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1. 发明专利

TWI491759B 利用輔助性金屬物種以沉積釕的方法與組成物有权
简体标题：利用辅助性金属物种以沉积钌的方法与组成物
公开(公告)号：TWI491759B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW099107821
申请日：2010-03-17
申请人：尖端科技材料股份有限公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：盧伯古班二世喬治A , LUBGUBAN, JR., JORGE A. , 卡麥容湯瑪仕M , CAMERON, THOMAS M. , 蘇中因 , XU, CHONGYING , 李衛民 , LI, WEIMIN
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/458 , C07F17/02 , C07F19/00
CPC分类号： C23C16/0272 , C23C16/18 , C23C16/45534 , H01L28/65

2. 发明专利

TWI477641B 無定形鍺／鍗沉積製程有权
简体标题：无定形锗／鍗沉积制程
公开(公告)号：TWI477641B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW097142061
申请日：2008-10-31
申请人：尖端科技材料股份有限公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：陳世輝 , CHEN, PHILIP S. H. , 威廉杭克斯 , HUNKS, WILLIAM , 陳天牛 , CHEN, TIANNIU , 史丹德爾馬休斯 , STENDER, MATTHIAS , 許從應 , XU, CHONGYING , 羅伊德傑佛里F , ROEDER, JEFFREY F. , 李衛民 , LI, WEIMIN
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C07F7/30 , C07F9/90 , C07F11/00 , H01L45/00
CPC分类号： C07F7/30 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , C23C16/56 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616 , Y10T428/31678

3. 发明专利

TW201402587A 用於矽基薄膜的低溫ＡＬＤ之矽前驅物审中-公开
简体标题：用于硅基薄膜的低温ＡＬＤ之硅前驱物
公开(公告)号：TW201402587A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102118524
申请日：2013-05-24
申请人：尖端科技材料股份有限公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：卡麥容湯瑪仕M , CAMERON, THOMAS M. , 迪莫蘇珊V , DIMEO, SUSAN V. , 漢迪克斯布萊恩C , HENDRIX, BRYAN C. , 李衛民 , LI, WEIMIN
IPC分类号： C07F7/10 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/28229 , C07F7/10 , C09D5/24 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/44 , C23C16/45525 , H01L28/40 , H01L29/516
摘要：描述了一種矽前驅物組合物，包括選自以下化合物的矽烯(silylene)化合物：下式的矽烯化合物：其中每個R和R1係獨立選自有機取代基；脒基矽烯；以及雙(脒基)矽烯。該矽烯化合物可用於在微電子元件產品的製造中藉由諸如CVD、脈衝CVD、ALD以及脈衝電漿製程等氣相沉積製程形成高品質、保形的SiO2、Si3N4、SiC以及摻雜的矽酸鹽含矽膜。在一個實施方式中，這樣的矽前驅物可以在氧化劑存在下藉由在孔隙中低溫沉積氧化矽而用於密封包含多孔氧化矽的基板中的孔隙，該低溫沉積之溫度例如在50℃至200℃範圍中的溫度。
简体摘要：描述了一种硅前驱物组合物，包括选自以下化合物的硅烯(silylene)化合物：下式的硅烯化合物：其中每个R和R1系独立选自有机取代基；脒基硅烯；以及双(脒基)硅烯。该硅烯化合物可用于在微电子组件产品的制造中借由诸如CVD、脉冲CVD、ALD以及脉冲等离子制程等气相沉积制程形成高品质、保形的SiO2、Si3N4、SiC以及掺杂的硅酸盐含硅膜。在一个实施方式中，这样的硅前驱物可以在氧化剂存在下借由在孔隙中低温沉积氧化硅而用于密封包含多孔氧化硅的基板中的孔隙，该低温沉积之温度例如在50℃至200℃范围中的温度。

