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1. 发明专利

TWI525744B 加熱之晶圓載體輪廓勘測有权
简体标题：加热之晶圆载体轮廓勘测
公开(公告)号：TWI525744B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW101119414
申请日：2012-05-30
申请人：維克儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：伯古斯拉維斯基維汀 , BOGUSLAVSKIY, VADIM , 曼剛約書亞 , MANGUM, JOSHUA , 金馬修 , KING, MATTHEW , 馬賽羅厄爾 , MARCELO, EARL , 亞莫艾瑞克A , ARMOUR, ERIC A. , 葛拉瑞亞歷山大I , GURARY, ALEXANDER I. , 昆恩威廉E , QUINN, WILLIAM E. , 泰斯古瑞 , TAS, GURAY
IPC分类号： H01L21/683 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C16/4584 , C23C16/46 , C23C16/52 , G01N21/71 , G01N21/75 , G01N23/20033 , G01N2021/1731 , G01N2021/745 , H01L21/67109 , H01L21/68771

2. 发明专利

TW200504354A 薄膜特性的監測方法 METHOD OF MONITORING FILM CHARACTERISTICS 失效
简体标题：薄膜特性的监测方法 METHOD OF MONITORING FILM CHARACTERISTICS
公开(公告)号：TW200504354A
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW093114288
申请日：2004-05-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張世勳 CHANG, VINCENT S. , 陳啓群 CHEN, CHI CHUN , 鄔俊林 WU, CHUNLIN , 李資良 LEE, TZE LIANG , 陳世昌 CHEN, SHIH CHANG
IPC分类号： G01N
CPC分类号： H01J37/32935 , G01N21/71 , H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L29/7833
摘要：一種監測薄膜特性的方法，適用於電漿氮化製程，此方法係利用光學放射光譜儀(OES)來監測氧化矽層內的氮含量。光學放射光譜儀監測電漿發出光之強度，以一光譜圖呈現，且有至少兩個以上強度明顯較高的群組，對這些群組做一分析，發現在特定波長範圍中，光強度與氮含量有一非常好的關連性，並可以函數表示之。因此，可透過光學放射光譜儀，於氧化矽氮摻雜製程中監測氧化矽層內的氮含量。
简体摘要：一种监测薄膜特性的方法，适用于等离子氮化制程，此方法系利用光学放射光谱仪(OES)来监测氧化硅层内的氮含量。光学放射光谱仪监测等离子发出光之强度，以一光谱图呈现，且有至少两个以上强度明显较高的群组，对这些群组做一分析，发现在特定波长范围中，光强度与氮含量有一非常好的关连性，并可以函数表示之。因此，可透过光学放射光谱仪，于氧化硅氮掺杂制程中监测氧化硅层内的氮含量。

3. 发明专利

TWI317011B 使用雷射誘導白熱供顆粒表面區域測量之碳黑取樣及以其控制之反應器方法 CARBON BLACK SAMPLING FOR PARTICLE SURFACE AREA MEASUREMENT USING LASER-INDUCED INCANDESCENCE AND REACTOR PROCESS CONTROL BASED THEREON 失效
简体标题：使用激光诱导白热供颗粒表面区域测量之碳黑采样及以其控制之反应器方法 CARBON BLACK SAMPLING FOR PARTICLE SURFACE AREA MEASUREMENT USING LASER-INDUCED INCANDESCENCE AND REACTOR PROCESS CONTROL BASED THEREON
公开(公告)号：TWI317011B
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：TW092119698
申请日：2003-07-18
申请人：哥倫比亞化學公司
发明人：巴瑞J. 史泰格
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N1/2258 , B82Y30/00 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C09C1/50 , G01N1/2202 , G01N15/0205 , G01N15/1456 , G01N15/1459 , G01N21/71 , G01N2001/2223 , G01N2001/2264 , G01N2001/227 , G01N2001/242 , G01N2015/0092 , G01N2015/025 , G01N2015/0693 , G01N2015/1493
摘要：本發明係關於就地取樣和量測程序流(例如在碳黑反應器中)中之粒狀物(例如碳黑)細度之方法，包括(a)自程序流中就地將粒子取樣，(b)調整樣品至適合於LII之條件，(c)使用LII量測細度及(d)使LII細度量測值與實際粒子細度相關。於含有粒子之流中就地取樣及使用雷射誘導白熱(LII)量測粒子細度之方法包括(a)就地將粒子取樣，(b)調整樣品至適合於LII之條件，(c)使用LII量測已調整之樣品及(d)使LII量測值與實際粒子細度相關。本發明亦包括基於取樣和量測粒子之即時、線上、就地方法之取樣和控制程序之方法。取樣可包括自粒子源引出一側流。調整樣品至適合於LII之條件可包括稀釋樣品或致使樣品之溫度至周圍條件。相關可包括使用經由比較LII量測值與同時所引出之粒子樣品之實驗室細度量測值所測定之相關函數。
简体摘要：本发明系关于就地采样和量测进程流(例如在碳黑反应器中)中之粒状物(例如碳黑)细度之方法，包括(a)自进程流中就地将粒子采样，(b)调整样品至适合于LII之条件，(c)使用LII量测细度及(d)使LII细度量测值与实际粒子细度相关。于含有粒子之流中就地采样及使用激光诱导白热(LII)量测粒子细度之方法包括(a)就地将粒子采样，(b)调整样品至适合于LII之条件，(c)使用LII量测已调整之样品及(d)使LII量测值与实际粒子细度相关。本发明亦包括基于采样和量测粒子之实时、在线、就地方法之采样和控制进程之方法。采样可包括自粒子源引出一侧流。调整样品至适合于LII之条件可包括稀释样品或致使样品之温度至周围条件。相关可包括使用经由比较LII量测值与同时所引出之粒子样品之实验室细度量测值所测定之相关函数。

