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    • 7. 发明专利
    • 記憶卡存取裝置、其控制方法與記憶卡存取系統
    • 记忆卡存取设备、其控制方法与记忆卡存取系统
    • TW201512846A
    • 2015-04-01
    • TW102134008
    • 2013-09-18
    • 瑞昱半導體股份有限公司REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
    • 簡志清CHIEN, CHIH CHING王賀麟WANG, HO LIN
    • G06F13/38G06F13/36
    • G06F12/0866G06F3/06G06F2212/2022G06F2212/2146
    • 本發明揭露了記憶卡存取裝置、其控制方法與記憶卡存取系統。所述裝置包含:一記憶卡介面電路,用來依據一記憶卡讀取訊號產生一記憶卡讀取資料,或用來依據一記憶卡寫入資料產生一記憶卡寫入訊號;一主機介面電路,用來依據一主機讀取訊號產生一主機讀取資料,或用來依據一主機寫入資料產生一主機寫入訊號;以及一控制電路,耦接該記憶卡介面電路與該主機介面電路,能夠依據一預設協定處理該記憶卡讀取資料以產生該主機寫入資料,或依據該預設協定處理該主機讀取資料以產生該記憶卡寫入資料,藉此將一記憶卡做為一快取裝置。
    • 本发明揭露了记忆卡存取设备、其控制方法与记忆卡存取系统。所述设备包含:一记忆卡界面电路,用来依据一记忆卡读取信号产生一记忆卡读取数据,或用来依据一记忆卡写入数据产生一记忆卡写入信号;一主机界面电路,用来依据一主机读取信号产生一主机读取数据,或用来依据一主机写入数据产生一主机写入信号;以及一控制电路,耦接该记忆卡界面电路与该主机界面电路,能够依据一默认协定处理该记忆卡读取数据以产生该主机写入数据,或依据该默认协定处理该主机读取数据以产生该记忆卡写入数据,借此将一记忆卡做为一缓存设备。
    • 9. 发明专利
    • 記憶裝置 MEMORY DEVICE
    • 记忆设备 MEMORY DEVICE
    • TWI358641B
    • 2012-02-21
    • TW093109984
    • 2004-04-09
    • 瑞薩電子股份有限公司
    • 原郁夫鹽田茂雅後藤啓之澀谷洋文
    • G06F
    • G06F12/0862G06F12/0866G06F2212/2146G06F2212/6022
    • 【課題】
      提供可以彈性地決定應先讀取資料之記憶裝置。
      【解決手段】
      具有:非揮發性記憶體(2)、存取速度比前述非揮發性記憶體快之緩衝記憶體(4)以及控制電路(5),控制電路係產生令由外部輸入之先讀取指令所指定的先讀取資料之邏輯位址和儲存該先讀取資料之緩衝記憶體位址相對應之先讀取資料管理表,將該指令所指定的資料由非揮發性記憶體讀出,當成先讀取資料而儲存在緩衝記憶體,在由外部所輸入之讀出指令所指定的邏輯位址和以先讀取資料管理表被賦予對應之邏輯位址一致時,由緩衝記憶體輸出對應之先讀取資料。
    • 【课题】 提供可以弹性地决定应先读取数据之记忆设备。 【解决手段】 具有:非挥发性内存(2)、存取速度比前述非挥发性内存快之缓冲内存(4)以及控制电路(5),控制电路系产生令由外部输入之先读取指令所指定的先读取数据之逻辑位址和存储该先读取数据之缓冲内存位址相对应之先读取数据管理表,将该指令所指定的数据由非挥发性内存读出,当成先读取数据而存储在缓冲内存,在由外部所输入之读出指令所指定的逻辑位址和以先读取数据管理表被赋予对应之逻辑位址一致时,由缓冲内存输出对应之先读取数据。