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1. 发明专利

TW201531188A 接合體及功率模組用基板审中-公开
简体标题：接合体及功率模块用基板
公开(公告)号：TW201531188A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103128291
申请日：2014-08-18
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：寺伸幸 , TERASAKI, NOBUYUKI , 長友義幸 , NAGATOMO, YOSHIYUKI
IPC分类号： H05K3/38 , H01L23/15 , H01L25/00 , H05K3/20 , C04B37/02
CPC分类号： B23K26/324 , B23K26/0006 , B23K26/32 , B23K26/322 , B23K35/0222 , B23K35/0238 , B23K35/025 , B23K35/262 , B23K35/286 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K2203/08 , C04B37/026 , C04B2237/121 , C04B2237/122 , C04B2237/124 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/58 , C22C9/00 , C22C9/02 , H01L21/4882 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L2224/32225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之接合體係由陶瓷所成之陶瓷構件、及由Cu或Cu合金所成之Cu構件透過Cu-P-Sn系硬焊材及Ti材而相接合的接合體，其係在前述陶瓷構件與前述Cu構件的接合界面形成有：位於前述陶瓷構件側，Sn固溶在Cu中的Cu-Sn層；及位於前述Cu構件與前述Cu-Sn層之間的Ti層，在前述Cu構件與前述Ti層之間，形成有由Cu與Ti所成之第一金屬間化合物層，在前述Cu-Sn層與前述Ti層之間，形成有含有P的第二金屬間化合物層。
简体摘要：本发明之接合体系由陶瓷所成之陶瓷构件、及由Cu或Cu合金所成之Cu构件透过Cu-P-Sn系硬焊材及Ti材而相接合的接合体，其系在前述陶瓷构件与前述Cu构件的接合界面形成有：位于前述陶瓷构件侧，Sn固溶在Cu中的Cu-Sn层；及位于前述Cu构件与前述Cu-Sn层之间的Ti层，在前述Cu构件与前述Ti层之间，形成有由Cu与Ti所成之第一金属间化合物层，在前述Cu-Sn层与前述Ti层之间，形成有含有P的第二金属间化合物层。

2. 发明专利

TWI492888B 具有耐磨抗蝕之內部包覆的流體容器有权
简体标题：具有耐磨抗蚀之内部包覆的流体容器
公开(公告)号：TWI492888B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW101115309
申请日：2012-04-27
申请人：伊登公司 , EATON CORPORATION
发明人：齊里安麥可李 , KILLIAN, MICHAEL LEE , 特魯布洛斯基約翰 , TRUBLOWSKI, JOHN , 洛克里斯多夫S , RAU, CHRISTOPHER S. , 泰嵐德瑞克R , THELEN, DEREK R.
IPC分类号： B65D8/22 , B23K26/20
CPC分类号： B01D35/30 , B23K26/0823 , B23K26/144 , B23K26/32 , B23K26/342 , B23K31/02 , B23K35/0244 , B23K35/3033 , B23K35/3046 , B23K35/32 , B23K2201/06 , B23K2201/34 , B23K2201/35 , B23K2203/02 , B23K2203/04 , B23K2203/05 , B23K2203/06 , B23K2203/08 , B23K2203/18 , B23K2203/26 , B23K2203/50