4. 发明专利

TW201432086A 用於低漏電流與低等效氧化層厚度ＢｉＴａＯ薄膜之ＡＬＤ製程审中-公开
简体标题：用于低漏电流与低等效氧化层厚度ＢｉＴａＯ薄膜之ＡＬＤ制程
公开(公告)号：TW201432086A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW103104124
申请日：2014-02-07
申请人：尖端科技材料股份有限公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. , ATMI韓國股份有限公司 , ATMI KOREA CO., LTD.
发明人：漢迪克斯布萊恩C , HENDRIX, BRYAN C. , 陳菲利普S H , CHEN, PHILIP S. H. , 李衛民 , LI, WEIMIN , 張祐尙 , JANG, WOOSUNG , 郭鼎凱 , GUO, DINGKAI
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/448 , H01L21/316
CPC分类号： H01L28/55 , C01G23/003 , C01G25/006 , C01G35/00 , C01P2006/40 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/45531 , H01L21/02194 , H01L21/02197 , H01L21/02205 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L28/40
摘要：本發明描述一種高介電常數(k≧40)、低漏電流(在0.6奈米或更低的等效氧化層厚度時，漏電流≦10-6 A/cm2)的非晶型金屬氧化物，該非晶型金屬氧化物包括一種由選自以下群組中之兩種或更多種相容金屬所形成的氧化物，該群組為：鉍、鉭、鈮、鋇、鍶、鈣、鎂、鈦、鋯、鉿、錫及鑭系金屬。所形成的此類型金屬氧化物可隨著此等氧化物之厚度而改變金屬成分的相對比例，藉以增進該等氧化物的安定性。藉由本發明所揭示的原子層沉積製程該金屬氧化物可輕易地製成該金屬氧化物，藉以提供DRAM及其他微電子元件中經常採用的金屬氧化物介電材料。
简体摘要：本发明描述一种高介电常数(k≧40)、低漏电流(在0.6奈米或更低的等效氧化层厚度时，漏电流≦10-6 A/cm2)的非晶型金属氧化物，该非晶型金属氧化物包括一种由选自以下群组中之两种或更多种兼容金属所形成的氧化物，该群组为：铋、钽、铌、钡、锶、钙、镁、钛、锆、铪、锡及镧系金属。所形成的此类型金属氧化物可随着此等氧化物之厚度而改变金属成分的相对比例，借以增进该等氧化物的安定性。借由本发明所揭示的原子层沉积制程该金属氧化物可轻易地制成该金属氧化物，借以提供DRAM及其他微电子组件中经常采用的金属氧化物介电材料。

5. 发明专利

TWI471975B 填充間隙用的二氧化矽前驅物有权
简体标题：填充间隙用的二氧化硅前驱物
公开(公告)号：TWI471975B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW097124579
申请日：2008-06-30
申请人：尖端科技材料股份有限公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：威廉杭克斯 , WILLIAM HUNKS , 比洛德歐史帝芬M , BILODEAU, STEVEN M. , 蘇中因 , XU, CHONGYING , 漢迪克斯布萊恩C , HENDRIX, BRYAN C. , 羅伊德傑佛里 , ROEDER, JEFFREY F. , 李衛民 , LI, WEIMIN
IPC分类号： H01L21/762 , C23C16/42
CPC分类号： H01L21/02211 , H01L21/02123 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02263 , H01L21/31604 , H01L21/31608 , H01L29/0649

6. 发明专利

TW201435130A 塡充間隙用的二氧化矽前驅物审中-公开
简体标题：填充间隙用的二氧化硅前驱物
公开(公告)号：TW201435130A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103120333
申请日：2008-06-30
申请人：尖端科技材料股份有限公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：威廉杭克斯 , WILLIAM HUNKS , 比洛德歐史帝芬M , BILODEAU, STEVEN M. , 蘇中因 , XU, CHONGYING , 漢迪克斯布萊恩C , HENDRIX, BRYAN C. , 羅伊德傑佛里 , ROEDER, JEFFREY F. , 李衛民 , LI, WEIMIN
IPC分类号： C23C16/42 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02211 , H01L21/02123 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02263 , H01L21/31604 , H01L21/31608 , H01L29/0649
摘要：本發明係提供一種完全填充之溝渠結構，其包含一內含高深寬比溝渠的微電子裝置基材和一填滿溝渠的二氧化矽團塊，其中二氧化矽具實質無孔隙之特性和實質均勻遍佈整個團塊的密度。一種所述對應製造半導體產品的方法包括使用特殊矽前驅物組成來填滿微電子裝置基材之溝渠，其中二氧化矽前驅物組成經處理以進行水解及縮合反應，而形成實質無孔隙且密度實質均一的二氧化矽材料於溝渠內。填充製程的施行包括使用含矽與鍺之前驅物填充組成，因而形成包括GeO2/SiO2溝渠填充材料的微電子裝置結構。前驅物填充組成可包含抑制劑成分(如甲醇)，用以消除或減少固化之溝渠填充材料產生裂縫。
简体摘要：本发明系提供一种完全填充之沟渠结构，其包含一内含高深宽比沟渠的微电子设备基材和一填满沟渠的二氧化硅团块，其中二氧化硅具实质无孔隙之特性和实质均匀遍布整个团块的密度。一种所述对应制造半导体产品的方法包括使用特殊硅前驱物组成来填满微电子设备基材之沟渠，其中二氧化硅前驱物组成经处理以进行水解及缩合反应，而形成实质无孔隙且密度实质均一的二氧化硅材料于沟渠内。填充制程的施行包括使用含硅与锗之前驱物填充组成，因而形成包括GeO2/SiO2沟渠填充材料的微电子设备结构。前驱物填充组成可包含抑制剂成分(如甲醇)，用以消除或减少固化之沟渠填充材料产生裂缝。

