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    • 10. 发明专利
    • 記憶體儲存裝置及其操作方法
    • 内存存储设备及其操作方法
    • TW201721639A
    • 2017-06-16
    • TW104141992
    • 2015-12-14
    • 愛思開海力士有限公司SK HYNIX INC.
    • 賴敬中LAI, CHING-CHUNG李連春LEE, LIAN-CHUN
    • G11C7/10G11C11/34
    • G06F3/0656G06F3/0604G06F3/0683G06F12/0246G06F13/16
    • 本發明揭露一種記憶體儲存裝置及其操作方法,係透過一控制器來執行一操作方法以將資料寫入至一記憶體儲存裝置的複數個記憶體晶片中,並對多個記憶體晶片進行交錯編程。該操作方法包含:一寫入請求步驟、一讀取請求步驟、一頁暫存區寫入步驟、切換該等記憶體晶片中的另一記憶體晶片,並重覆上述步驟、直至每一該等記憶體晶片皆進行過該等步驟、及一頁暫存區編程步驟;而當尚未執行該頁暫存區編程步驟之前,傳輸至各該記憶體晶片之頁暫存區的資料將暫存於該頁暫存區內。藉此減少靜態隨機存取記憶體的配置數量,並達到同時對多個記憶體晶片進行編程操作的功效。
    • 本发明揭露一种内存存储设备及其操作方法,系透过一控制器来运行一操作方法以将数据写入至一内存存储设备的复数个内存芯片中,并对多个内存芯片进行交错编程。该操作方法包含:一写入请求步骤、一读取请求步骤、一页暂存区写入步骤、切换该等内存芯片中的另一内存芯片,并重复上述步骤、直至每一该等内存芯片皆进行过该等步骤、及一页暂存区编程步骤;而当尚未运行该页暂存区编程步骤之前,传输至各该内存芯片之页暂存区的数据将暂存于该页暂存区内。借此减少静态随机存取内存的配置数量,并达到同时对多个内存芯片进行编程操作的功效。