3. 发明专利

TW201350242A 雷射包覆表面處理审中-公开
简体标题：激光包覆表面处理
公开(公告)号：TW201350242A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102110535
申请日：2013-03-25
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：布朗寧露西E , BROWNING, LUCY E. , 普爾喬瑟夫C , POOLE, JOSEPH C. , 普瑞斯克里斯多夫D , PREST, CHRISTOPHER D. , 塞德斯基史蒂芬P , ZADESKY, STEPHEN P.
IPC分类号： B23K26/20 , H05K5/04
CPC分类号： H05K5/04 , B23K26/0861 , B23K26/0884 , B23K26/32 , B23K26/34 , B23K2201/36 , B23K2203/02 , B23K2203/04 , B23K2203/05 , B23K2203/08 , B23K2203/10 , B23K2203/14 , B23K2203/15 , B23K2203/16 , B23K2203/18 , B23K2203/26 , B23K2203/50 , Y10T29/49982 , Y10T29/49984
摘要：一種金屬罩殼具有使用一雷射包覆製程藉由一包覆材料塗佈之一表面區域。該金屬罩殼可形成一電子裝置外殼之至少一部分。可以包覆材料來塗佈該罩殼之一或多個表面的全部或部分。包覆材料之該塗層可在該罩殼之選擇性區域處變化以在此等區域處提供不同結構性質。包覆材料之該塗層可在選擇性區域處變化以提供裝飾外觀之反差。
简体摘要：一种金属罩壳具有使用一激光包覆制程借由一包覆材料涂布之一表面区域。该金属罩壳可形成一电子设备外壳之至少一部分。可以包覆材料来涂布该罩壳之一或多个表面的全部或部分。包覆材料之该涂层可在该罩壳之选择性区域处变化以在此等区域处提供不同结构性质。包覆材料之该涂层可在选择性区域处变化以提供装饰外观之反差。

4. 发明专利

TW201201943A 脈衝雷射裝置、透明構件熔接方法及透明構件熔接裝置审中-公开
简体标题：脉冲激光设备、透明构件熔接方法及透明构件熔接设备
公开(公告)号：TW201201943A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100108709
申请日：2011-03-15
申请人：愛信精機股份有限公司
发明人：太田道春
IPC分类号： B23K
CPC分类号： B23K26/324 , B23K26/0624 , B23K26/0652 , B23K26/244 , B23K26/26 , B23K26/32 , B23K2203/54 , C03B23/20
摘要： [課題]提供一種可進行透明材料之熔接且輸出雷射脈衝的廉價的脈衝雷射裝置。[解決手段]本發明係一種脈衝雷射裝置，其特徵為具有：雷射光源(1)，其係輸出反覆脈衝雷射；分波器(2)，其係將由雷射光源(1)所被輸出的脈衝雷射分波為二個脈衝雷射；第1脈衝列生成手段(3)，其係變更以分波器(2)所被分波的二個脈衝雷射的其中一方脈衝雷射的至少峰值功率及/或脈衝寬度而生成第1脈衝列；及合波器(4)，其係將以分波器(2)所被分波的二個脈衝雷射的另一方脈衝雷射、與以第1脈衝列生成手段(3)所生成的第1脈衝列進行合波，輸出在高峰值功率超短脈衝雷射重疊低峰值功率脈衝雷射而成的脈衝雷射。
简体摘要： [课题]提供一种可进行透明材料之熔接且输出激光脉冲的廉价的脉冲激光设备。[解决手段]本发明系一种脉冲激光设备，其特征为具有：激光光源(1)，其系输出反复脉冲激光；分波器(2)，其系将由激光光源(1)所被输出的脉冲激光分波为二个脉冲激光；第1脉冲列生成手段(3)，其系变更以分波器(2)所被分波的二个脉冲激光的其中一方脉冲激光的至少峰值功率及/或脉冲宽度而生成第1脉冲列；及合波器(4)，其系将以分波器(2)所被分波的二个脉冲激光的另一方脉冲激光、与以第1脉冲列生成手段(3)所生成的第1脉冲列进行合波，输出在高峰值功率超短脉冲激光重叠低峰值功率脉冲激光而成的脉冲激光。

