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1. 发明专利

TW201447914A 在三維記憶體中之子區塊停用审中-公开
简体标题：在三维内存中之子区块停用
公开(公告)号：TW201447914A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103106888
申请日：2014-02-27
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哈昌偉 , HA, CHANG WAN
IPC分类号： G11C8/06 , G11C7/10
CPC分类号： G11C8/12 , G11C8/06 , G11C8/08 , G11C11/5621 , G11C16/08 , G11C16/20 , G11C29/00 , G11C29/04 , G11C29/76 , G11C29/765 , G11C29/78 , G11C29/832
摘要：一些實施例係關於與記憶體胞之區塊相關聯之裝置及方法。記憶體胞之該等區塊可包含記憶體胞之兩個或兩個以上子區塊。此一子區塊可包括記憶體胞之一垂直串，其包含一選擇電晶體。一裝置可包含一子區塊停用電路。該子區塊停用電路可包含一內容可定址記憶體。該內容可定址記憶體可接收包含一區塊位址及一子區塊位址之一位址。若該所接收之位址包含與一標記子區塊相關聯之該區塊位址及該子區塊位址，則該內容可定址記憶體可輸出一信號以停用該標記子區塊。該子區塊停用電路可進一步包含複數個驅動器以基於該信號而驅動該等選擇電晶體之一或多者。本發明亦描述其他裝置及方法。
简体摘要：一些实施例系关于与内存胞之区块相关联之设备及方法。内存胞之该等区块可包含内存胞之两个或两个以上子区块。此一子区块可包括内存胞之一垂直串，其包含一选择晶体管。一设备可包含一子区块停用电路。该子区块停用电路可包含一内容可寻址内存。该内容可寻址内存可接收包含一区块位址及一子区块位址之一位址。若该所接收之位址包含与一标记子区块相关联之该区块位址及该子区块位址，则该内容可寻址内存可输出一信号以停用该标记子区块。该子区块停用电路可进一步包含复数个驱动器以基于该信号而驱动该等选择晶体管之一或多者。本发明亦描述其他设备及方法。

2. 发明专利

TWI496162B 於三維記憶體中之子區塊解碼有权
简体标题：于三维内存中之子区块译码
公开(公告)号：TWI496162B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW103105953
申请日：2014-02-21
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哈昌偉 , HA, CHANG WAN
IPC分类号： G11C8/10 , G11C8/12 , G11C5/06
CPC分类号： G11C16/04 , G11C8/10 , G11C16/0483 , G11C16/08

3. 发明专利

TWI402849B 用於控制記憶體之系統及方法有权
简体标题：用于控制内存之系统及方法
公开(公告)号：TWI402849B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW097143258
申请日：2008-11-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哈昌偉 , HA, CHANG WAN , 雷敏葛德西 , GHODSI, RAMIN
IPC分类号： G11C16/02 , G11C8/08
CPC分类号： G11C16/349

4. 发明专利

TWI652801B 包括階梯結構之半導體裝置及相關方法有权
简体标题：包括阶梯结构之半导体设备及相关方法
公开(公告)号：TWI652801B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW105125830
申请日：2014-06-27
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：亞波亞倫 , YIP, AARON , 唐強 , TANG, QIANG , 哈昌偉 , HA, CHANG WAN
IPC分类号： H01L27/115 , H01L23/52

5. 发明专利

TWI553833B 包括階梯結構之半導體裝置及相關方法有权
简体标题：包括阶梯结构之半导体设备及相关方法
公开(公告)号：TWI553833B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103122380
申请日：2014-06-27
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：亞波亞倫 , YIP, AARON , 唐強 , TANG, QIANG , 哈昌偉 , HA, CHANG WAN
IPC分类号： H01L27/115 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/11556 , G11C16/06 , H01L27/115 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582

6. 发明专利

TW201511236A 包括階梯結構之半導體裝置及相關方法审中-公开
简体标题：包括阶梯结构之半导体设备及相关方法
公开(公告)号：TW201511236A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103122380
申请日：2014-06-27
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：亞波亞倫 , YIP, AARON , 唐強 , TANG, QIANG , 哈昌偉 , HA, CHANG WAN
IPC分类号： H01L27/115 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/11556 , G11C16/06 , H01L27/115 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582
摘要：半導體裝置(諸如三維記憶體裝置)包括一記憶體陣列，其包括一導電階層堆疊及一階梯結構。該階梯結構定位於該記憶體陣列之第一部分與第二部分之間且包括用於該導電階層堆疊之各自導電階層之接觸區域。該記憶體陣列之該第一部分包括在該堆疊上方於一特定方向上延伸之第一複數個選擇閘極。該記憶體陣列之該第二部分包括亦在該導電階層堆疊上方於該特定方向延伸之第二複數個選擇閘極。本發明亦揭示此等半導體裝置(其包括垂直記憶體裝置)之形成方法及操作方法。
简体摘要：半导体设备(诸如三维内存设备)包括一内存数组，其包括一导电阶层堆栈及一阶梯结构。该阶梯结构定位于该内存数组之第一部分与第二部分之间且包括用于该导电阶层堆栈之各自导电阶层之接触区域。该内存数组之该第一部分包括在该堆栈上方于一特定方向上延伸之第一复数个选择闸极。该内存数组之该第二部分包括亦在该导电阶层堆栈上方于该特定方向延伸之第二复数个选择闸极。本发明亦揭示此等半导体设备(其包括垂直内存设备)之形成方法及操作方法。

