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1. 发明专利

TW201739941A 流經線進氣空間审中-公开
简体标题：流经线进气空间
公开(公告)号：TW201739941A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106105502
申请日：2017-02-20
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：里瑟卡爾 , LEESER, KARL
IPC分类号： C23C14/22 , C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C14/22 , C23C16/448 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , H01J37/32009 , H01J37/32449 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67253
摘要：提供一種用於將氣體輸送至反應器的進氣空間構造，該反應器用於處理半導體晶圓。一進氣空間包含在一近端與一遠端之間延伸的一腔室。一基底連接至該腔室的該近端，以及該基底包含一入口通道以及一出口通道。一管件配置在該腔室內。該管件具有小於一腔室直徑的一管直徑。該管件具有在該腔室之該近端耦合至該入口通道的一連接端以及配置在該腔室之該遠端的一輸出端。
简体摘要：提供一种用于将气体输送至反应器的进气空间构造，该反应器用于处理半导体晶圆。一进气空间包含在一近端与一远程之间延伸的一腔室。一基底连接至该腔室的该近端，以及该基底包含一入口信道以及一出口信道。一管件配置在该腔室内。该管件具有小于一腔室直径的一管直径。该管件具有在该腔室之该近端耦合至该入口信道的一连接端以及配置在该腔室之该远程的一输出端。

2. 发明专利

TW201736626A 真空蒸鍍用蒸發源，真空蒸鍍裝置及方法审中-公开
简体标题：真空蒸镀用蒸发源，真空蒸镀设备及方法
公开(公告)号：TW201736626A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105112195
申请日：2016-04-19
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：魏洋 , WEI, YANG , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： C23C14/26 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/28 , B82Y30/00 , C23C16/26 , C23C16/448
摘要：本發明提供一種真空蒸鍍用蒸發源，包括蒸發材料及奈米碳管複合膜，該奈米碳管複合膜為一載體，該蒸發材料設置在該奈米碳管複合膜表面，通過該奈米碳管複合膜承載，該奈米碳管複合膜包括奈米碳管膜結構及複合材料，該複合材料設置在該奈米碳管膜結構表面。本發明還提供一種真空蒸鍍裝置和真空蒸鍍方法。
简体摘要：本发明提供一种真空蒸镀用蒸发源，包括蒸发材料及奈米碳管复合膜，该奈米碳管复合膜为一载体，该蒸发材料设置在该奈米碳管复合膜表面，通过该奈米碳管复合膜承载，该奈米碳管复合膜包括奈米碳管膜结构及复合材料，该复合材料设置在该奈米碳管膜结构表面。本发明还提供一种真空蒸镀设备和真空蒸镀方法。

3. 发明专利

TW201726967A 固體前驅物之冷燒結审中-公开
简体标题：固体前驱物之冷烧结
公开(公告)号：TW201726967A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105132458
申请日：2016-10-06
申请人：恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：包姆湯瑪士 H , BAUM, THOMAS H. , 艾德瑞吉大衛詹姆士 , ELDRIDGE, DAVID JAMES , 懷特羅柏茲 L 二世 , WRIGHTS, ROBERT L. JR. , 李雨綺 , LI, YUQI
IPC分类号： C23C16/448
CPC分类号： C23C16/448 , C04B35/00 , C23C16/4481
摘要：本發明描述一種固體遞送前驅物，其可用於揮發以產生用於一汽相沈積程序之前驅物蒸汽。該固體遞送前驅物包括例如呈諸如丸粒、薄片、小片、珠粒、圓盤或單塊之一形式之壓實顆粒前驅物之固體本體。當利用於諸如化學汽相沈積、脈衝化學汽相沈積或原子層沈積之一汽相沈積程序中時，相對於顆粒前驅物，呈壓實顆粒前驅物之固體本體形式之該固體遞送前驅物在經受揮發條件時提供實質上增加的前驅物蒸汽通量。因此，汽相沈積程序操作可在較短時間週期內進行，藉此達成諸如半導體產物、平板顯示器、太陽能板、LED、光學塗層等產物之增大的製造速率。
简体摘要：本发明描述一种固体递送前驱物，其可用于挥发以产生用于一汽相沉积进程之前驱物蒸汽。该固体递送前驱物包括例如呈诸如丸粒、薄片、小片、珠粒、圆盘或单块之一形式之压实颗粒前驱物之固体本体。当利用于诸如化学汽相沉积、脉冲化学汽相沉积或原子层沉积之一汽相沉积进程中时，相对于颗粒前驱物，呈压实颗粒前驱物之固体本体形式之该固体递送前驱物在经受挥发条件时提供实质上增加的前驱物蒸汽通量。因此，汽相沉积进程操作可在较短时间周期内进行，借此达成诸如半导体产物、平板显示器、太阳能板、LED、光学涂层等产物之增大的制造速率。

