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1. 发明专利

TWI616275B 用於一風力渦輪機之一大輪廓元件之自動表面處理的方法及處理系統有权
简体标题：用于一风力涡轮机之一大轮廓组件之自动表面处理的方法及处理系统
公开(公告)号：TWI616275B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW102136826
申请日：2013-10-11
申请人：渥班資產公司 , WOBBEN PROPERTIES GMBH
发明人：黑利格陶比亞斯 , HEILIG, TOBIAS , 詹班伊果 , 沃夫恩斯特裘俊
IPC分类号： B24B19/14 , F03D1/06
CPC分类号： B24B19/14 , B24B19/26 , B24B27/0007 , B24B49/00 , B24B51/00 , Y02E10/721 , Y10T29/49325

2. 发明专利

TWI574790B 磨光方法有权
公开(公告)号：TWI574790B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW105102023
申请日：2008-12-01
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：高橋圭瑞 , TAKAHASHI, TAMAMI , 關正也 , SEKI, MASAYA , 草宏明 , KUSA, HIROAKI , 山口健二 , YAMAGUCHI, KENJI , 中西正行 , NAKANISHI, MASAYUKI
IPC分类号： B24B9/00 , B24B21/16
CPC分类号： B24B21/002 , B24B9/065 , B24B21/004 , B24B21/008 , B24B21/20 , B24B27/0076 , B24B37/042 , B24B37/30 , B24B41/068 , B24B49/00 , Y10T428/24777

3. 发明专利

TWI558503B 薄板狀工件之研磨方法及雙頭平面磨床有权
简体标题：薄板状工件之研磨方法及双头平面磨床
公开(公告)号：TWI558503B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW101108994
申请日：2012-03-16
申请人：光洋機械工業股份有限公司 , KOYO MACHINE INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：芝中篤志 , SHIBANAKA, ATSUSHI
IPC分类号： B24B49/03 , B24B7/17
CPC分类号： B24B1/00 , B24B7/17 , B24B7/228 , B24B27/0076 , B24B41/06 , B24B49/00

4. 发明专利

TWI522206B 磨光裝置有权
简体标题：磨光设备
公开(公告)号：TWI522206B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW097146555
申请日：2008-12-01
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：高橋圭瑞 , TAKAHASHI, TAMAMI , 關正也 , SEKI, MASAYA , 草宏明 , KUSA, HIROAKI , 山口健二 , YAMAGUCHI, KENJI , 中西正行 , NAKANISHI, MASAYUKI
IPC分类号： B24B9/00 , B24B21/16
CPC分类号： B24B21/002 , B24B9/065 , B24B21/004 , B24B21/008 , B24B21/20 , B24B27/0076 , B24B37/042 , B24B37/30 , B24B41/068 , B24B49/00 , Y10T428/24777

5. 发明专利

TW201603944A 硏磨裝置及硏磨方法审中-公开
简体标题：研磨设备及研磨方法
公开(公告)号：TW201603944A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104108733
申请日：2015-03-19
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：西村好信 , NISHIMURA, YOSHINOBU
IPC分类号： B24B37/08 , H01L21/304
CPC分类号： B24B49/00 , B24B7/17 , B24B7/228 , B24B37/08 , B24B41/047 , B24B49/02 , G01B21/22 , H01L21/304
摘要：提供一種不會降低生產效率及良品率，並可掌握移動部之異常狀態的雙頭研磨加工裝置。雙頭研磨加工裝置1包括：主軸驅動部30，係使可安裝砂輪10之主軸31轉動；移動部90，係使主軸驅動部30在接近、遠離晶圓W之方向移動；以及傾斜量測部60，係測量主軸驅動30部之移動所伴隨之主軸31之傾斜的變化。
简体摘要：提供一种不会降低生产效率及良品率，并可掌握移动部之异常状态的双头研磨加工设备。双头研磨加工设备1包括：主轴驱动部30，系使可安装砂轮10之主轴31转动；移动部90，系使主轴驱动部30在接近、远离晶圆W之方向移动；以及倾斜量测部60，系测量主轴驱动30部之移动所伴随之主轴31之倾斜的变化。

