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1. 发明专利

TW201613758A 積層薄膜與電極基板薄膜及此等之製造方法审中-公开
简体标题：积层薄膜与电极基板薄膜及此等之制造方法
公开(公告)号：TW201613758A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104127614
申请日：2015-08-25
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：大上秀晴 , OKAMI, HIDEHARU
IPC分类号： B32B15/08 , B32B15/02 , B32B5/08 , H05K1/09 , H05K3/02
CPC分类号： H05K1/0274 , B32B7/02 , B32B2307/412 , B32B2307/418 , B32B2309/105 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/185 , C23C14/24 , C23C14/352 , C23C14/562 , C23C28/021 , C23C28/023 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , H05K1/09 , H05K3/06 , H05K3/467 , H05K2201/0108 , H05K2201/0338 , H05K2201/09681 , H05K2201/10128 , H05K2201/10151
摘要：本發明課題在於提供一種在高輝度照明下，包含金屬製細線之電路圖案也不易被看到的電極基板薄膜及用於其之積層體薄膜。解決手段為，具有透明基板52及金屬製之積層細線的電極基板薄膜，其特徵為：積層細線係具有線寬為20μm以下且由透明基板側數來為第1層的膜厚為20nm以上30nm以下的金屬吸收層51及第2層之金屬層50，可見光波長區域(400~780nm)之金屬吸收層的光學常數中，波長400nm的折射率為2.0~2.2、消光係數為1.8~2.1、波長500nm的折射率為2.4~2.7、消光係數為1.9~2.3、波長600nm的折射率為2.8~3.2、消光係數為1.9~2.5、波長700nm的折射率為3.2~3.6、消光係數為1.7~2.5、波長780nm的折射率為3.5~3.8、消光係數為1.5~2.4，透明基板與金屬吸收層的界面反射所產生之可見光波長區域的平均反射率為20%以下，可見光波長區域的最高穿透率與最低穿透率的差為10%以下。
简体摘要：本发明课题在于提供一种在高辉度照明下，包含金属制细线之电路图案也不易被看到的电极基板薄膜及用于其之积层体薄膜。解决手段为，具有透明基板52及金属制之积层细线的电极基板薄膜，其特征为：积层细线系具有线宽为20μm以下且由透明基板侧数来为第1层的膜厚为20nm以上30nm以下的金属吸收层51及第2层之金属层50，可见光波长区域(400~780nm)之金属吸收层的光学常数中，波长400nm的折射率为2.0~2.2、消光系数为1.8~2.1、波长500nm的折射率为2.4~2.7、消光系数为1.9~2.3、波长600nm的折射率为2.8~3.2、消光系数为1.9~2.5、波长700nm的折射率为3.2~3.6、消光系数为1.7~2.5、波长780nm的折射率为3.5~3.8、消光系数为1.5~2.4，透明基板与金属吸收层的界面反射所产生之可见光波长区域的平均反射率为20%以下，可见光波长区域的最高穿透率与最低穿透率的差为10%以下。

2. 发明专利

TWI403762B 吸收型多層ＮＤ濾光片及其製法失效
简体标题：吸收型多层ＮＤ滤光片及其制法
公开(公告)号：TWI403762B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW096101988
申请日：2007-01-19
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD
发明人：大上秀晴 , OKAMI, HIDEHARU
IPC分类号： G02B5/28 , C23C14/06
CPC分类号： G02B5/22 , C23C14/0635 , C23C14/20 , C23C14/35 , C23C14/562

3. 发明专利

TW202003112A 氣體放出輥及其製造方法、與使用氣體放出輥的處理裝置审中-公开
简体标题：气体放出辊及其制造方法、与使用气体放出辊的处理设备
公开(公告)号：TW202003112A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108103726
申请日：2019-01-31
申请人：日商住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：大上秀晴 , OKAMI, HIDEHARU
IPC分类号： B05C1/10 , C23C14/56
摘要：不使用槍鑽加工，即可在外周面附近環繞整周形成朝軸向延伸的複數條氣體導入路，而且對熱負載保持良好冷卻性能的氣體放出輥。氣體放出輥具備：金屬製的內輥2，在端部具有旋轉軸；圓筒狀的金屬製外輥3，套設於內輥2的外周面而形成一體化；氣體導入用溝槽4，以沿著該內輥2的圓周方向隔開大致均等的間隔且沿著內輥2之旋轉軸方向延伸的方式形成在內輥2的整個外周面，而在與外輥3的內周面之間劃分出氣體導入路5；及氣體放出孔6群，以貫通到氣體導入路的方式5形成在外輥3；氣體導入路剖面的圓周遮蔽率A為36%以下，或者氣體導入範圍的空隙率B為20%以下。
简体摘要：不使用枪钻加工，即可在外周面附近环绕整周形成朝轴向延伸的复数条气体导入路，而且对热负载保持良好冷却性能的气体放出辊。气体放出辊具备：金属制的内辊2，在端部具有旋转轴；圆筒状的金属制外辊3，套设于内辊2的外周面而形成一体化；气体导入用沟槽4，以沿着该内辊2的圆周方向隔开大致均等的间隔且沿着内辊2之旋转轴方向延伸的方式形成在内辊2的整个外周面，而在与外辊3的内周面之间划分出气体导入路5；及气体放出孔6群，以贯通到气体导入路的方式5形成在外辊3；气体导入路剖面的圆周屏蔽率A为36%以下，或者气体导入范围的空隙率B为20%以下。