4. 发明专利

TWI579933B 緊密式安瓿熱管理系統有权
简体标题：紧密式安瓿热管理系统
公开(公告)号：TWI579933B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW105123607
申请日：2013-05-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：卡爾森大衛K , CARLSON, DAVID K. , 山契斯艾羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 喬伊肯瑞克 , CHOI, KENRIC , 約瑟夫森馬塞爾E , JOSEPHSON, MARCEL E. , 狄馬斯丹尼斯 , DEMARS, DENNIS , 庫法奇艾姆瑞 , CUVALCI, EMRE , 薩米爾梅莫特圖格魯爾 , SAMIR, MEHMET TUGRUL
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/34
CPC分类号： F25B21/02 , C23C16/448 , C23C16/4482

5. 发明专利

TWI539021B 蒸發裝置及應用該蒸發裝置的真空蒸鍍機有权
简体标题：蒸发设备及应用该蒸发设备的真空蒸镀机
公开(公告)号：TWI539021B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW101134857
申请日：2012-09-21
申请人：富智康(香港)有限公司 , FIH (HONG KONG) LIMITED
发明人：曹達華 , CAO, DA-HUA , 李彬 , LI, BIN
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/228 , C23C14/0021 , C23C14/243 , C23C16/448 , C23C16/4481

6. 发明专利

TWI498447B 使用胺基金屬與鹵化金屬前驅物組合之含金屬氮化物之薄膜沈積有权
简体标题：使用胺基金属与卤化金属前驱物组合之含金属氮化物之薄膜沉积
公开(公告)号：TWI498447B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW100111512
申请日：2011-04-01
申请人：液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 , L'AIR LIQUIDE SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE
发明人：東野桂子 , HIGASHINO, KATSUKO , 柳田和孝 , YANAGITA, KAZUTAKA
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/448 , C23C16/34 , C23C16/345 , C23C16/36 , C23C16/45553

7. 发明专利

TWI477641B 無定形鍺／鍗沉積製程有权
简体标题：无定形锗／鍗沉积制程
公开(公告)号：TWI477641B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW097142061
申请日：2008-10-31
申请人：尖端科技材料股份有限公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：陳世輝 , CHEN, PHILIP S. H. , 威廉杭克斯 , HUNKS, WILLIAM , 陳天牛 , CHEN, TIANNIU , 史丹德爾馬休斯 , STENDER, MATTHIAS , 許從應 , XU, CHONGYING , 羅伊德傑佛里F , ROEDER, JEFFREY F. , 李衛民 , LI, WEIMIN
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C07F7/30 , C07F9/90 , C07F11/00 , H01L45/00
CPC分类号： C07F7/30 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , C23C16/56 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616 , Y10T428/31678

8. 发明专利

TW201410896A 蒸發裝置及應用該蒸發裝置的真空蒸鍍機审中-公开
简体标题：蒸发设备及应用该蒸发设备的真空蒸镀机
公开(公告)号：TW201410896A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW101134857
申请日：2012-09-21
申请人：富士康(香港)有限公司 , FIH (HONG KONG) LIMITED
发明人：曹達華 , CAO, DA-HUA , 李彬 , LI, BIN
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/228 , C23C14/0021 , C23C14/243 , C23C16/448 , C23C16/4481
摘要：本發明提供一種蒸發裝置，包括蒸發舟、導氣裝置及氣源通道，該蒸發舟容置於該導氣裝置內，於該蒸發舟與導氣裝置之間形成一氣體容置空間；所述氣源通道的一端與該導氣裝置連接，並與該氣體容置空間連通；所述蒸發舟包括一第一底壁、由該第一底壁的周緣延伸形成的側壁，及由該第一底壁與該側壁圍成的容置槽，該側壁上開設有複數通氣孔，所述通氣孔與該氣體容置空間相連通。本發明還提供了應用該蒸發裝置的真空蒸鍍機。
简体摘要：本发明提供一种蒸发设备，包括蒸发舟、导气设备及气源信道，该蒸发舟容置于该导气设备内，于该蒸发舟与导气设备之间形成一气体容置空间；所述气源信道的一端与该导气设备连接，并与该气体容置空间连通；所述蒸发舟包括一第一底壁、由该第一底壁的周缘延伸形成的侧壁，及由该第一底壁与该侧壁围成的容置槽，该侧壁上开设有复数通气孔，所述通气孔与该气体容置空间相连通。本发明还提供了应用该蒸发设备的真空蒸镀机。

