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1. 发明专利

TW201807256A 用於蝕刻以鈦為主之材料的溶液及方法审中-公开
简体标题：用于蚀刻以钛为主之材料的溶液及方法
公开(公告)号：TW201807256A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106110612
申请日：2017-03-29
申请人：法國技術公司 , TECHNIC FRANCE
发明人：皮利堤克莉絲汀 , PIZZETTI, CHRISTIAN , 卡利斯瑪倫尼 , CAZES, MARINE , 多弗亞特傑若米 , DAVIOT, JEROME , 維尼恩飛利浦 , VERNIN, PHILIPPE
IPC分类号： C23F1/38 , C23F1/44 , C09K13/02 , H01L21/3213
CPC分类号： C23F1/38 , C09K13/02 , C23G1/205 , H01L21/32134
摘要：本發明係有關於一種用於蝕刻以鈦為主之材料的溶液，其包含從約27重量%至約 39重量%之過氧化氫，從約0.2重量%至約0.5重量%之氫氧化鉀，及於約0.002重量%至約0.02重量%之1,2-二胺基環己烷-N,N,N,N四乙酸(CDTA)，剩餘係水，該溶液不包含腐蝕抑制劑，且該溶液具有包含約7與約8之間的pH。本發明進一步係有關於一種用於製備此一溶液的化學組成物，其係藉由使該組成物與濃縮過氧化氫混合，該化學組成物包含從約5重量%至約30重量%之氫氧化鉀，該氫氧化鉀濃度之範圍從約1%至約5%的濃度之C.D.T.A.，剩餘係水。本發明亦係有關於一種使一鈦、氮化鈦或鈦鎢障壁層自一微電子裝置蝕刻的方法，該方法包含使此鈦、氮化鈦或鈦鎢障壁層與此溶液接觸足以移除此鈦、氮化鈦或鈦鎢障壁層之一時間。
简体摘要：本发明系有关于一种用于蚀刻以钛为主之材料的溶液，其包含从约27重量%至约 39重量%之过氧化氢，从约0.2重量%至约0.5重量%之氢氧化钾，及于约0.002重量%至约0.02重量%之1,2-二胺基环己烷-N,N,N,N四乙酸(CDTA)，剩余系水，该溶液不包含腐蚀抑制剂，且该溶液具有包含约7与约8之间的pH。本发明进一步系有关于一种用于制备此一溶液的化学组成物，其系借由使该组成物与浓缩过氧化氢混合，该化学组成物包含从约5重量%至约30重量%之氢氧化钾，该氢氧化钾浓度之范围从约1%至约5%的浓度之C.D.T.A.，剩余系水。本发明亦系有关于一种使一钛、氮化钛或钛钨障壁层自一微电子设备蚀刻的方法，该方法包含使此钛、氮化钛或钛钨障壁层与此溶液接触足以移除此钛、氮化钛或钛钨障壁层之一时间。

3. 发明专利

TWI509108B 反應器表面的選擇性蝕刻有权
简体标题：反应器表面的选择性蚀刻
公开(公告)号：TWI509108B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW099112156
申请日：2010-04-19
申请人： ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
发明人：瑞格哈瓦斯里尼 , RAGHAVAN, SRINI , 雪洛艾立克 , SHERO, ERIC , 維埃茲莫西斯 , VERGHESE, MOHITH
IPC分类号： C23F1/32 , C23F1/36 , C23F1/38 , C23F11/06
CPC分类号： C09K13/02 , C11D7/06 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D11/0041 , C23C16/4405 , C23C16/4407 , C23C16/45525 , C23G1/18 , C23G1/205 , C23G1/22

4. 发明专利

TW201435083A 半導體元件用清洗液及利用此清洗液之清洗方法审中-公开
简体标题：半导体组件用清洗液及利用此清洗液之清洗方法
公开(公告)号：TW201435083A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102144061
申请日：2013-12-02
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：島田憲司 , SHIMADA, KENJI , 濱田文哉 , HAMADA, FUMIYA , 尾家俊行 , OIE, TOSHIYUKI , 中山亮太 , NAKAYAMA, RYOTA , 大戶秀 , OHTO, MASARU
IPC分类号： C11D7/00 , C01B15/01 , C07C211/62 , C01D1/04 , C01B25/45 , B08B7/00 , H01L21/306
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/3947 , C11D7/04 , C11D7/06 , C11D7/3209 , C11D7/36 , C23G1/20 , C23G1/205 , G03F7/0752 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/02063 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/76814 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：依本發明之理想態樣，藉由以含有過氧化氫10~30質量%、4級銨氫氧化物0.005~10質量%、氫氧化鉀0.005~5質量%、胺基聚亞甲基膦酸0.000005~0.005質量%及水之清洗液進行清洗，能不腐蝕低介電率層間絕緣膜、銅或銅合金等配線材料、阻隔金屬及阻隔絕緣膜，而去除硬遮罩、有機矽氧烷系薄膜、乾蝕刻殘渣及光阻。又，依本發明之理想態樣，即使於清洗液中添加了酸的情形仍能抑制銅配線之受損，即使於清洗液中添加鈦的情形仍不發生的過氧化氫的多量分解。
简体摘要：依本发明之理想态样，借由以含有过氧化氢10~30质量%、4级铵氢氧化物0.005~10质量%、氢氧化钾0.005~5质量%、胺基聚亚甲基膦酸0.000005~0.005质量%及水之清洗液进行清洗，能不腐蚀低介电率层间绝缘膜、铜或铜合金等配线材料、阻隔金属及阻隔绝缘膜，而去除硬遮罩、有机硅氧烷系薄膜、干蚀刻残渣及光阻。又，依本发明之理想态样，即使于清洗液中添加了酸的情形仍能抑制铜配线之受损，即使于清洗液中添加钛的情形仍不发生的过氧化氢的多量分解。