4. 发明专利

TW420828B 帶通質子檢測器失效
简体标题：带通质子检测器
公开(公告)号：TW420828B
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：TW087101406
申请日：1998-02-04
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：蘇其楓 , 保羅E.盧雪爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01N21/71 , G01N21/255 , G02B6/29362
摘要：用於帶通質子檢測之裝置(300,400)，含有用以準直入射光之鏡片(302,402)、帶通濾波元件(304,404)、以及光信號檢測器(306,406)。光由一光源進入準直該光之鏡片，隨後入射至濾波器上。濾波器被調至一特定波長帶，致使一波長帶脫離所有入射至濾波器前側上的波長，而被傳導通過濾波器並自濾波器經過至光倍增檢測器，致使光倍增檢測器之輸出是顯示波長帶之能量的一電壓準位。在不同的可選擇的實施例中，帶通質子檢測器被配置在一些串接配置中，致使多個波長帶可被同時檢測。
简体摘要：用于带通质子检测之设备(300,400)，含有用以准直入射光之镜片(302,402)、带通滤波组件(304,404)、以及光信号检测器(306,406)。光由一光源进入准直该光之镜片，随后入射至滤波器上。滤波器被调至一特定波长带，致使一波长带脱离所有入射至滤波器前侧上的波长，而被传导通过滤波器并自滤波器经过至光倍增检测器，致使光倍增检测器之输出是显示波长带之能量的一电压准位。在不同的可选择的实施例中，带通质子检测器被配置在一些串接配置中，致使多个波长带可被同时检测。

5. 发明专利

TW201719124A 用於高亮度發光二極體之高生產量熱測試方法及系統审中-公开
简体标题：用于高亮度发光二极管之高生产量热测试方法及系统
公开(公告)号：TW201719124A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW106107833
申请日：2012-11-14
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：索拉施瑞秋 W , SOLARZ,RICHARD W.
IPC分类号： G01J1/02 , G01J1/42
CPC分类号： G01R31/44 , G01N21/66 , G01N21/71 , H01L33/32 , H01L33/44 , H05B33/10
摘要：本發明揭示一種執行一晶圓級封裝之高亮度磷光體轉換發光二極體(pc-HBLED)之一熱測試之方法，該方法包含使用一雷射選擇性地加熱磷光體層之部分以在該磷光體層中提供一預定溫度梯度。該選擇性加熱可直接加熱一基於聚矽氧之磷光體層中之該聚矽氧，或直接加熱一基於LumiramicTM之磷光體中之該磷光體之(若干)活性離子或甚至一基於聚矽氧之磷光體層之(若干)活性離子。將一電流施加至InGaN膜以在InGaN膜接面處建立一預定溫度，該膜接面毗鄰於該磷光體層。在該選擇性加熱之後且在該所施加電致發光電流期間對HBLED執行光度量測。此方法在該HBLED中快速建立與一操作產品級HBLED之彼等溫度及溫度梯度相一致之溫度及溫度梯度，藉此確保該HBLED之準確分級。
简体摘要：本发明揭示一种运行一晶圆级封装之高亮度磷光体转换发光二极管(pc-HBLED)之一热测试之方法，该方法包含使用一激光选择性地加热磷光体层之部分以在该磷光体层中提供一预定温度梯度。该选择性加热可直接加热一基于聚硅氧之磷光体层中之该聚硅氧，或直接加热一基于LumiramicTM之磷光体中之该磷光体之(若干)活性离子或甚至一基于聚硅氧之磷光体层之(若干)活性离子。将一电流施加至InGaN膜以在InGaN膜接面处创建一预定温度，该膜接面毗邻于该磷光体层。在该选择性加热之后且在该所施加电致发光电流期间对HBLED运行光度量测。此方法在该HBLED中快速创建与一操作产品级HBLED之彼等温度及温度梯度相一致之温度及温度梯度，借此确保该HBLED之准确分级。

