑迪士克股份有限公司 , SANDISK CORPORATION
发明人：陳建 , CHEN, JIAN , 夏嵐潘尼拉霍 , SHARANGPANI, RAHUL
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/31 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/42324 , B82Y10/00 , G11C11/5621 , G11C11/5671 , G11C16/04 , G11C16/10 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/42348 , H01L29/512 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66825 , H01L29/66833

8. 发明专利

TWI411919B 在記憶體裝置中之類比路徑及數位路徑之間切換之記憶體裝置、固態驅動器及方法有权
简体标题：在内存设备中之模拟路径及数码路径之间切换之内存设备、固态驱动器及方法
公开(公告)号：TWI411919B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW098111051
申请日：2009-04-02
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：路帕華法蘭奇F , ROOHPARVAR, FRANKIE F. , 沙林維索 , SARIN, VISHAL , 輝俊勝 , HOEI, JUNG-SHENG
IPC分类号： G06F13/20
CPC分类号： G11C11/5621 , G11C5/066 , G11C7/1051 , G11C7/1057 , G11C7/1078 , G11C7/1084 , G11C7/16

9. 发明专利

TW201250705A 記憶體晶片 MEMORY CHIP 审中-公开
简体标题：内存芯片 MEMORY CHIP
公开(公告)号：TW201250705A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101118633
申请日：2012-05-25
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：朴哲成 , 崔周善
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F3/061 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , G11C7/10 , G11C8/10 , G11C11/56 , G11C11/5607 , G11C11/5621 , G11C11/565 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C2211/5641 , G11C2213/71
摘要：記憶體晶片、記憶體系統、以及存取記憶體晶片的方法。記憶體晶片包括儲存單元以及控制單元,儲存單元包括具有任意容量之儲存區,任意容量大於具有2n的第一標準容量的以及小於第二標準容量,第二標準容量大於第一標準容量的兩倍。控制單元用來控制資料到儲存單元的寫入操作以及資料從儲存單元的讀取操作,以及控制單元與儲存單元構成為晶片。
简体摘要：内存芯片、内存系统、以及存取内存芯片的方法。内存芯片包括存储单元以及控制单元,存储单元包括具有任意容量之存储区,任意容量大于具有2n的第一标准容量的以及小于第二标准容量,第二标准容量大于第一标准容量的两倍。控制单元用来控制数据到存储单元的写入操作以及数据从存储单元的读取操作,以及控制单元与存储单元构成为芯片。

10. 发明专利

TW201126527A 用於在快閃記憶體中錯誤修正之方法與系統 METHOD AND SYSTEM FOR ERROR CORRECTION IN FLASH MEMORY 审中-公开
简体标题：用于在闪存中错误修正之方法与系统 METHOD AND SYSTEM FOR ERROR CORRECTION IN FLASH MEMORY
公开(公告)号：TW201126527A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099144839
申请日：2007-01-19
申请人：邁威爾世界貿易有限公司
发明人：拉馬慕絲艾迪亞 , 吳吉寧 , 史達佳佩達斯
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/1072 , G06F11/1666 , G06F2212/403 , G11C7/02 , G11C7/1006 , G11C7/16 , G11C11/56 , G11C11/5621 , G11C16/10 , G11C27/005 , G11C29/00 , G11C2029/0411 , G11C2207/16 , G11C2211/562 , G11C2211/563 , H03M13/1177 , H03M13/1515
摘要：本發明提供了一種固態非揮發性記憶體單元。該記憶體單元包括適於儲存由第一多個數位級別表徵的資料的多級固態非揮發性記憶體陣列。該記憶體單元還包括具有輸入和輸出的類比/數位轉換器。該類比/數位轉換器的輸入適於接收來自多級固態非揮發性記憶體陣列的資料。該類比/數位轉換器的輸出適於輸出由大於第一多個數位級別的第二多個數位級別表徵的數位信號。
简体摘要：本发明提供了一种固态非挥发性内存单元。该内存单元包括适于存储由第一多个数码级别表征的数据的多级固态非挥发性内存数组。该内存单元还包括具有输入和输出的模拟/数码转换器。该模拟/数码转换器的输入适于接收来自多级固态非挥发性内存数组的数据。该模拟/数码转换器的输出适于输出由大于第一多个数码级别的第二多个数码级别表征的数码信号。

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