5. 发明专利

TW201006778A 局部化沉積系統及局部化沉積方法 LOCALIZED DEPOSITION SYSTEM AND METHOD OF LOCALIZED DEPOSITION 审中-公开
简体标题：局部化沉积系统及局部化沉积方法 LOCALIZED DEPOSITION SYSTEM AND METHOD OF LOCALIZED DEPOSITION
公开(公告)号：TW201006778A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098110088
申请日：2009-03-26
申请人：康寧公司
发明人：若利彼特 , 包雷馬克勞倫 , 王納羅伯史提芬
IPC分类号： C03C
CPC分类号： C03C17/002 , B01L3/502707 , B01L2200/12 , B23K26/32 , B23K26/34 , B23K2203/50 , B23K2203/52 , C03C17/02 , C03C23/0025
摘要：本發明提供的局部沉積系統包括基板支撐架,進料供應器,進料雷射光源,基板雷射光源,以及沉積控制系統。進料雷射光源是配置來加熱位在基板沉積表面上局部沉積的進料。基板雷射光源是配置來加熱基板的局部地方。沉積控制系統加以程式化使進料供應器的局部沉積位置與基板沉積表面之間的相對移動與進料雷射光源,基板雷射光源以及進料供應器之操作同步。本發明亦提供局部沉積之方法。
简体摘要：本发明提供的局部沉积系统包括基板支撑架,进料供应器,进料激光光源,基板激光光源,以及沉积控制系统。进料激光光源是配置来加热位在基板沉积表面上局部沉积的进料。基板激光光源是配置来加热基板的局部地方。沉积控制系统加以进程化使进料供应器的局部沉积位置与基板沉积表面之间的相对移动与进料激光光源,基板激光光源以及进料供应器之操作同步。本发明亦提供局部沉积之方法。

6. 发明专利

TW200405472A 掃描方式之熱通量處理 THERMAL FLUX PROCESSING BY SCANNING 审中-公开
简体标题：扫描方式之热通量处理 THERMAL FLUX PROCESSING BY SCANNING
公开(公告)号：TW200405472A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW092109147
申请日：2003-04-18
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：狄恩傑寧斯 DEAN JENNINGS , 馬克彥 MARK YAM , 亞伯赫拉希J 梅尤 ABHILASH J. MAYUR , 維儂畢漢斯 VERNON BEHRENS , 保羅A 歐白恩 PAUL A. O'BRIEN , 李歐尼德M 特提茲基 LEONID M. TERTITSKI , 亞歷山大高汀 ALEXANDER GOLDIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02683 , B23K26/032 , B23K26/034 , B23K26/04 , B23K26/0608 , B23K26/064 , B23K26/0643 , B23K26/0648 , B23K26/0652 , B23K26/0665 , B23K26/0738 , B23K26/082 , B23K26/083 , B23K26/0838 , B23K26/0869 , B23K26/123 , B23K26/125 , B23K26/142 , B23K26/32 , B23K26/34 , B23K26/705 , B23K2201/34 , B23K2201/40 , B23K2203/08 , B23K2203/50 , C23C8/00 , C23C8/10 , C23C8/22 , C23C16/047 , C23C16/481 , G02B27/0955 , H01L21/00 , H01L21/2026 , H01L21/67115
摘要：一種加熱處理裝置，其係包含一座臺、一連續波電磁輻射源、一組透鏡、一轉移裝置、一偵測模組、與一電腦系統。座臺係設以接收一基板於其上。該連續波電磁輻射源鄰近座臺加以設置並設以沿著朝向基板之一路徑發射連續波電磁輻射。該組透鏡係位於連續波電磁輻射源與座臺間，並設以聚集連續波電磁輻射，以在基板之一表面上形成一連續波電磁輻射線。轉移裝置係設以使座臺與連續波電磁輻射線相對於彼此進行轉移。偵測模組係位於路徑內，並設以偵測連續波電磁輻射。電腦系統係耦接至偵測模組。
简体摘要：一种加热处理设备，其系包含一座台、一连续波电磁辐射源、一组透镜、一转移设备、一侦测模块、与一电脑系统。座台系设以接收一基板于其上。该连续波电磁辐射源邻近座台加以设置并设以沿着朝向基板之一路径发射连续波电磁辐射。该组透镜系位于连续波电磁辐射源与座台间，并设以聚集连续波电磁辐射，以在基板之一表面上形成一连续波电磁辐射线。转移设备系设以使座台与连续波电磁辐射线相对于彼此进行转移。侦测模块系位于路径内，并设以侦测连续波电磁辐射。电脑系统系耦接至侦测模块。