7. 发明专利

TW201432708A 電源管理审中-公开
简体标题：电源管理
公开(公告)号：TW201432708A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW103100516
申请日：2014-01-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哈昌偉 , HA, CHANG WAN , 田漢 , TIAN, HANG , 姜鍾 , KANG, JONG
IPC分类号： G11C5/14
CPC分类号： G06F1/324 , G06F1/12 , G06F1/3237 , G06F1/3275 , G06F13/1673 , G11C7/1015 , G11C7/222 , Y02B70/12 , Y02B70/123 , Y02B70/126 , Y02D10/128 , Y02D10/13 , Y02D10/14
摘要：本發明揭示提供峰值電源管理之方法及經組態以執行此等方法之裝置，該等方法及裝置用於減輕一多晶粒封裝內之過量電流位準。舉例而言，一種方法可包含：在複數個晶粒之一特定晶粒中產生一時脈信號；在該複數個晶粒中之每一晶粒中之一重疊式計數器中計數該時脈信號之脈衝；及在一指定點處暫停對該複數個晶粒中之該特定晶粒之一存取操作直至該重疊式計數器之一值匹配該特定晶粒之一經指派計數器值為止。
简体摘要：本发明揭示提供峰值电源管理之方法及经组态以运行此等方法之设备，该等方法及设备用于减轻一多晶粒封装内之过量电流位准。举例而言，一种方法可包含：在复数个晶粒之一特定晶粒中产生一时脉信号；在该复数个晶粒中之每一晶粒中之一重叠式计数器中计数该时脉信号之脉冲；及在一指定点处暂停对该复数个晶粒中之该特定晶粒之一存取操作直至该重叠式计数器之一值匹配该特定晶粒之一经指派计数器值为止。

8. 发明专利

TWI605469B 具有一記憶體器件之裝置、子區塊停用電路及用於控制至一記憶體器件之存取、指示一記憶體器件中之ㄧ缺陷與擦除一記憶體器件中之記憶體之方法有权
简体标题：具有一内存器件之设备、子区块停用电路及用于控制至一内存器件之存取、指示一内存器件中之ㄧ缺陷与擦除一内存器件中之内存之方法
公开(公告)号：TWI605469B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW103106888
申请日：2014-02-27
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哈昌偉 , HA, CHANG WAN
IPC分类号： G11C8/06 , G11C7/10
CPC分类号： G11C8/12 , G11C8/06 , G11C8/08 , G11C11/5621 , G11C16/08 , G11C16/20 , G11C29/00 , G11C29/04 , G11C29/76 , G11C29/765 , G11C29/78 , G11C29/832

9. 发明专利

TW201642446A 包括階梯結構之半導體裝置及相關方法审中-公开
简体标题：包括阶梯结构之半导体设备及相关方法
公开(公告)号：TW201642446A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105125830
申请日：2014-06-27
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：亞波亞倫 , YIP, AARON , 唐強 , TANG, QIANG , 哈昌偉 , HA, CHANG WAN
IPC分类号： H01L27/115 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/11556 , G11C16/06 , H01L27/115 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582
摘要：半導體裝置(諸如三維記憶體裝置)包括一記憶體陣列，其包括一導電階層堆疊及一階梯結構。該階梯結構定位於該記憶體陣列之第一部分與第二部分之間且包括用於該導電階層堆疊之各自導電階層之接觸區域。該記憶體陣列之該第一部分包括在該堆疊上方於一特定方向上延伸之第一複數個選擇閘極。該記憶體陣列之該第二部分包括亦在該導電階層堆疊上方於該特定方向延伸之第二複數個選擇閘極。本發明亦揭示此等半導體裝置(其包括垂直記憶體裝置)之形成方法及操作方法。
简体摘要：半导体设备(诸如三维内存设备)包括一内存数组，其包括一导电阶层堆栈及一阶梯结构。该阶梯结构定位于该内存数组之第一部分与第二部分之间且包括用于该导电阶层堆栈之各自导电阶层之接触区域。该内存数组之该第一部分包括在该堆栈上方于一特定方向上延伸之第一复数个选择闸极。该内存数组之该第二部分包括亦在该导电阶层堆栈上方于该特定方向延伸之第二复数个选择闸极。本发明亦揭示此等半导体设备(其包括垂直内存设备)之形成方法及操作方法。

10. 发明专利

TWI546897B 使用至少兩個遮罩之階梯形成有权
简体标题：使用至少两个遮罩之阶梯形成
公开(公告)号：TWI546897B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW102124285
申请日：2013-07-05
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哈昌偉 , HA, CHANG WAN , 沃思汀荷姆葛拉罕R , WOLSTENHOLME, GRAHAM R. , 希米哥達迪帕可 , THIMMEGOWDA, DEEPAK
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/76816 , H01L21/0337 , H01L21/32139 , H01L21/76822 , H01L21/76865 , H01L23/535 , H01L27/1052 , H01L27/11519 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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