4. 发明专利

TWI665080B 積層薄膜與電極基板薄膜及此等之製造方法有权
简体标题：积层薄膜与电极基板薄膜及此等之制造方法
公开(公告)号：TWI665080B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW104127614
申请日：2015-08-25
申请人：日商住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：大上秀晴 , OKAMI, HIDEHARU
IPC分类号： B32B15/08 , B32B15/02 , B32B5/08 , H05K1/09 , H05K3/02

5. 发明专利

TWI676549B 積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等之製造方法有权
简体标题：积层体薄膜与电极基板薄膜及彼等之制造方法
公开(公告)号：TWI676549B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW104135175
申请日：2015-10-27
申请人：日商住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：大上秀晴 , OKAMI, HIDEHARU
IPC分类号： B32B15/04 , C25B11/04 , C25B11/03 , C23C16/06

6. 发明专利

TW201622993A 積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等之製造方法审中-公开
简体标题：积层体薄膜与电极基板薄膜及彼等之制造方法
公开(公告)号：TW201622993A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104135175
申请日：2015-10-27
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：大上秀晴 , OKAMI, HIDEHARU
IPC分类号： B32B15/04 , C25B11/04 , C25B11/03 , C23C16/06
CPC分类号： C23C14/0089 , B32B15/08 , C23C14/0015 , C23C14/0057 , C23C14/06 , C23C14/085 , C23C14/205 , C23C14/548 , C23C14/562 , C23C14/5873 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112 , H05K1/0274 , H05K1/09 , H05K3/06 , H05K3/064 , H05K3/467 , H05K2201/0108 , H05K2201/0338 , H05K2201/0373 , H05K2201/09681 , H05K2201/10128 , H05K2203/087
摘要：提供一種蝕刻性優異，且經蝕刻加工的電路圖案在高輝度照明下難以辨識之積層體薄膜及電極基板薄膜，並提供彼等的製造方法。一種由包含樹脂薄膜的透明基板60和設置於透明基板的至少一面的積層膜所構成之積層體薄膜，其特徵為：上述積層膜具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層61、63和第2層的金屬層(62、65)、(64、66)，並且金屬吸收層係藉由使用金屬靶材和含氧的反應性氣體之反應濺鍍法形成，該金屬靶材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且反應性氣體含有氫。
简体摘要：提供一种蚀刻性优异，且经蚀刻加工的电路图案在高辉度照明下难以辨识之积层体薄膜及电极基板薄膜，并提供彼等的制造方法。一种由包含树脂薄膜的透明基板60和设置于透明基板的至少一面的积层膜所构成之积层体薄膜，其特征为：上述积层膜具有从透明基板侧起算为第1层的金属吸收层61、63和第2层的金属层(62、65)、(64、66)，并且金属吸收层系借由使用金属靶材和含氧的反应性气体之反应溅镀法形成，该金属靶材系由包含Ni单体、或选自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2种以上的元素之合金所构成，且反应性气体含有氢。

