专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI612422B 產生用於共享快取記憶體系統之近似使用量測有权
简体标题：产生用于共享高速缓存系统之近似使用量测
公开(公告)号：TWI612422B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW104136889
申请日：2015-11-09
申请人：高通公司 , QUALCOMM INCORPORATED
发明人：霍華德瑞克羅伯特 , HOWER, DEREK ROBERT , 坎哈洛德韋德三世 , CAIN, HAROLD WADE III
IPC分类号： G06F12/08
CPC分类号： G06F12/084 , G06F11/3037 , G06F11/3433 , G06F11/3466 , G06F11/3471 , G06F11/348 , G06F12/0846 , G06F12/0848 , G06F12/0864 , G06F12/0895 , G06F2201/88 , G06F2201/885 , G06F2212/1016 , G06F2212/1044 , G06F2212/2112 , G06F2212/282 , G06F2212/314 , Y02D10/13

2. 发明专利

TW201642257A 基於偵測感測器資料之阻抗補償的技術审中-公开
简体标题：基于侦测传感器数据之阻抗补偿的技术
公开(公告)号：TW201642257A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105103783
申请日：2016-02-04
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：麥克卡爾詹姆斯A , MCCALL, JAMES A. , 貝恩斯庫吉特S , BAINS, KULJIT S.
IPC分类号： G11C7/10 , G11C29/50 , G06F11/30 , G06F13/42
CPC分类号： G06F11/3089 , G06F11/3037 , G06F11/3058 , G06F13/4243 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/50008
摘要：一種記憶體子系統藉由該記憶體裝置監視用於阻抗補償之需求來管理記憶體I/O阻抗補償。替代於一記憶體控制器定時地發送一信號而使得該記憶體裝置在不需要變化時能更新該阻抗補償，該記憶體裝置可以指示出它何時已準備好要執行阻抗補償變化。該記憶體控制器可以發送一阻抗補償信號給該記憶體裝置而回應於由該記憶體所設置的一補償旗標或回應於判定出一感測器值已變化超過一臨界值。
简体摘要：一种内存子系统借由该内存设备监视用于阻抗补偿之需求来管理内存I/O阻抗补偿。替代于一内存控制器定时地发送一信号而使得该内存设备在不需要变化时能更新该阻抗补偿，该内存设备可以指示出它何时已准备好要运行阻抗补偿变化。该内存控制器可以发送一阻抗补偿信号给该内存设备而回应于由该内存所设置的一补偿旗标或回应于判定出一传感器值已变化超过一临界值。

3. 发明专利

TWI461912B 用於交易式記憶體系統中之硬體屬性之記憶體模式有权
简体标题：用于交易式内存系统中之硬件属性之内存模式
公开(公告)号：TWI461912B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW098143379
申请日：2009-12-17
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：薛佛蓋德 , SHEAFFER, GAD , 瑞金修莫 , RAIKIN, SHLOMO , 巴辛瓦丁 , BASSIN, VADIM , 柯罕修德 , COHEN, EHUD , 瑪格莉斯歐格 , MARGULIS, OLEG
IPC分类号： G06F12/08 , G06F9/06
CPC分类号： G06F9/3834 , G06F9/30076 , G06F9/3838 , G06F11/0715 , G06F11/0724 , G06F11/073 , G06F11/0751 , G06F11/3017 , G06F11/3037 , G06F11/3089 , G06F11/3471 , G06F12/0831 , G06F12/084 , G06F2201/885

4. 发明专利

TW201232257A 異動之記憶體 TRANSACTIONAL MEMORY 审中-公开
简体标题：异动之内存 TRANSACTIONAL MEMORY
公开(公告)号：TW201232257A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100144702
申请日：2011-12-05
申请人：美光科技公司
发明人：艾樂西恩
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F12/1009 , G06F11/1456 , G06F11/302 , G06F11/3037 , G06F11/3055 , G06F2212/1056 , G06F2212/206 , G06F2212/261
摘要：本文中所揭示之標的物係關於用以使用一記憶體裝置執行異動之技術。
简体摘要：本文中所揭示之标的物系关于用以使用一内存设备运行异动之技术。