5. 发明专利

TWI460310B 鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或此等之氮化物的蝕刻液有权
简体标题：钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或此等之氮化物的蚀刻液
公开(公告)号：TWI460310B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW098128864
申请日：2009-08-27
申请人：昭和電工股份有限公司 , SHOWA DENKO K. K.
发明人：佐藤浩之介 , SATO, HIRONOSUKE , 齊藤康夫 , SAITO, YASUO
IPC分类号： C23F1/26
CPC分类号： C23F1/38 , C23F1/44 , C23G1/205 , H01L21/32134

6. 发明专利

TW201411712A 蝕刻方法、半導體基板製品的製造方法及使用該方法的半導體元件的製造方法、以及蝕刻液調製用套組审中-公开
简体标题：蚀刻方法、半导体基板制品的制造方法及使用该方法的半导体组件的制造方法、以及蚀刻液调制用套组
公开(公告)号：TW201411712A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102125850
申请日：2013-07-19
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA , 稲葉正 , INABA, TADASHI , 室祐継 , MURO, NAOTSUGU , 西脇良典 , NISHIWAKI, YOSHINORI
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30604 , C09K13/00 , C09K13/02 , C09K13/06 , C23F1/00 , C23F1/02 , C23F1/14 , C23F1/26 , C23F1/38 , C23F1/44 , C23G1/106 , C23G1/205 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/6704
摘要：一種半導體基板的蝕刻方法，包含以下步驟：藉由混合第一液體與第二液體來調製蝕刻液至pH在8.5至14的範圍，第一液體包含鹼性化合物，第二液體包含氧化劑；然後適時塗覆蝕刻液至半導體基板，以蝕刻在半導體基板內或上的含Ti層。
简体摘要：一种半导体基板的蚀刻方法，包含以下步骤：借由混合第一液体与第二液体来调制蚀刻液至pH在8.5至14的范围，第一液体包含碱性化合物，第二液体包含氧化剂；然后适时涂覆蚀刻液至半导体基板，以蚀刻在半导体基板内或上的含Ti层。

7. 发明专利

TW201014927A 鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或此等之氮化物的蝕刻液审中-公开
简体标题：钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或此等之氮化物的蚀刻液
公开(公告)号：TW201014927A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW098128864
申请日：2009-08-27
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：佐藤浩之介 , 齊藤康夫
IPC分类号： C23F
CPC分类号： C23F1/38 , C23F1/44 , C23G1/205 , H01L21/32134
摘要：本發明為含有過氧化氫、有機酸鹽及水之鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或該等之氮化物的蝕刻液。藉由使用該蝕刻液可獲得抑制發泡而可均一地蝕刻鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或該等之氮化物，且對鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬以外的金屬或基板材料之選擇蝕刻性優異之蝕刻液。
简体摘要：本发明为含有过氧化氢、有机酸盐及水之钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或该等之氮化物的蚀刻液。借由使用该蚀刻液可获得抑制发泡而可均一地蚀刻钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或该等之氮化物，且对钛系金属、钨系金属、钛钨系金属以外的金属或基板材料之选择蚀刻性优异之蚀刻液。