7. 发明专利

TW201614352A 電極基板薄膜及其製造方法审中-公开
简体标题：电极基板薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201614352A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104127615
申请日：2015-08-25
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：大上秀晴 , OKAMI, HIDEHARU
IPC分类号： G02F1/1343
CPC分类号： H01B5/14 , B32B7/02 , B32B15/04 , B32B15/08 , B32B2307/412 , B32B2307/418 , B32B2309/105 , C23C14/0042 , C23C14/0063 , C23C14/06 , C23C14/08 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , H01B13/0036
摘要：本發明課題在於提供一種在加工包含金屬製細線之電路圖案時不會造成妨害，而且在高輝度照明下，電路圖案也不易被看到的電極基板薄膜及其製法。解決手段為，具有透明基板52及金屬製之積層細線的電極基板薄膜，其特徵為：積層細線係具有由透明基板側數來為第1層的膜厚為20nm以上30nm以下的金屬吸收層51及第2層之金屬層50，可見光波長區域(400~780nm)之金屬吸收層的光學常數中，波長400nm的折射率為1.8~2.2、消光係數為1.8~2.4、波長500nm的折射率為2.2~2.7、消光係數為1.9~2.8、波長600nm的折射率為2.5~3.2、消光係數為1.9~3.1、波長700nm的折射率為2.7~3.6、消光係數為1.7~3.3、波長780nm的折射率為3.1~3.8、消光係數為1.5~3.4，透明基板與金屬吸收層的界面反射所產生之可見光波長區域的最高反射率為40%以下。
简体摘要：本发明课题在于提供一种在加工包含金属制细线之电路图案时不会造成妨害，而且在高辉度照明下，电路图案也不易被看到的电极基板薄膜及其制法。解决手段为，具有透明基板52及金属制之积层细线的电极基板薄膜，其特征为：积层细线系具有由透明基板侧数来为第1层的膜厚为20nm以上30nm以下的金属吸收层51及第2层之金属层50，可见光波长区域(400~780nm)之金属吸收层的光学常数中，波长400nm的折射率为1.8~2.2、消光系数为1.8~2.4、波长500nm的折射率为2.2~2.7、消光系数为1.9~2.8、波长600nm的折射率为2.5~3.2、消光系数为1.9~3.1、波长700nm的折射率为2.7~3.6、消光系数为1.7~3.3、波长780nm的折射率为3.1~3.8、消光系数为1.5~3.4，透明基板与金属吸收层的界面反射所产生之可见光波长区域的最高反射率为40%以下。

8. 发明专利

TW202023334A 附金屬膜之樹脂薄膜的製造裝置及製造方法审中-公开
简体标题：附金属膜之树脂薄膜的制造设备及制造方法
公开(公告)号：TW202023334A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108135444
申请日：2019-10-01
申请人：日商住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：大上秀晴 , OKAMI, HIDEHARU
IPC分类号： H05K3/46 , H05K3/00 , B08B7/00 , B32B5/00
摘要： [課題] 提供一種在藉由濕式鍍敷法形成於金屬基底層上的金屬膜上難以產生針孔之附金屬膜之樹脂薄膜的製造裝置及製造方法。 [解決手段] 一種附金屬膜之樹脂薄膜的製造裝置，係具備︰長形樹脂薄膜放出卷600，利用真空成膜法成膜有金屬基底層的長形樹脂薄膜601係一邊在層間夾入長形插入紙603一邊捲繞；長形插入紙捲取卷602，從自該放出輥600放出的長形樹脂薄膜分離長形插入紙並捲取；及濕式鍍敷槽642~645，將已分離長形插入紙的長形樹脂薄膜搬入並在其金屬基底層上形成金屬膜；及長形樹脂薄膜捲取卷641，捲取形成有金屬膜的長形樹脂薄膜，其特徵為︰將已分離長形插入紙之長形樹脂薄膜的金屬基底層表面加以洗淨的大氣壓電漿洗淨裝置，係被設置於上述放出輥600與濕式鍍敷槽之間。
简体摘要： [课题] 提供一种在借由湿式镀敷法形成于金属基底层上的金属膜上难以产生针孔之附金属膜之树脂薄膜的制造设备及制造方法。 [解决手段] 一种附金属膜之树脂薄膜的制造设备，系具备︰长形树脂薄膜放出卷600，利用真空成膜法成膜有金属基底层的长形树脂薄膜601系一边在层间夹入长形插入纸603一边卷绕；长形插入纸卷取卷602，从自该放出辊600放出的长形树脂薄膜分离长形插入纸并卷取；及湿式镀敷槽642~645，将已分离长形插入纸的长形树脂薄膜搬入并在其金属基底层上形成金属膜；及长形树脂薄膜卷取卷641，卷取形成有金属膜的长形树脂薄膜，其特征为︰将已分离长形插入纸之长形树脂薄膜的金属基底层表面加以洗净的大气压等离子洗净设备，系被设置于上述放出辊600与湿式镀敷槽之间。

9. 发明专利

TWI668506B 電極基板薄膜及其製造方法有权
简体标题：电极基板薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI668506B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW104127615
申请日：2015-08-25
申请人：日商住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：大上秀晴 , OKAMI, HIDEHARU
IPC分类号： G02F1/1343

10. 发明专利

TWI668117B 積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等之製造方法有权
简体标题：积层体薄膜与电极基板薄膜及彼等之制造方法
公开(公告)号：TWI668117B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW104142396
申请日：2015-12-17
申请人：日商住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：大上秀晴 , OKAMI, HIDEHARU
IPC分类号： B32B7/02 , H01B5/14 , C23C28/02 , H01B13/00 , G06F3/041

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