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1. 发明专利

TWI465395B 石墨烯、石墨烯衍生物與研磨奈米顆粒之簡易合成及彼等包括摩擦上有利的潤滑劑添加物之各種用途有权
简体标题：石墨烯、石墨烯衍生物与研磨奈米颗粒之简易合成及彼等包括摩擦上有利的润滑剂添加物之各种用途
公开(公告)号：TWI465395B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW101108930
申请日：2012-03-15
申请人：皮爾雷斯全球公司 , PEERLESS WORLDWIDE, LLC
发明人：山克曼理查S , SHANKMAN, RICHARD S.
IPC分类号： C01B31/04 , C10M125/02
CPC分类号： C01B32/192 , A61K8/0241 , A61K8/19 , A61K2800/10 , A61K2800/28 , A61K2800/413 , A61Q17/04 , A61Q19/00 , B01J13/0056 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/182 , C01B32/184 , C01B32/186 , C01B32/20 , C01B32/225 , C01B32/23 , C10M103/02 , C10M125/02 , C10M125/04 , C10M129/70 , C10M171/06 , C10M177/00 , C10M2201/041 , C10M2201/0413 , C10N2220/082 , C10N2230/06 , C22C33/00 , C22C33/006 , C22C38/00 , F16D2300/06 , F16D2300/10 , Y10S977/734 , Y10S977/755 , Y10S977/843 , Y10S977/902

2. 发明专利

TW201328971A 前處理方法、石墨烯之形成方法及石墨烯製造裝置审中-公开
简体标题：前处理方法、石墨烯之形成方法及石墨烯制造设备
公开(公告)号：TW201328971A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101141642
申请日：2012-11-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本貴士 , MATSUMOTO, TAKASHI
IPC分类号： C01B31/04 , C23C16/26 , C23C16/44 , C23C16/513
CPC分类号： C23C16/02 , B01J23/40 , B01J23/42 , B01J23/44 , B01J23/462 , B01J23/70 , B01J23/72 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J35/002 , B01J35/02 , B01J37/0244 , B01J37/349 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C23C16/26 , C23C16/511 , Y10S977/734 , Y10S977/843
摘要：本發明係在石墨烯之成長之前進行前處理。前處理係一面使排氣裝置99作動而將處理容器1內減壓排氣，一面自簇射環57向處理容器1內導入稀有氣體，並且自簇射板59向處理容器1內分別導入還原性氣體及含氮氣體。於該狀態下，經由波導管47及同軸波導管49以特定模式將微波產生部35中所產生之微波導引至平面天線33，經由平面天線33之微波放射孔33a、透射板39而導入至處理容器1內。藉由該微波，而使還原性氣體及含氮氣體電漿化，對晶圓W表面之觸媒金屬層實施活化處理。
简体摘要：本发明系在石墨烯之成长之前进行前处理。前处理系一面使排气设备99作动而将处理容器1内减压排气，一面自簇射环57向处理容器1内导入稀有气体，并且自簇射板59向处理容器1内分别导入还原性气体及含氮气体。于该状态下，经由波导管47及同轴波导管49以特定模式将微波产生部35中所产生之微波导引至平面天线33，经由平面天线33之微波放射孔33a、透射板39而导入至处理容器1内。借由该微波，而使还原性气体及含氮气体等离子化，对晶圆W表面之触媒金属层实施活化处理。

3. 发明专利

TW201315673A 奈米碳纖維形成用構造體、奈米碳纖維構造體及其製造方法以及奈米碳纖維電極审中-公开
简体标题：奈米碳纤维形成用构造体、奈米碳纤维构造体及其制造方法以及奈米碳纤维电极
公开(公告)号：TW201315673A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101133806
申请日：2012-09-14
申请人：藤倉股份有限公司 , FUJIKURA LTD.
发明人：稻熊正康 , INAGUMA, MASAYASU
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , C01B31/02 , H01M4/02 , H01M12/06
CPC分类号： B01J35/002 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/158 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , C01B2203/1041 , C01B2203/1047 , C01B2203/1064 , C01B2203/1082 , D01F9/127 , H01G9/042 , H01G9/2045 , H01M4/583 , H01M4/9075 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/932 , Y10S977/942 , Y10T428/12611 , Y10T428/1266 , Y10T428/12667 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/24612 , Y10T428/249921 , Y10T428/249924 , Y10T428/25 , Y10T428/265 , Y10T428/30
摘要：本發明是具備：含氧離子傳導性氧化物的基材，及設在基材的一面側的金屬觸媒之奈米碳纖維形成用構造體。
简体摘要：本发明是具备：含氧离子传导性氧化物的基材，及设在基材的一面侧的金属触媒之奈米碳纤维形成用构造体。