8. 发明专利

TWI304612B 自加工室組件清除含鉭沈積物的方法 CLEANING TANTALUM-CONTAINING DEPOSITS FROM PROCESS CHAMBER COMPONENTS 有权
简体标题：自加工室组件清除含钽沉积物的方法 CLEANING TANTALUM-CONTAINING DEPOSITS FROM PROCESS CHAMBER COMPONENTS
公开(公告)号：TWI304612B
公开(公告)日：2008-12-21
申请号：TW093114915
申请日：2004-05-26
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：布魯克奈卡爾 BRUECKNER, KARL , 王虹 WANG, HONG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C14/564 , B08B3/08 , C22B3/065 , C22B7/007 , C22B34/24 , C23C16/4407 , C23F1/44 , C23F1/46 , C23G1/086 , C23G1/103 , C23G1/106 , C23G1/125 , C23G1/19 , C23G1/205 , C23G1/22 , C23G1/36 , Y02P10/234
摘要：一種自加工室組件表面清除含鉭沉積物之方法,該方法係包含:令該組件表面浸泡入一包含氫氟酸(HF)對比硝酸(HNO3)重量比例是大約1:8-1:30之清洗溶液。於另一個實例中,該清洗溶液具有一氫氧化鉀(KOH)對比過氧化氫(H2O2)莫耳比例是大約6:1-10:1。於尚有另一個適合用以清洗銅表面之實例中,該清洗溶液具有一氫氟酸(HF)對比一氧化劑莫耳比例是至少大約6:1。本發明方法能夠在實質不侵蝕該表面之下自該表面移除該含鉭沉積物。
简体摘要：一种自加工室组件表面清除含钽沉积物之方法,该方法系包含:令该组件表面浸泡入一包含氢氟酸(HF)对比硝酸(HNO3)重量比例是大约1:8-1:30之清洗溶液。于另一个实例中,该清洗溶液具有一氢氧化钾(KOH)对比过氧化氢(H2O2)莫耳比例是大约6:1-10:1。于尚有另一个适合用以清洗铜表面之实例中,该清洗溶液具有一氢氟酸(HF)对比一氧化剂莫耳比例是至少大约6:1。本发明方法能够在实质不侵蚀该表面之下自该表面移除该含钽沉积物。

9. 发明专利

TW201040318A 反應器表面的選擇性蝕刻 SELECTIVE ETCHING OF REACTOR SURFACES 审中-公开
简体标题：反应器表面的选择性蚀刻 SELECTIVE ETCHING OF REACTOR SURFACES
公开(公告)号：TW201040318A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099112156
申请日：2010-04-19
申请人： ASM美國股份有限公司
发明人：瑞格哈瓦斯里尼 , 雪洛艾立克 , 維埃茲莫西斯
IPC分类号： C23F
CPC分类号： C09K13/02 , C11D7/06 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D11/0041 , C23C16/4405 , C23C16/4407 , C23C16/45525 , C23G1/18 , C23G1/205 , C23G1/22
摘要：本發明提供組成物、方法及系統，其允許選擇性蝕刻反應器金屬部件（例如鈦及/或鈦合金）上之金屬氧化物。所述蝕刻組成物包括鹼金屬氫氧化物及五倍子酸。所述方法適用於清潔用以沈積諸如氧化鋁之金屬氧化物膜的反應室。
简体摘要：本发明提供组成物、方法及系统，其允许选择性蚀刻反应器金属部件（例如钛及/或钛合金）上之金属氧化物。所述蚀刻组成物包括碱金属氢氧化物及五倍子酸。所述方法适用于清洁用以沉积诸如氧化铝之金属氧化物膜的反应室。

10. 发明专利

TWI261930B 需要非蒸發性吸氣材料以供運作之裝置的製造方法 PROCESS FOR MANUFACTURING DEVICES WHICH REQUIRE A NON EVAPORABLE GETTER MATERIAL FOR THEIR WORKING 有权
简体标题：需要非蒸发性吸气材料以供运作之设备的制造方法 PROCESS FOR MANUFACTURING DEVICES WHICH REQUIRE A NON EVAPORABLE GETTER MATERIAL FOR THEIR WORKING
公开(公告)号：TWI261930B
公开(公告)日：2006-09-11
申请号：TW093134335
申请日：2004-11-10
申请人：沙斯格特斯有限公司 SAES GETTERS S.P.A.
发明人：馬可摩拉亞 MORAJA, MARCO , 馬可艾米歐堤 AMIOTTI, MARCO , 科斯坦薩爪葛尼 DRAGONI, COSTANZA , 瑪西摩帕拉第諾 PALLADINO, MASSIMO
IPC分类号： H01L , G01J
CPC分类号： B81C1/00285 , C23C14/5846 , C23G1/106 , C23G1/205
摘要：要揭示一種可簡化裝置（20；30）的製造之方法，該裝置內的支撐件（22；33）上含非蒸發性吸氣材料（17；32）的沈積物，該支撐件可能是同一裝置的內壁。該方法包含利用具至少一種酸或鹼溶液處理含吸氣材料的支撐件之作業。
简体摘要：要揭示一种可简化设备（20；30）的制造之方法，该设备内的支撑件（22；33）上含非蒸发性吸气材料（17；32）的沉积物，该支撑件可能是同一设备的内壁。该方法包含利用具至少一种酸或碱溶液处理含吸气材料的支撑件之作业。

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