7. 发明专利

TW201042071A 利用輔助性金屬物種以沉積釕的方法與組成物 METHOD AND COMPOSITION FOR DEPOSITING RUTHENIUM WITH ASSISTIVE METAL SPECIES 审中-公开
简体标题：利用辅助性金属物种以沉积钌的方法与组成物 METHOD AND COMPOSITION FOR DEPOSITING RUTHENIUM WITH ASSISTIVE METAL SPECIES
公开(公告)号：TW201042071A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW099107821
申请日：2010-03-17
申请人：尖端科技材料股份有限公司
发明人：盧伯古班二世喬治A , 卡麥容湯瑪仕M , 蘇中因 , 李衛民
IPC分类号： C23C , C07F
CPC分类号： C23C16/0272 , C23C16/18 , C23C16/45534 , H01L28/65
摘要：一種於氣相沉積製程中形成含釕薄膜之方法，其步驟包含沉積釕與一輔助性金屬物種，相較於不含此輔助性金屬物種之釕的沉積，該輔助性金屬物種增加釕成核之速率及程度。有助於進行此方法之說明用前驅物組成物包括釕前驅物及鍶前驅物於溶劑介質中，其中釕及鍶前驅物之一者包括一與另一前驅物之中心金屬原子配位之懸架官能基，以便釕及鍶相互共沉積。該方法使得釕沉積於非金屬基板上之潛伏時間非常短暫，因此在例如原子層沉積之方法中提供非常快速之薄膜形成。
简体摘要：一种于气相沉积制程中形成含钌薄膜之方法，其步骤包含沉积钌与一辅助性金属物种，相较于不含此辅助性金属物种之钌的沉积，该辅助性金属物种增加钌成核之速率及程度。有助于进行此方法之说明用前驱物组成物包括钌前驱物及锶前驱物于溶剂介质中，其中钌及锶前驱物之一者包括一与另一前驱物之中心金属原子配位之悬架官能基，以便钌及锶相互共沉积。该方法使得钌沉积于非金属基板上之潜伏时间非常短暂，因此在例如原子层沉积之方法中提供非常快速之薄膜形成。

8. 发明专利

TW201240174A 形成相變化記憶體的方法 METHOD FOR FORMING PHASE CHANGE MEMORY 审中-公开
简体标题：形成相变化内存的方法 METHOD FOR FORMING PHASE CHANGE MEMORY
公开(公告)号：TW201240174A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100110370
申请日：2011-03-25
申请人：尖端科技材料股份有限公司
发明人：李衛民
IPC分类号： H01L
摘要：茲描述相變化記憶體(PCM)元件結構,其中相變化材料係無縫的,故可排除降低元件性能相關的孔隙問題。PCM元件結構可輕易由溝槽技術形成,其中相變化材料共形沉積於溝槽側壁和底表面上、接著移除底表面之相變化材料、沉積介電保護層、隨後沉積氧化物及/或氮化物材料、然後進行CMP來移除介電質和氧化物/氮化物材料而露出相變化材料的頂表面。接著,形成上電極且該上電極接觸露出之相變化材料的頂表面,以提供包括無縫PCM材料的上電極/PCM元件結構。
简体摘要：兹描述相变化内存(PCM)组件结构,其中相变化材料系无缝的,故可排除降低组件性能相关的孔隙问题。PCM组件结构可轻易由沟槽技术形成,其中相变化材料共形沉积于沟槽侧壁和底表面上、接着移除底表面之相变化材料、沉积介电保护层、随后沉积氧化物及/或氮化物材料、然后进行CMP来移除介电质和氧化物/氮化物材料而露出相变化材料的顶表面。接着,形成上电极且该上电极接触露出之相变化材料的顶表面,以提供包括无缝PCM材料的上电极/PCM组件结构。

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