4. 发明专利

TWI378897B 一種生長奈米螺旋碳管之方法 METHOD FOR PRODUCING CARBON NANOCOILS 有权
简体标题：一种生长奈米螺旋碳管之方法 METHOD FOR PRODUCING CARBON NANOCOILS
公开(公告)号：TWI378897B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW096150556
申请日：2007-12-27
申请人：國立臺灣大學
发明人：張所鋐 , 魏炳誠 , 張能凱
IPC分类号： C01B
CPC分类号： B82Y40/00 , B01J23/835 , B01J37/0219 , B01J37/088 , B01J37/14 , B82Y30/00 , C01B32/05 , C01B32/18 , Y10S977/843
摘要：本發明提供一種生長奈米螺旋碳管之方法，包括以下步驟：提供一個金屬基底，形成一錫前驅物於金屬基底上；熱處理包括錫前驅物之金屬基底，以形成一催化劑於金屬基底上；將金屬基底置於一反應爐中；提供碳源氣體與保護氣體至反應爐中，以生長奈米螺旋碳管。本發明亦提供另一種生長奈米螺旋碳管之方法，包括以下步驟：提供一基底；將醋酸鐵及醋酸錫溶液置於基底上；熱處理該基底，以形成一催化劑於基底上；將包括催化劑之基底置於一反應爐中；提供碳源氣體與保護氣體至反應爐中，並生長奈米螺旋碳管。
简体摘要：本发明提供一种生长奈米螺旋碳管之方法，包括以下步骤：提供一个金属基底，形成一锡前驱物于金属基底上；热处理包括锡前驱物之金属基底，以形成一催化剂于金属基底上；将金属基底置于一反应炉中；提供碳源气体与保护气体至反应炉中，以生长奈米螺旋碳管。本发明亦提供另一种生长奈米螺旋碳管之方法，包括以下步骤：提供一基底；将醋酸铁及醋酸锡溶液置于基底上；热处理该基底，以形成一催化剂于基底上；将包括催化剂之基底置于一反应炉中；提供碳源气体与保护气体至反应炉中，并生长奈米螺旋碳管。

5. 发明专利

TW201002614A 官能化碳奈米管之連續式方法及裝置 CONTINUOUS METHOD AND APPARATUS OF FUNCTIONALIZING CARBON NANOTUBE 失效
简体标题：官能化碳奈米管之连续式方法及设备 CONTINUOUS METHOD AND APPARATUS OF FUNCTIONALIZING CARBON NANOTUBE
公开(公告)号：TW201002614A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098117666
申请日：2009-05-27
申请人：韓華石油化學股份有限公司
发明人：李鎮瑞 , 韓柱熙 , 都承會 , 洪成哲
IPC分类号： C01B
CPC分类号： B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/174 , C01P2004/133 , Y02P20/544 , Y10S977/843 , Y10S977/847
摘要：本發明係關於一種官能化碳奈米管之連續式方法。特定言之，係關於一種官能化碳奈米管之連續式方法，其於一50至400大氣壓之壓力及一100至600℃之溫度至50至400大氣壓之壓力之次臨界水或超臨界水條件下，利用一連續地官能化的裝置，供給一具有一或多種官能基之官能基化合物至一官能化反應器中，以獲得經官能化之產物，於該反應器中係供給有一包含一氧化劑之碳奈米管混合物，從而可易於將該官能基化合物之官能基引至碳奈米管，以增加碳奈米管之官能化效果，且因而增加分散性。
简体摘要：本发明系关于一种官能化碳奈米管之连续式方法。特定言之，系关于一种官能化碳奈米管之连续式方法，其于一50至400大气压之压力及一100至600℃之温度至50至400大气压之压力之次临界水或超临界水条件下，利用一连续地官能化的设备，供给一具有一或多种官能基之官能基化合物至一官能化反应器中，以获得经官能化之产物，于该反应器中系供给有一包含一氧化剂之碳奈米管混合物，从而可易于将该官能基化合物之官能基引至碳奈米管，以增加碳奈米管之官能化效果，且因而增加分散性。

