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    • 2. 发明专利
    • 記憶體系統及其操作方法
    • 内存系统及其操作方法
    • TW201629975A
    • 2016-08-16
    • TW104119884
    • 2015-06-18
    • 愛思開海力士有限公司SK HYNIX INC.
    • 劉炳晟YOU, BYOUNG-SUNG
    • G11C16/02G11C16/06
    • G06F11/1004G06F12/0873G06F12/1408G06F2212/1016G06F2212/214G06F2212/261G06F2212/282G06F2212/283G06F2212/7203
    • 本發明揭示一種記憶體系統,其包含:一第一記憶體裝置,其包含一第一輸入/輸出緩衝區;一第二記憶體裝置,其包含一第二輸入/輸出緩衝區;以及一快取記憶體,其適合選擇性並暫時儲存要分別在該第一和第二記憶體裝置內編程的第一和第二資料。該第一資料利用只儲存在一第一程式區段的一第一專屬區段內該快取記憶體之中,編程至該第一程式區段內的第一記憶體裝置,該第二資料利用只儲存在一第二程式區段的一第二專屬區段內該快取記憶體之中,編程至該第二程式區段內的第二記憶體裝置,該第一專屬區段和該第二專屬區段設定成彼此並不重疊。
    • 本发明揭示一种内存系统,其包含:一第一内存设备,其包含一第一输入/输出缓冲区;一第二内存设备,其包含一第二输入/输出缓冲区;以及一高速缓存,其适合选择性并暂时存储要分别在该第一和第二内存设备内编程的第一和第二数据。该第一数据利用只存储在一第一进程区段的一第一专属区段内该高速缓存之中,编程至该第一进程区段内的第一内存设备,该第二数据利用只存储在一第二进程区段的一第二专属区段内该高速缓存之中,编程至该第二进程区段内的第二内存设备,该第一专属区段和该第二专属区段设置成彼此并不重叠。