5. 发明专利

TW200807194A 具跳變控制功能之熱感測器 THERMAL SENSOR HAVING TOGGLE CONTROL 审中-公开
简体标题：具跳变控制功能之热传感器 THERMAL SENSOR HAVING TOGGLE CONTROL
公开(公告)号：TW200807194A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW096122078
申请日：2007-06-20
申请人：英特爾公司 INTEL CORPORATION
发明人：寇克斯克里斯多夫 COX, CHRISTOPHER
IPC分类号： G05B , G11C
CPC分类号： G01K1/00 , G01K7/425 , G01K2215/00 , G06F1/206 , G06F1/32 , G06F11/3034 , G06F11/3037 , G06F11/3093 , H01L2924/0002 , Y02D10/16 , H01L2924/00
摘要：本發明的實施例係大致有關利用跳變控制技術來節省熱感測器電力的系統、方法、與裝置。在某些實施例中,一積體電路(例如,一記憶體裝置)包括一晶粒上熱感測器、一儲存元件(例如,一暫存器)、以及跳變邏輯裝置。該跳變邏輯裝置可至少部分地響應於一跳變指示,使該熱感測器從一第一電力消耗量位準轉變到一第二電力消耗量位準。
简体摘要：本发明的实施例系大致有关利用跳变控制技术来节省热传感器电力的系统、方法、与设备。在某些实施例中,一集成电路(例如,一内存设备)包括一晶粒上热传感器、一存储组件(例如,一寄存器)、以及跳变逻辑设备。该跳变逻辑设备可至少部分地响应于一跳变指示,使该热传感器从一第一电力消耗量位准转变到一第二电力消耗量位准。

6. 发明专利

TWI570738B 具有使用歷程記錄的主記憶體模組以及此主記憶體模組於電腦系統之應用有权
简体标题：具有使用历程记录的主内存模块以及此主内存模块于电脑系统之应用
公开(公告)号：TWI570738B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW102111378
申请日：2013-03-29
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：陳俊衛 , CHEN, WAYNE , 謝裕偉 , SHIEH, KELVIN , 張莉萍 , CHANG, CONIE , 蔡維晉 , TSAI, JIM , 陳柏嘉 , CHEN, ALPUS , 謝裕信 , HSIEH, ELYSEE
IPC分类号： G11C29/52
CPC分类号： G06F12/122 , G06F11/3037 , G06F12/0646 , G06F2201/88 , G06F2212/1041

7. 实用新型

TWM528451U 電腦效能控制裝置有权
简体标题：电脑性能控制设备
公开(公告)号：TWM528451U
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW105203484
申请日：2016-03-14
申请人：艾維克科技股份有限公司 , EVGA CORPORATION
发明人：韓泰生 , HAN, TAI SHENG
IPC分类号： G06F1/04
CPC分类号： G06F11/3485 , G06F1/3206 , G06F1/3234 , G06F1/324 , G06F1/3296 , G06F11/3024 , G06F11/3037 , G06F11/32 , G06F11/327 , G06F11/3409 , G11C7/1072

8. 发明专利

TW201517048A 記憶體模組偵測方法、記憶體控制電路單元及儲存裝置审中-公开
简体标题：内存模块侦测方法、内存控制电路单元及存储设备
公开(公告)号：TW201517048A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW102138753
申请日：2013-10-25
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：朱健華 , CHU, CHIEN HUA
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/22 , G11C16/06 , G06F13/38
CPC分类号： G06F3/0659 , G06F3/0614 , G06F3/0632 , G06F3/0679 , G06F11/3037 , G06F11/3055 , G06F11/3089
摘要：一種偵測可複寫式非揮發性記憶體模組的方法，其包括：將記憶體介面的寫入保護接腳的輸出電壓設定為第一邏輯電位，下達讀取狀態指令並接收第一狀態訊息。本方法更包括：判斷第一狀態訊息的對應位元資料是否為符合對應第一邏輯電位的狀態；以及若是，識別可複寫式非揮發性記憶體模組已連接至記憶體介面。
简体摘要：一种侦测可复写式非挥发性内存模块的方法，其包括：将内存界面的写入保护接脚的输出电压设置为第一逻辑电位，下达读取状态指令并接收第一状态消息。本方法更包括：判断第一状态消息的对应比特数据是否为符合对应第一逻辑电位的状态；以及若是，识别可复写式非挥发性内存模块已连接至内存界面。