6. 发明专利

TWI318248B 使用化學氣相沉積法或電漿增強化學氣相沉積法生成之碳奈米管直徑之控制 CONTROL OF CARBON NANOTUBE DIAMETER USING CVD OR PECVD GROWTH 失效
简体标题：使用化学气相沉积法或等离子增强化学气相沉积法生成之碳奈米管直径之控制 CONTROL OF CARBON NANOTUBE DIAMETER USING CVD OR PECVD GROWTH
公开(公告)号：TWI318248B
公开(公告)日：2009-12-11
申请号：TW093130004
申请日：2004-10-04
申请人：萬國商業機器公司
发明人：安菲爾德吉爾 , 紐梅爾戴博拉 , 汀卡席
IPC分类号： C30B
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/36 , C30B25/00 , C30B25/105 , C30B29/605 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10S977/843
摘要：藉由控制反應器中反應性氣體之停留時間來獨立於催化劑尺寸控制由化學氣相沈積法生成之碳奈米管直徑。
简体摘要：借由控制反应器中反应性气体之停留时间来独立于催化剂尺寸控制由化学气相沉积法生成之碳奈米管直径。

7. 发明专利

TW200509309A 奈米碳管電晶體之製造方法失效
简体标题：奈米碳管晶体管之制造方法
公开(公告)号：TW200509309A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW092122853
申请日：2003-08-20
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：駱伯遠 LO, PO YUAN , 江日舜 CHIANG, JIH SHUN , 魏拯華 WEI, JENG HUA , 黃建良 HWANG, CHIEN LIANG , 王宏祥 WANG, HUNG HSIANG , 賴明駿 , 高明哲 KAO, MING JER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , Y10S977/75 , Y10S977/843 , Y10S977/888
摘要：一種奈米碳管電晶體之製造方法，其步驟包括：形成一絕緣層於一基板，將含有鈷離子觸媒的溶液以旋轉塗佈(spin-on-glass, SOG)的方式形成一第一氧化層於絕緣層上，將未添加觸媒的溶液以旋轉塗佈(spin-on-glass, SOG)的方式形成一第二氧化層於第一氧化層上，以黃光及蝕刻製程在第二氧化層上形成盲孔，盲孔露出第一氧化層、第二氧化層的側壁及絕緣層，形成單層奈米碳管(single wall carbon nanotube, SWNT)連接被盲孔隔開的第一氧化層側壁並平行於基板方向，形成源極和汲極分別與單層奈米碳管的兩端連接。
简体摘要：一种奈米碳管晶体管之制造方法，其步骤包括：形成一绝缘层于一基板，将含有钴离子触媒的溶液以旋转涂布(spin-on-glass, SOG)的方式形成一第一氧化层于绝缘层上，将未添加触媒的溶液以旋转涂布(spin-on-glass, SOG)的方式形成一第二氧化层于第一氧化层上，以黄光及蚀刻制程在第二氧化层上形成盲孔，盲孔露出第一氧化层、第二氧化层的侧壁及绝缘层，形成单层奈米碳管(single wall carbon nanotube, SWNT)连接被盲孔隔开的第一氧化层侧壁并平行于基板方向，形成源极和汲极分别与单层奈米碳管的两端连接。

8. 发明专利

TW593730B 直接於基材上低溫合成奈米碳管的方法失效
简体标题：直接于基材上低温合成奈米碳管的方法
公开(公告)号：TW593730B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW091105805
申请日：2002-03-25
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：黃建良 HWANG, CHIEN LIANG , 丁傑 TING, JACK , 江日舜 , 莊銓
IPC分类号： C23C , B82B
CPC分类号： C23C16/0281 , B82Y30/00 , C23C16/26 , C23C28/021 , C23C28/023 , C30B25/00 , C30B29/605 , Y10S977/843 , Y10S977/89
摘要：經由低溫熱化學氣相沈積反應，奈米碳管被直接成長在一具有三層金屬層的基材表面上，以作為場發射顯示器的場發射電子源。該三層金屬層包含一層活性金屬觸媒，其被夾在一位於該基材上的金屬擔體層及一覆蓋金屬層之間。該活性金屬觸媒為鐵、鈷、鎳或其合金，該金屬擔體與覆蓋金屬則可分別為金、銀、銅、鈀、鉑或其合金，及這三層金屬層可通過真空濺鍍、化學氣相沈積、物理氣相沈積、網印或電鍍的方式被形成。
简体摘要：经由低温热化学气相沉积反应，奈米碳管被直接成长在一具有三层金属层的基材表面上，以作为场发射显示器的场发射电子源。该三层金属层包含一层活性金属触媒，其被夹在一位于该基材上的金属担体层及一覆盖金属层之间。该活性金属触媒为铁、钴、镍或其合金，该金属担体与覆盖金属则可分别为金、银、铜、钯、铂或其合金，及这三层金属层可通过真空溅镀、化学气相沉积、物理气相沉积、网印或电镀的方式被形成。