6. 发明专利

TW201546438A 逆光電發射分光裝置审中-公开
简体标题：逆光电发射分光设备
公开(公告)号：TW201546438A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104117222
申请日：2015-05-28
申请人：國立研究開發法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：吉田弘幸 , YOSHIDA, HIROYUKI
IPC分类号： G01N21/62
CPC分类号： G01N21/71 , G01J3/0208 , G01J3/443 , G01N21/62 , G01N23/2254 , G01N2201/0638 , G01N2201/068 , G01N2223/6116 , H01J37/06 , H01J37/244 , H01J37/252 , H01J2237/06308
摘要：逆光電發射分光裝置1係於試料40照射低能量之電子束，檢測試料40內之電子緩和至空態位時產生之光。逆光電發射分光裝置1包含：產生照射於試料40之電子之電子產生部10；選擇由試料40產生之光中具有特定之波長之光之波長選擇部90；檢測由波長選擇部90選擇之光之光檢測器100；及配置於試料40與光檢測器100之間之聚光光學系統80。電子產生部10包含氧化釔作為熱電子釋放材料。
简体摘要：逆光电发射分光设备1系于试料40照射低能量之电子束，检测试料40内之电子缓和至空态位时产生之光。逆光电发射分光设备1包含：产生照射于试料40之电子之电子产生部10；选择由试料40产生之光中具有特定之波长之光之波长选择部90；检测由波长选择部90选择之光之光检测器100；及配置于试料40与光检测器100之间之聚光光学系统80。电子产生部10包含氧化钇作为热电子释放材料。

7. 发明专利

TWI480547B 清潔設備、測量方法及校正方法有权
简体标题：清洁设备、测量方法及校正方法
公开(公告)号：TWI480547B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW101139461
申请日：2012-10-25
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：榛原照男 , HAIBARA, TERUO , 森良弘 , MORI, YOSHIHIRO , 久保悅子 , KUBO, ETSUKO , 內部真佐志 , UCHIBE, MASASHI
IPC分类号： G01N29/14 , G01N29/02 , G01N29/30 , H01L21/67 , B08B3/12
CPC分类号： G01N21/274 , G01N21/70 , G01N21/71 , G01N29/2418 , G01N2021/8416

8. 发明专利

TWI620993B 光子源、度量衡裝置、微影系統及元件製造方法有权
简体标题：光子源、度量衡设备、微影系统及组件制造方法
公开(公告)号：TWI620993B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103135087
申请日：2014-10-08
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：范賀蒙馬卓恩配特思克力司提安斯 , VAN HEUMEN, MARTIJN PETRUS CHRISTIANUS
IPC分类号： G03F7/20 , H05G2/00
CPC分类号： H05H1/24 , G01B2210/56 , G01N21/71 , G01N21/956 , G01N2201/06113 , G01N2201/068 , G03F7/70016 , G03F7/70575 , G03F7/70616 , G03F7/70916 , H01J61/34 , H01J61/40 , H01J65/04