9. 发明专利

TW201411482A 環拓樸狀態指示审中-公开
简体标题：环拓朴状态指示
公开(公告)号：TW201411482A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102118802
申请日：2013-05-28
申请人：摩賽德科技股份有限公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：吉林翰彼得 , GILLINGHAM, PETER
IPC分类号： G06F9/30 , G06F9/40
CPC分类号： G06F11/3065 , G06F3/0688 , G06F11/3037 , G06F11/3055 , G06F11/3082 , G06F13/1684 , G06F13/4256 , G11C7/1063
摘要：一種半導體裝置包括一橋接裝置，其具有一外部的資料介面、一外部的狀態介面與複數個內部的資料介面。複數個記憶體裝置的每一個皆經由內部的資料介面的其中一個而連接到該橋接裝置。每一個記憶體裝置具有一就緒/忙碌輸出端，其係被連接到該橋接裝置的一輸入端。該橋接裝置係被架構以因應在該外部的狀態介面上所接收的一狀態請求指令，以分封化格式輸出每一個就緒/忙碌輸出端的目前狀態在該外部的狀態介面上；以及在其中一個內部的資料介面上，讀取來自一選擇記憶體裝置之狀態暫存器的資訊；以及因應在該外部的資料介面上所接收的一狀態讀取指令，將該資訊提供在該外部的資料介面上。本發明也揭露一種操作半導體裝置的方法。
简体摘要：一种半导体设备包括一桥接设备，其具有一外部的数据界面、一外部的状态界面与复数个内部的数据界面。复数个内存设备的每一个皆经由内部的数据界面的其中一个而连接到该桥接设备。每一个内存设备具有一就绪/忙碌输出端，其系被连接到该桥接设备的一输入端。该桥接设备系被架构以因应在该外部的状态界面上所接收的一状态请求指令，以分封化格式输出每一个就绪/忙碌输出端的目前状态在该外部的状态界面上；以及在其中一个内部的数据界面上，读取来自一选择内存设备之状态寄存器的信息；以及因应在该外部的数据界面上所接收的一状态读取指令，将该信息提供在该外部的数据界面上。本发明也揭露一种操作半导体设备的方法。

10. 发明专利

TWI343057B 記憶體裝置熱感測器之動態電力控制技術 DYNAMIC POWER CONTROL OF A MEMORY DEVICE THERMAL SENSOR 有权
简体标题：内存设备热传感器之动态电力控制技术 DYNAMIC POWER CONTROL OF A MEMORY DEVICE THERMAL SENSOR
公开(公告)号：TWI343057B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW096127787
申请日：2007-07-30
申请人：英特爾公司
发明人：拿里威廉H
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G01K7/425 , G06F1/206 , G06F1/3203 , G06F1/3275 , G06F11/3034 , G06F11/3037 , G06F11/3093 , Y02D10/13 , Y02D10/14 , Y02D10/16
摘要：本發明之實施例主要係針對用於記憶體裝置熱感測器之動態電力控制的系統、方法與裝置。在一些實施例中，一記憶體裝置包括一晶粒上熱感測器以及用以動態致用或停用該晶粒上熱感測器之致用邏輯電路。一些實施例中，晶粒上熱感測器響應於一熱資料感測指示而感測熱資料。熱資料感測指示可在一延遲期過後被接收。
简体摘要：本发明之实施例主要系针对用于内存设备热传感器之动态电力控制的系统、方法与设备。在一些实施例中，一内存设备包括一晶粒上热传感器以及用以动态致用或停用该晶粒上热传感器之致用逻辑电路。一些实施例中，晶粒上热传感器响应于一热数据传感指示而传感热数据。热数据传感指示可在一延迟期过后被接收。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式