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1. 发明专利

TW201512145A 有用於染料去除的半導體氧化物奈米管基複合粒子及其製法审中-公开
简体标题：有用于染料去除的半导体氧化物奈米管基复合粒子及其制法
公开(公告)号：TW201512145A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103117292
申请日：2014-05-16
申请人：科學與工業研究委員會 , COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH
发明人：蘇卡拉沙提亞傑特維許奴 , SHUKLA, SATYAJIT VISHNU , 潘迪哈塔亞禾瑞許 , PADINHATTAYIL, HAREESH , 納拉亞妮哈夏 , NARAYANI, HARSHA , 賈西馬奴 , JOSE, MANU , 卡如那卡瑞瑞亞 , KARUNAKARAN, REMYA
IPC分类号： C04B33/135 , C23C18/16 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B82B3/00 , B01J20/30 , B01J20/02 , B01J20/28 , C02F1/28 , C02F1/42 , C02F1/58 , C02F101/30
CPC分类号： B01J41/10 , B01J49/30 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09D9/00 , Y02W10/37
摘要：本發明說明一種有用於染料去除的半導體氧化物奈米管基複合粒子及其製法，其有關一種創新方法，涉及在黑暗條件下，水溶液中操作的離子交換機構，用於由半導體氧化物沉積在（或錨定至或貼附至）飛灰粒子及金屬氧化物（磁性及非磁性）奈米粒子之奈米管基組成的創新產物之加工。發現所得之微奈米及奈奈米結合複合粒子，經由表面吸附方法，在自水溶液和工業排放水去除有機合成染料之潛在應用，在黑暗條件下操作，涉及離子交換及靜電吸引機構。新穎複合粒子能經由一涉及貴金屬沉積的光觸媒或磁性可分離的磁性光觸媒的使用及曝露至紫外光或太陽輻射的創新方法，藉由分解先前吸附在其表面的染料，回收用於染料吸附的下一次循環。
简体摘要：本发明说明一种有用于染料去除的半导体氧化物奈米管基复合粒子及其制法，其有关一种创新方法，涉及在黑暗条件下，水溶液中操作的离子交换机构，用于由半导体氧化物沉积在（或锚定至或贴附至）飞灰粒子及金属氧化物（磁性及非磁性）奈米粒子之奈米管基组成的创新产物之加工。发现所得之微奈米及奈奈米结合复合粒子，经由表面吸附方法，在自水溶液和工业排放水去除有机合成染料之潜在应用，在黑暗条件下操作，涉及离子交换及静电吸引机构。新颖复合粒子能经由一涉及贵金属沉积的光触媒或磁性可分离的磁性光触媒的使用及曝露至紫外光或太阳辐射的创新方法，借由分解先前吸附在其表面的染料，回收用于染料吸附的下一次循环。

2. 发明专利

TW416984B 乙二胺四乙酸或其銨鹽之清除半導體製程中殘留物用之組成物及方法失效
简体标题：乙二胺四乙酸或其铵盐之清除半导体制程中残留物用之组成物及方法
公开(公告)号：TW416984B
公开(公告)日：2001-01-01
申请号：TW087104387
申请日：1998-03-23
申请人：依凱希科技公司
发明人：李威敏 , 不詳
IPC分类号： C11D
CPC分类号： B24B37/042 , B08B3/08 , C09D9/00 , C11D3/2058 , C11D3/2065 , C11D3/2086 , C11D3/30 , C11D3/3427 , C11D3/3472 , C11D3/43 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/267 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3227 , C11D7/3245 , C11D7/3254 , C11D7/3263 , C11D7/3272 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , C11D11/0052 , C23G1/103 , C23G1/205 , G03F7/42 , G03F7/425 , H01L21/02063 , H01L21/02071 , H01L21/31133 , H01L21/76814 , H01L21/76885
摘要：一種乙二胺四乙酸或其單一、二一、三一或四銨鹽5之殘留物清除組成物，其自積體電路基質移除光阻及其他殘留物。期望以水構成該組成物之其餘部分，以高純度去離子水為佳，或其他適當之極性溶劑。一種自諸如包括鈦金屬之積體電路半導體之基質移除光阻或其他殘留物之方法，其包括使該基質與該組成物接觸，時間及溫度係足以自基質移除光阻及其他殘留物。該乙二胺四乙酸或其單一、二一、三一或四銨鹽於該組成物中之用途，及種方法，其提供優越之殘留物移除效果而不攻擊位於基質上之鈦或其他金屬、氧化物或氮化物層。
简体摘要：一种乙二胺四乙酸或其单一、二一、三一或四铵盐5之残留物清除组成物，其自集成电路基质移除光阻及其他残留物。期望以水构成该组成物之其余部分，以高纯度去离子水为佳，或其他适当之极性溶剂。一种自诸如包括钛金属之集成电路半导体之基质移除光阻或其他残留物之方法，其包括使该基质与该组成物接触，时间及温度系足以自基质移除光阻及其他残留物。该乙二胺四乙酸或其单一、二一、三一或四铵盐于该组成物中之用途，及种方法，其提供优越之残留物移除效果而不攻击位于基质上之钛或其他金属、氧化物或氮化物层。