9. 发明专利

TWI425566B 成膜方法，成膜裝置及記憶媒體失效
简体标题：成膜方法，成膜设备及记忆媒体
公开(公告)号：TWI425566B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW097111202
申请日：2008-03-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：伊藤仁 , ITO, HITOSHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/768
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/18 , C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/45593 , H01L21/28556 , H01L21/76877

10. 发明专利

TW201308483A 半導體製造裝置之原料氣體供給裝置审中-公开
简体标题：半导体制造设备之原料气体供给设备
公开(公告)号：TW201308483A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101117394
申请日：2012-05-16
申请人：富士金股份有限公司 , FUJIKIN INCORPORATED
发明人：永瀨正明 , NAGASE, MASAAKI , 日高敦志 , HIDAKA, ATSUSHI , 平田薰 , HIRATA, KAORU , 土肥亮介 , DOHI, RYOUSUKE , 西野功二 , NISHINO, KOUJI , 池田信一 , IKEDA, NOBUKAZU
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： C23C16/448 , C23C16/4485 , C23C16/45561 , C23C16/52 , Y10T137/86485
摘要：達成可以不使用載氣體而僅對液體原料氣體之蒸氣、亦即原料氣體，進行高精確度之流量控制之同時，可以穩定地供給至製程腔室，同時可以達成原料氣體供給裝置之構造之簡素化及小型化。由以下構成：液體原料氣體供給源；上述液體原料氣體之貯存用的來源貯槽；氣體流通路，用於由上述來源貯槽之內部上方空間部，將液體原料氣體蒸氣、亦即原料氣體供給至製程腔室；自動壓力調整器，係設置於該氣體流通路之上流側，用於將供給至製程腔室的原料氣體之供給壓保持於設定值；供給氣體切換閥，係設置於上述氣體流通路之下流側，用於對原料氣體之供給至製程腔室的通路進行開關；孔部，係設置於該供給氣體切換閥之入口側與出口側之其中至少一方，用於調整供給至製程腔室的原料氣體之流量；及恆溫加熱裝置，用於將上述來源貯槽、上述氣體流通路、供給氣體切換閥及孔部加熱至設定溫度；係將自動壓力調整器之下流側之原料氣體之供給壓控制成為所要之壓力之同時，將設定流量之原料氣體供給至製程腔室。
简体摘要：达成可以不使用载气体而仅对液体原料气体之蒸气、亦即原料气体，进行高精确度之流量控制之同时，可以稳定地供给至制程腔室，同时可以达成原料气体供给设备之构造之简素化及小型化。由以下构成：液体原料气体供给源；上述液体原料气体之贮存用的来源贮槽；气体流通路，用于由上述来源贮槽之内部上方空间部，将液体原料气体蒸气、亦即原料气体供给至制程腔室；自动压力调整器，系设置于该气体流通路之上流侧，用于将供给至制程腔室的原料气体之供给压保持于设置值；供给气体切换阀，系设置于上述气体流通路之下流侧，用于对原料气体之供给至制程腔室的通路进行开关；孔部，系设置于该供给气体切换阀之入口侧与出口侧之其中至少一方，用于调整供给至制程腔室的原料气体之流量；及恒温加热设备，用于将上述来源贮槽、上述气体流通路、供给气体切换阀及孔部加热至设置温度；系将自动压力调整器之下流侧之原料气体之供给压控制成为所要之压力之同时，将设置流量之原料气体供给至制程腔室。

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