7. 发明专利

TW200401683A 雷射加工裝置、雷射加工溫度測定裝置、雷射加工方法、以及雷射加工溫度測定方法 LASER MACHINING DEVICE, LASER MACHINING TEMPERATURE MEASURING DEVICE AND LASER MACHINING METHOD, AND LASER MACHINING TEMPERATURE MEASURING METHOD 审中-公开
简体标题：激光加工设备、激光加工温度测定设备、激光加工方法、以及激光加工温度测定方法 LASER MACHINING DEVICE, LASER MACHINING TEMPERATURE MEASURING DEVICE AND LASER MACHINING METHOD, AND LASER MACHINING TEMPERATURE MEASURING METHOD
公开(公告)号：TW200401683A
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW092116491
申请日：2003-06-18
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：松本聰 SATOSHI MATSUMOTO , 小杉壯 TSUYOSHI KOSUGI
IPC分类号： B23K
CPC分类号： B29C66/863 , B23K26/03 , B23K26/032 , B23K26/034 , B23K26/0613 , B23K26/066 , B23K26/32 , B23K26/705 , B23K2201/40 , B23K2203/42 , B29C65/1616 , B29C65/1635 , B29C65/1638 , B29C65/1654 , B29C65/1664 , B29C66/1122 , B29C66/43 , B29C66/45 , B29C66/71 , B29C66/73921 , B29C66/81267 , B29C66/8322 , B29C66/91216 , B29C66/91221 , B29C66/91411 , B29C66/9161 , B29C66/919 , B29C66/9192 , B29C66/91921 , B29C66/9221 , B29C66/9241 , B29C66/92611 , B29C66/934 , B29C66/952 , B29C66/9592 , B29C66/96 , B29C66/961 , B29C66/963 , B29C66/9674 , G01J5/06 , B29C65/00 , B29K2027/06 , B29K2033/08 , B29K2033/12 , B29K2055/02 , B29K2067/003 , B29K2069/00
摘要：本發明之課題為提供一在利用雷射光執行溶接等加工之際可高精度地檢測加工溫度之雷射加工裝置、雷射加工溫度測定裝置、雷射加工方法及雷射加工溫度測定方法。本發明之雷射加工裝置1A係，利用雷射光LB對被加工構件DR、UR照射以加工被加工構件DR、UR，該雷射加工裝置之特徵為具備有：產生雷射光LB之雷射（半導體雷射裝置20A）；把雷射產生之雷射光LB集光在加工區域DA、UA之光學手段；以及被設置在被加工構件DR、UR和光學手段之間、依雷射光LB的激勵以遮斷在光學手段中產生之螢光FB的波長之濾波器30；且在測定加工區域DA、UA的溫度之際係使用由濾波器30所遮斷的波長光。
简体摘要：本发明之课题为提供一在利用激光光运行溶接等加工之际可高精度地检测加工温度之激光加工设备、激光加工温度测定设备、激光加工方法及激光加工温度测定方法。本发明之激光加工设备1A系，利用激光光LB对被加工构件DR、UR照射以加工被加工构件DR、UR，该激光加工设备之特征为具备有：产生激光光LB之激光（半导体激光设备20A）；把激光产生之激光光LB集光在加工区域DA、UA之光学手段；以及被设置在被加工构件DR、UR和光学手段之间、依激光光LB的激励以遮断在光学手段中产生之萤光FB的波长之滤波器30；且在测定加工区域DA、UA的温度之际系使用由滤波器30所遮断的波长光。