3. 发明专利

TW203092B 除去聚合塗料之組合物失效
简体标题：除去聚合涂料之组合物
公开(公告)号：TW203092B
公开(公告)日：1993-04-01
申请号：TW081104543
申请日：1992-06-10
申请人：陶氏化學國際有限公司
发明人：珍J.茲文塞曼
IPC分类号： C09D
CPC分类号： C09D9/00
摘要：一種組合物，其有助於自基質上除去聚合塗料，其包含：
(A) 重量百分率10％至99wt％之丙二醇或丁二醇二醚，如
式Ｉ：
R1O－（CH2－CHR3O）n－R2 (Ｉ)其中：
R1及R2各自獨立地為C1-C12－烷基；
R3每次各自獨立地為甲基或乙基；
ｎ為從１到４；
(B) 重量百分率90％至0 wt％之有機質子溶劑；
(C) 重量百分率30％至1 wt％之水，以(A)，(B)及(C)總
重量計。
該組合物不含大量氯化溶劑。
简体摘要：一种组合物，其有助于自基质上除去聚合涂料，其包含： (A) 重量百分率10％至99wt％之丙二醇或丁二醇二醚，如式Ｉ： R1O－（CH2－CHR3O）n－R2 (Ｉ)其中： R1及R2各自独立地为C1-C12－烷基； R3每次各自独立地为甲基或乙基；ｎ为从１到４； (B) 重量百分率90％至0 wt％之有机质子溶剂； (C) 重量百分率30％至1 wt％之水，以(A)，(B)及(C)总重量计。该组合物不含大量氯化溶剂。

4. 发明专利

TW200726819A 抗結皮化合物及含彼等之組合物 ANTISKINNING COMPOUND AND COMPOSITIONS CONTAINING THEM 审中-公开
简体标题：抗结皮化合物及含彼等之组合物 ANTISKINNING COMPOUND AND COMPOSITIONS CONTAINING THEM
公开(公告)号：TW200726819A
公开(公告)日：2007-07-16
申请号：TW095130990
申请日：2006-08-23
申请人：愛克瑪公司 ARKEMA INC.
发明人：尼可拉斯M 馬泰克 MARTYAK, NICHOLAS M. , 丹尼爾艾弗德二世 ALFORD, DANIEL JR.
IPC分类号： C09D , C08K
CPC分类号： C09D9/00 , C09D7/46
摘要：本發明係關於異抗壞血酸抗結皮劑,且亦係關於含有同時作為抗結皮劑及金屬乾燥劑共促進劑之異抗壞血酸物質的氧化乾燥油漆或塗佈組合物。
简体摘要：本发明系关于异抗坏血酸抗结皮剂,且亦系关于含有同时作为抗结皮剂及金属干燥剂共促进剂之异抗坏血酸物质的氧化干燥油漆或涂布组合物。