6. 发明专利

TW201529234A 磨光方法审中-公开
公开(公告)号：TW201529234A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW104112185
申请日：2008-12-01
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：高橋圭瑞 , TAKAHASHI, TAMAMI , 關正也 , SEKI, MASAYA , 草宏明 , KUSA, HIROAKI , 山口健二 , YAMAGUCHI, KENJI , 中西正行 , NAKANISHI, MASAYUKI
IPC分类号： B24B9/00 , B24B21/16
CPC分类号： B24B21/002 , B24B9/065 , B24B21/004 , B24B21/008 , B24B21/20 , B24B27/0076 , B24B37/042 , B24B37/30 , B24B41/068 , B24B49/00 , Y10T428/24777
摘要：本發明提供一種磨光基板周邊的磨光裝置。此磨光裝置包含旋轉夾持機構使該基板保持水平並且旋轉該基板，設於該基板附近之複數個磨光頭組合件，複數個供帶及收帶機構以供給磨光帶給該複數個磨光頭組合件並且自該複數個磨光頭組合件回收該等磨光帶，以及複數個移動機構使該複數個磨光頭組合件向該旋轉夾持機構所夾持之該基板之徑向移動。該等供帶及收帶機構係沿著該基板徑向設置於該複數個磨光頭組合件之外，而該供帶及收帶機構則固定於適當位置。
简体摘要：本发明提供一种磨光基板周边的磨光设备。此磨光设备包含旋转夹持机构使该基板保持水平并且旋转该基板，设于该基板附近之复数个磨光头组合件，复数个供带及收带机构以供给磨光带给该复数个磨光头组合件并且自该复数个磨光头组合件回收该等磨光带，以及复数个移动机构使该复数个磨光头组合件向该旋转夹持机构所夹持之该基板之径向移动。该等供带及收带机构系沿着该基板径向设置于该复数个磨光头组合件之外，而该供带及收带机构则固定于适当位置。

7. 发明专利

TWI491466B 離心桶研磨裝置有权
简体标题：离心桶研磨设备
公开(公告)号：TWI491466B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW099143439
申请日：2010-12-13
申请人：新東工業股份有限公司 , SINTOKOGIO, LTD.
发明人：田中槙二 , TANAKA, SHINJI , 德升智宏 , TOKUMASU, TOMOHIRO , 羽鳥左一郎 , HATORI, SAICHIRO
IPC分类号： B24B31/033
CPC分类号： B24B31/0218 , B24B31/033 , B24B49/00

8. 发明专利

TW201008703A 砂輪研磨參數之估計方法审中-公开
简体标题：砂轮研磨参数之估计方法
公开(公告)号：TW201008703A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW097132734
申请日：2008-08-27
申请人：中國鋼鐵股份有限公司
发明人：吳崇勇 , 陳國華 , 王俊志 , 張煌權
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B1/00 , B24B5/04 , B24B49/00
摘要：本發明之砂輪研磨參數之估計方法僅需進行一次研磨製程，由量測工件表面之第一圈螺旋磨削紋路之一第一寬度及一第二寬度，及相對於該第一寬度及該第二寬度位置之一第一及一第二磨削深度，即可同時獲得磨耗比以及影響研磨過程動態特性之工件研磨剛性、砂輪表面接觸剛性及砂輪磨耗剛性。藉此，使用者可輕易地評估砂輪品質、工件特性及研磨動態系統之穩定性，以解決研磨顫振之問題，並且利於研磨管理人員判斷砂輪是否符合所需。
简体摘要：本发明之砂轮研磨参数之估计方法仅需进行一次研磨制程，由量测工件表面之第一圈螺旋磨削纹路之一第一宽度及一第二宽度，及相对于该第一宽度及该第二宽度位置之一第一及一第二磨削深度，即可同时获得磨耗比以及影响研磨过程动态特性之工件研磨刚性、砂轮表面接触刚性及砂轮磨耗刚性。借此，用户可轻易地评估砂轮品质、工件特性及研磨动态系统之稳定性，以解决研磨颤振之问题，并且利于研磨管理人员判断砂轮是否符合所需。