9. 发明专利

TW201333434A 用於高亮度發光二極體之高生產量熱測試方法及系統审中-公开
简体标题：用于高亮度发光二极管之高生产量热测试方法及系统
公开(公告)号：TW201333434A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101142504
申请日：2012-11-14
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：索拉施瑞秋W , SOLARZ, RIHCARD W.
IPC分类号： G01J1/02 , G01J1/42
CPC分类号： G01R31/44 , G01N21/66 , G01N21/71 , H01L33/32 , H01L33/44 , H05B33/10
摘要：本發明揭示一種執行一晶圓級封裝之高亮度磷光體轉換發光二極體(pc-HBLED)之一熱測試之方法，該方法包含使用一雷射選擇性地加熱磷光體層之部分以在該磷光體層中提供一預定溫度梯度。該選擇性加熱可直接加熱一基於聚矽氧之磷光體層中之該聚矽氧，或直接加熱一基於LumiramicTM之磷光體中之該磷光體之(若干)活性離子或甚至一基於聚矽氧之磷光體層之(若干)活性離子。將一電流施加至InGaN膜以在InGaN膜接面處建立一預定溫度，該膜接面毗鄰於該磷光體層。在該選擇性加熱之後且在該所施加電致發光電流期間對HBLED執行光度量測。此方法在該HBLED中快速建立與一操作產品級HBLED之彼等溫度及溫度梯度相一致之溫度及溫度梯度，藉此確保該HBLED之準確分級。
简体摘要：本发明揭示一种运行一晶圆级封装之高亮度磷光体转换发光二极管(pc-HBLED)之一热测试之方法，该方法包含使用一激光选择性地加热磷光体层之部分以在该磷光体层中提供一预定温度梯度。该选择性加热可直接加热一基于聚硅氧之磷光体层中之该聚硅氧，或直接加热一基于LumiramicTM之磷光体中之该磷光体之(若干)活性离子或甚至一基于聚硅氧之磷光体层之(若干)活性离子。将一电流施加至InGaN膜以在InGaN膜接面处创建一预定温度，该膜接面毗邻于该磷光体层。在该选择性加热之后且在该所施加电致发光电流期间对HBLED运行光度量测。此方法在该HBLED中快速创建与一操作产品级HBLED之彼等温度及温度梯度相一致之温度及温度梯度，借此确保该HBLED之准确分级。

10. 发明专利

TW201319560A 清潔設備、測量方法及校正方法审中-公开
简体标题：清洁设备、测量方法及校正方法
公开(公告)号：TW201319560A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101139461
申请日：2012-10-25
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：榛原照男 , HAIBARA, TERUO , 森良弘 , MORI, YOSHIHIRO , 久保悅子 , KUBO, ETSUKO , 內部真佐志 , UCHIBE, MASASHI
IPC分类号： G01N29/14 , G01N29/02 , G01N29/30 , H01L21/67 , B08B3/12
CPC分类号： G01N21/274 , G01N21/70 , G01N21/71 , G01N29/2418 , G01N2021/8416
摘要：目的：提供一種能夠有效且穩定地清潔基材的清潔設備、一種用於校正在該清潔設備中使用之溶解氣體的濃度的測量裝置的方法、以及用於測量溶解氣體的濃度的測量方法。解決手段：根據本發明的校正方法是用於校正用於測量溶解在液體中的氣體的濃度的測量裝置的校正方法。在該校正方法中，實施以下步驟(S10)：改變溶解在液體中的氣體的濃度並預先確定在用超聲波照射液體時發生的發光強度顯示出峰的氣體的濃度作為參考濃度。然後，實施以下步驟(S20)：在通過用超聲波照射液體同時改變液體中的氣體的濃度使發光的強度顯示出峰時，利用待校正的測量裝置測量液體中氣體的濃度，以確定氣體的濃度的測量值。實施基於測量值和參考濃度校正待校正的測量裝置的步驟(S30)。
简体摘要：目的：提供一种能够有效且稳定地清洁基材的清洁设备、一种用于校正在该清洁设备中使用之溶解气体的浓度的测量设备的方法、以及用于测量溶解气体的浓度的测量方法。解决手段：根据本发明的校正方法是用于校正用于测量溶解在液体中的气体的浓度的测量设备的校正方法。在该校正方法中，实施以下步骤(S10)：改变溶解在液体中的气体的浓度并预先确定在用超声波照射液体时发生的发光强度显示出峰的气体的浓度作为参考浓度。然后，实施以下步骤(S20)：在通过用超声波照射液体同时改变液体中的气体的浓度使发光的强度显示出峰时，利用待校正的测量设备测量液体中气体的浓度，以确定气体的浓度的测量值。实施基于测量值和参考浓度校正待校正的测量设备的步骤(S30)。

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