5. 发明专利

TWI262364B 含有芳香族酸抑制劑之光阻洗脫劑/清潔劑組合物 PHOTORESIST STRIPPER/CLEANER COMPOSITIONS CONTAINING AROMATIC ACID INHIBITORS 失效
简体标题：含有芳香族酸抑制剂之光阻洗脱剂/清洁剂组合物 PHOTORESIST STRIPPER/CLEANER COMPOSITIONS CONTAINING AROMATIC ACID INHIBITORS
公开(公告)号：TWI262364B
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：TW090123516
申请日：2001-09-25
申请人：氣體及化工產品公司 AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.
发明人：戴瑞爾 DARRY W. PETERS , 符洛得 FLOYD L. RIDDLE, JR.
IPC分类号： G03F , C11D , C23G
CPC分类号： C23G1/061 , C09D9/00 , C11D3/0073 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/3263 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , C23G1/06 , C23G1/18 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/31133
摘要：一種在半導體及微電路製造過程中，自金屬及介電質表面移除殘留物之洗脫及清潔組合物。該組合物係為包含有機極性溶劑之水性系統，包含有選自特定芳香族化合物之群的有效抑制量腐蝕性抑制劑成份。本發明自金屬及介電質表面移除殘留物之方法係包括使該金屬或介電質表面與前述受抑制之組合物接觸歷經足以移除該殘留物之時間的步驟。
简体摘要：一种在半导体及微电路制造过程中，自金属及介电质表面移除残留物之洗脱及清洁组合物。该组合物系为包含有机极性溶剂之水性系统，包含有选自特定芳香族化合物之群的有效抑制量腐蚀性抑制剂成份。本发明自金属及介电质表面移除残留物之方法系包括使该金属或介电质表面与前述受抑制之组合物接触历经足以移除该残留物之时间的步骤。

6. 发明专利

TWI223660B 聚合物之去除 POLYMER REMOVAL 失效
公开(公告)号：TWI223660B
公开(公告)日：2004-11-11
申请号：TW090107039
申请日：2001-03-26
申请人：希普列公司 SHIPLEY COMPANY, L.L.C.
发明人：傑飛德.J.薩巴瑞 JAVAD J. SAHBARI
IPC分类号： C09D
CPC分类号： H01L21/02071 , C09D9/00 , G03F7/425 , H01L21/31133 , Y10S134/902
摘要：揭示可用於由基材例如電子裝置去除聚合物料之組成物。本發明組成物特別適合用於去除來自電漿蝕刻製程之聚合物殘質。也揭示去除此種聚合物料之方法。
简体摘要：揭示可用于由基材例如电子设备去除聚合物料之组成物。本发明组成物特别适合用于去除来自等离子蚀刻制程之聚合物残质。也揭示去除此种聚合物料之方法。

7. 发明专利

TW350032B 塑膠透鏡硬覆膜之除去方法失效
简体标题：塑胶透镜硬覆膜之除去方法
公开(公告)号：TW350032B
公开(公告)日：1999-01-11
申请号：TW087102635
申请日：1998-02-24
申请人：朝日光學股份有限公司
发明人：加藤昌司
IPC分类号： G02B
CPC分类号： C09D9/00 , G02B1/10 , G02B1/105 , G02B1/14
摘要：一種將施有硬被覆膜之塑膠透鏡、特別是高折射率之塑膠透鏡的加工不良品再生成可再利用之狀態的有效方法，係對具有以有機矽氧烷系化合物及無機化合物為主要成分之硬覆膜的塑膠透鏡，以矽酸鹽及／或磷酸鹽的水溶液接觸者，以其中一個例子是用加溫到50℃之30％比例的磷酸三鈉水溶液噴洒5分鐘；如此不但可去除硬覆膜，而且不致使透鏡表面變得粗糙，而能再生成了再利用之狀態。
简体摘要：一种将施有硬被覆膜之塑胶透镜、特别是高折射率之塑胶透镜的加工不良品再生成可再利用之状态的有效方法，系对具有以有机硅氧烷系化合物及无机化合物为主要成分之硬覆膜的塑胶透镜，以硅酸盐及／或磷酸盐的水溶液接触者，以其中一个例子是用加温到50℃之30％比例的磷酸三钠水溶液喷洒5分钟；如此不但可去除硬覆膜，而且不致使透镜表面变得粗糙，而能再生成了再利用之状态。

