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1. 发明专利

TW201719124A 用於高亮度發光二極體之高生產量熱測試方法及系統审中-公开
简体标题：用于高亮度发光二极管之高生产量热测试方法及系统
公开(公告)号：TW201719124A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW106107833
申请日：2012-11-14
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：索拉施瑞秋 W , SOLARZ,RICHARD W.
IPC分类号： G01J1/02 , G01J1/42
CPC分类号： G01R31/44 , G01N21/66 , G01N21/71 , H01L33/32 , H01L33/44 , H05B33/10
摘要：本發明揭示一種執行一晶圓級封裝之高亮度磷光體轉換發光二極體(pc-HBLED)之一熱測試之方法，該方法包含使用一雷射選擇性地加熱磷光體層之部分以在該磷光體層中提供一預定溫度梯度。該選擇性加熱可直接加熱一基於聚矽氧之磷光體層中之該聚矽氧，或直接加熱一基於LumiramicTM之磷光體中之該磷光體之(若干)活性離子或甚至一基於聚矽氧之磷光體層之(若干)活性離子。將一電流施加至InGaN膜以在InGaN膜接面處建立一預定溫度，該膜接面毗鄰於該磷光體層。在該選擇性加熱之後且在該所施加電致發光電流期間對HBLED執行光度量測。此方法在該HBLED中快速建立與一操作產品級HBLED之彼等溫度及溫度梯度相一致之溫度及溫度梯度，藉此確保該HBLED之準確分級。
简体摘要：本发明揭示一种运行一晶圆级封装之高亮度磷光体转换发光二极管(pc-HBLED)之一热测试之方法，该方法包含使用一激光选择性地加热磷光体层之部分以在该磷光体层中提供一预定温度梯度。该选择性加热可直接加热一基于聚硅氧之磷光体层中之该聚硅氧，或直接加热一基于LumiramicTM之磷光体中之该磷光体之(若干)活性离子或甚至一基于聚硅氧之磷光体层之(若干)活性离子。将一电流施加至InGaN膜以在InGaN膜接面处创建一预定温度，该膜接面毗邻于该磷光体层。在该选择性加热之后且在该所施加电致发光电流期间对HBLED运行光度量测。此方法在该HBLED中快速创建与一操作产品级HBLED之彼等温度及温度梯度相一致之温度及温度梯度，借此确保该HBLED之准确分级。

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