9. 发明专利

TW200736418A 藉由調節導電墊上之掃掠行程的條件來調整移除行程 REMOVAL PROFILE TUNING BY ADJUSTING CONDITIONING SWEEP PROFILE ON A CONDUCTIVE PAD 审中-公开
简体标题：借由调节导电垫上之扫掠行程的条件来调整移除行程 REMOVAL PROFILE TUNING BY ADJUSTING CONDITIONING SWEEP PROFILE ON A CONDUCTIVE PAD
公开(公告)号：TW200736418A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW096102695
申请日：2007-01-24
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：杜天保 DU, TIANBAO , 劉鳳全 LIU, FENG Q. , 羽潔美 YU MAY , 杜布斯特艾倫 DUBOUST, ALAIN , 許偉勇 HSU, WEI-YUNG
IPC分类号： C25F
CPC分类号： B23H5/08 , B24B49/00 , B24B53/017
摘要：本發明係揭示一種研磨製程期間控制材料自基材之移除率的方法。於一實施例中,會判定該基材的預研磨輪廓並依據該輪廓調整研磨墊調整參數。諸如調整頭部掃掠範圍及頻率、及調整元件下壓力以及每分鐘轉速等參數也可作調整來選擇性調整襯墊部分,以維持襯墊最佳的研磨狀態。
简体摘要：本发明系揭示一种研磨制程期间控制材料自基材之移除率的方法。于一实施例中,会判定该基材的预研磨轮廓并依据该轮廓调整研磨垫调整参数。诸如调整头部扫掠范围及频率、及调整组件下压力以及每分钟转速等参数也可作调整来选择性调整衬垫部分,以维持衬垫最佳的研磨状态。

10. 发明专利

TWI279871B 銅線路模組控制 COPPER WIRING MODULE CONTROL 失效
简体标题：铜线路模块控制 COPPER WIRING MODULE CONTROL
公开(公告)号：TWI279871B
公开(公告)日：2007-04-21
申请号：TW092106551
申请日：2003-03-24
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：阿魯庫馬 P. 山姆卡森卓門 ARULKUMAR P. SHANMUGASUNDRAM , 蘇凱土 A. 派瑞克 SUKETU A. PARIKH
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B24B37/042 , B24B49/00 , C23F3/00 , H01L21/2885 , H01L21/67253 , H01L21/67276 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明為用以於晶圓處理時，控制一輸出特性的技術，包含傳遞前饋及回饋資訊於晶圓製造設施之功能單元之間。本發明之至少部份實施例想出實施此等技術於一銅配線模組中，以最佳化片電阻或內連線電阻。開始時，一第一晶圓特性係被一電鍍處理中，於處理時或處理後加以量測。隨後，晶圓被前傳至一研磨處理。一第二晶圓特性然後被第二處理中，於處理時或處理後加以量測。至少第一及第二晶圓特性之一係用以最佳化該第二處理。明確地說，第二處理程式之一或更多目標參數係被調整，以藉由使用第一及第二晶圓特性，以在晶圓上，取得想要之最終輸出特性。可以於第一處理量測之晶圓特性的例子包含厚度分佈情形、緣排除資訊、片電阻分佈情形、反射能力、電阻率下降、及反射率。可以於第二處理加以量測之晶圓特性例包含銅清除時間、反射能力、厚度及一電特性。
简体摘要：本发明为用以于晶圆处理时，控制一输出特性的技术，包含传递前馈及回馈信息于晶圆制造设施之功能单元之间。本发明之至少部份实施例想出实施此等技术于一铜配线模块中，以最优化片电阻或内连接电阻。开始时，一第一晶圆特性系被一电镀处理中，于处理时或处理后加以量测。随后，晶圆被前传至一研磨处理。一第二晶圆特性然后被第二处理中，于处理时或处理后加以量测。至少第一及第二晶圆特性之一系用以最优化该第二处理。明确地说，第二处理进程之一或更多目标参数系被调整，以借由使用第一及第二晶圆特性，以在晶圆上，取得想要之最终输出特性。可以于第一处理量测之晶圆特性的例子包含厚度分布情形、缘排除信息、片电阻分布情形、反射能力、电阻率下降、及反射率。可以于第二处理加以量测之晶圆特性例包含铜清除时间、反射能力、厚度及一电特性。

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