8. 发明专利

TW233287B 一種淨化含pH隨水溶解度而定之組合物的廢水之方法失效
简体标题：一种净化含pH随水溶解度而定之组合物的废水之方法
公开(公告)号：TW233287B
公开(公告)日：1994-11-01
申请号：TW082107665
申请日：1993-09-18
申请人：豪華股份有限公司
发明人：湯姆士J.潘納茲
IPC分类号： C02F
CPC分类号： C09D9/00 , C02F1/66 , C09D11/02 , C11D1/04 , C11D3/18 , C11D3/382 , C11D11/0076
摘要：該方法包括於該組合物為水不溶性之pH塗敷該組合物之預備步驟，然後，用具有該組合物為水可溶或水可洗的pH值之洗液移除塗敷設備上的過量組合物，調節該洗液之pH至該組合物為水不溶性之pH，因而使該組合物產生沈澱且利用過濾或其他分離技術移除組合物。本發明亦關於工廠毛巾的淨化方法。
简体摘要：该方法包括于该组合物为水不溶性之pH涂敷该组合物之预备步骤，然后，用具有该组合物为水可溶或水可洗的pH值之洗液移除涂敷设备上的过量组合物，调节该洗液之pH至该组合物为水不溶性之pH，因而使该组合物产生沈淀且利用过滤或其他分离技术移除组合物。本发明亦关于工厂毛巾的净化方法。

9. 发明专利

TWI281487B 鈦腐蝕的抑制 INHIBITION OF TITANIUM CORROSION 失效
简体标题：钛腐蚀的抑制 INHIBITION OF TITANIUM CORROSION
公开(公告)号：TWI281487B
公开(公告)日：2007-05-21
申请号：TW090109022
申请日：2001-04-16
申请人： EKC科技有限公司 EKC TECHNOLOGY, LIMITED.
发明人：傑洛米‧大衛歐特 JEROME DAVIOT , 史丹利‧阿弗羅斯曼 STANLEY AFFRESSMAN , 道格拉斯‧賀姆斯 DOUGLAS HOLMES
IPC分类号： C09D , H01L
CPC分类号： H01L21/02071 , C09D9/00 , G03F7/425 , H01L21/02063 , H01L21/31138
摘要：一種用於自一基板移除抗蝕劑、聚合材料及/或蝕刻殘餘物的組成物，該基板包含鈦或其合金、該組成物包含羥胺或其衍生物，以及至少一化合物具如下所示之通式(I)：其中： R1以及R3為個別獨立選擇自H、OH、CO2H、鹵素、C1-C3烷基、C1-C3氧烷基或(CH2)nOH，其中n為1、2或3；且R2為擇自C9-C16烷基、或C9-C16氧烷基。
简体摘要：一种用于自一基板移除抗蚀剂、聚合材料及/或蚀刻残余物的组成物，该基板包含钛或其合金、该组成物包含羟胺或其衍生物，以及至少一化合物具如下所示之通式(I)：其中： R1以及R3为个别独立选择自H、OH、CO2H、卤素、C1-C3烷基、C1-C3氧烷基或(CH2)nOH，其中n为1、2或3；且R2为择自C9-C16烷基、或C9-C16氧烷基。

10. 发明专利

TW200705128A 剝離劑組合物审中-公开
简体标题：剥离剂组合物
公开(公告)号：TW200705128A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW095120497
申请日：2006-06-09
申请人：花王股份有限公司 KAO CORPORATION
发明人：宮本定治 MIYAMOTO, SADAHARU , 佐佐木靖 SASAKI, YASUSHI
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： C09D9/00 , C11D7/08 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , G03F7/425 , H01L21/02071 , Y10S134/902
摘要：本發明提供一種剝離劑組合物,其含有1,3–丙二胺(a)、1–羥基乙叉–1,1–二膦酸(b)及水,成分(a)之含量為0.2-30重量%,成分(b)之含量為0.05-10重量%,水之含量為60-99.75重量%,於20℃時之該組合物之pH値為9-13;以及一種剝離劑組合物,其含有有機胺(A)、有機膦酸(B)、直鏈糖醇(C)及水,成分(A)之含量為0.2-30重量%,成分(B)之含量為0.05-10重量%,成分(C)之含量為0.1-10重量%,水之含量為50-99.65重量%,於20℃時之該組合物之pH値為9-13。
简体摘要：本发明提供一种剥离剂组合物,其含有1,3–丙二胺(a)、1–羟基乙叉–1,1–二膦酸(b)及水,成分(a)之含量为0.2-30重量%,成分(b)之含量为0.05-10重量%,水之含量为60-99.75重量%,于20℃时之该组合物之pH値为9-13;以及一种剥离剂组合物,其含有有机胺(A)、有机膦酸(B)、直链糖醇(C)及水,成分(A)之含量为0.2-30重量%,成分(B)之含量为0.05-10重量%,成分(C)之含量为0.1-10重量%,水之含量为50-99.65重量%,于20℃时之该组合物之pH値为9-13。

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