9. 发明专利

TW201742946A 形成奈米碳管的系統和方法审中-公开
简体标题：形成奈米碳管的系统和方法
公开(公告)号：TW201742946A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106104420
申请日：2017-02-10
申请人：波音公司 , THE BOEING COMPANY
发明人：杭費爾德凱斯丹尼爾 , HUMFELD, KEITH DANIEL , 斯里瓦斯塔瓦伊堤 , SRIVASTAVA, ITI
IPC分类号： C23C16/26 , C01B32/05
CPC分类号： C01B32/16 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C16/26 , C23C16/4485 , C23C16/45589 , C23C16/45593 , C23C16/52 , Y10S977/742 , Y10S977/843
摘要：茲揭示一種用於從固體或液體原料124形成奈米碳管152的化學氣相沉積(CVD)系統100。CVD系統100包括反應器102，反應器102包括殼體120，殼體120包括入口104和出口106。殼體120定義內部122，以用於容納原料124，並且內部122容納惰性氣體148。CVD系統100包括與入口104流體連通的第一截止閥113和與出口106流體連通的第二截止閥114。第一和第二截止閥113/114密封入口104和出口106，使得當原料124進行反應時，在內部122中形成靜態環境。加熱器132將內部122加熱到使原料124被汽化的溫度，如此形成經汽化原料150。CVD系統100還包括與第一和第二閥及加熱器132連通的控制器145。控制器145被配置為選擇性地致動第一和第二閥及加熱器132。
简体摘要：兹揭示一种用于从固体或液体原料124形成奈米碳管152的化学气相沉积(CVD)系统100。CVD系统100包括反应器102，反应器102包括壳体120，壳体120包括入口104和出口106。壳体120定义内部122，以用于容纳原料124，并且内部122容纳惰性气体148。CVD系统100包括与入口104流体连通的第一截止阀113和与出口106流体连通的第二截止阀114。第一和第二截止阀113/114密封入口104和出口106，使得当原料124进行反应时，在内部122中形成静态环境。加热器132将内部122加热到使原料124被汽化的温度，如此形成经汽化原料150。CVD系统100还包括与第一和第二阀及加热器132连通的控制器145。控制器145被配置为选择性地致动第一和第二阀及加热器132。

10. 发明专利

TWI551677B 石墨烯、石墨烯衍生物與研磨奈米顆粒之簡易合成及彼等包括摩擦上有利的潤滑劑添加物之各種用途有权
简体标题：石墨烯、石墨烯衍生物与研磨奈米颗粒之简易合成及彼等包括摩擦上有利的润滑剂添加物之各种用途
公开(公告)号：TWI551677B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW103132716
申请日：2012-03-15
申请人：皮爾雷斯全球公司 , PEERLESS WORLDWIDE, LLC
发明人：山克曼理查S , SHANKMAN, RICHARD S.
IPC分类号： C10M125/02 , C01B31/04 , B82B3/00
CPC分类号： C01B32/192 , A61K8/0241 , A61K8/19 , A61K2800/10 , A61K2800/28 , A61K2800/413 , A61Q17/04 , A61Q19/00 , B01J13/0056 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/182 , C01B32/184 , C01B32/186 , C01B32/20 , C01B32/225 , C01B32/23 , C10M103/02 , C10M125/02 , C10M125/04 , C10M129/70 , C10M171/06 , C10M177/00 , C10M2201/041 , C10M2201/0413 , C10N2220/082 , C10N2230/06 , C22C33/00 , C22C33/006 , C22C38/00 , F16D2300/06 , F16D2300/10 , Y10S977/734 , Y10S977/755 , Y10S977/843 , Y10S977/902

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