8. 发明专利

TW200302677A 使用多通道直線型雷射光束以藉由熱轉移製造有機發光二極體(OLED)裝置 USING A MULTICHANNEL LINEAR LASER LIGHT BEAM IN MAKING OLED DEVICES BY THERMAL TRANSFER 审中-公开
简体标题：使用多信道直线型激光光束以借由热转移制造有机发光二极管(OLED)设备 USING A MULTICHANNEL LINEAR LASER LIGHT BEAM IN MAKING OLED DEVICES BY THERMAL TRANSFER
公开(公告)号：TW200302677A
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091135693
申请日：2002-12-10
申请人：柯達公司 EASTMAN KODAK COMPANY
发明人：大衛布雷爾凱 DAVID BLAIR KAY , 李威廉圖特 LEE WILLIAM TUTT , 馬克大衛拜西克 MARK DAVID BEDZYK
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H01L51/0013 , B23K26/042 , B23K26/0676 , B23K26/0876 , B23K26/32 , B23K26/324 , B23K26/34 , B23K2201/40 , B23K2203/16 , B23K2203/172 , B23K2203/30 , B23K2203/50 , B23K2203/52 , B41J2/47 , C23C14/048 , H01L27/3211 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0081 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/0089 , H01L51/56
摘要：本發明係揭示一種製造OLED裝置之方法，包括之步驟為：提供一種具有依與OLED基材轉化關係之可轉移有機材料之供體元件；形成實質上均勻之直線雷射光束；提供回應直線雷射光束且適於形成一或多種雷射光束段(其中各段可包含一或多雷射束通道，且其中之雷射光束段在第一種方向具有實質上正方形之強度輪廓，且在與第一方向垂直之第二方向上具有實質高斯(Gaussian)強度輪廓，且係引導到供體元件上之立體光調節器；及因調節段之光產生熱，使有機材料熱轉移至基材選擇表面上之供體元件。
简体摘要：本发明系揭示一种制造OLED设备之方法，包括之步骤为：提供一种具有依与OLED基材转化关系之可转移有机材料之供体组件；形成实质上均匀之直线激光光束；提供回应直线激光光束且适于形成一或多种激光光束段(其中各段可包含一或多激光束信道，且其中之激光光束段在第一种方向具有实质上正方形之强度轮廓，且在与第一方向垂直之第二方向上具有实质高斯(Gaussian)强度轮廓，且系引导到供体组件上之三維光调节器；及因调节段之光产生热，使有机材料热转移至基材选择表面上之供体组件。

9. 发明专利

TW326009B 單晶金屬製物品之修補方法失效
简体标题：单晶金属制物品之修补方法
公开(公告)号：TW326009B
公开(公告)日：1998-02-01
申请号：TW085107333
申请日：1996-06-18
申请人：聯合工藝公司
发明人：雷蒙德.P.蘭格文
IPC分类号： B23K , B23P , F01D
CPC分类号： B23P6/007 , B23K26/32 , B23K26/342 , B23K2201/001 , B23K2203/26 , B23K2203/50 , F01D5/005
摘要：本發明包括於可排除裂縫之特定條件下將一填充材料熔入一有缺陷之金屬基板中。在本發明之一實施例中，一雷射光束以相對而言低的功率密度及相對而言大的光束直徑操作一段延伸之時間長度，以製得具低縱橫比之熔融池。
简体摘要：本发明包括于可排除裂缝之特定条件下将一填充材料熔入一有缺陷之金属基板中。在本发明之一实施例中，一激光光束以相对而言低的功率密度及相对而言大的光束直径操作一段延伸之时间长度，以制得具低纵横比之熔融池。

10. 发明专利

TW201619413A 氮碳共滲／滲氮部件之處理方法审中-公开
简体标题：氮碳共渗／渗氮部件之处理方法
公开(公告)号：TW201619413A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104123264
申请日：2015-07-17
申请人： HEF公司 , H. E. F.
发明人：格蘭珍史帝芬 , GRANDJEAN, STEPHAN , 普羅斯特法布里斯 , PROST, FABRICE
IPC分类号： C23C8/26 , C23C8/22 , B23K1/20
CPC分类号： C21D10/005 , B23K9/167 , B23K9/23 , B23K9/235 , B23K26/0066 , B23K26/21 , B23K26/32 , B23K26/352 , B23K26/60 , B23K2203/04 , C23C8/26 , C23C8/28 , C23C8/80
摘要：部件的至少一部分係進行第一步驟，其包含使至少一雷射束沿至少一波道掃過該部分，直到所要之該部分的表層係部份或完全變態並且改變擴散區中之氮濃度的分布。至少已先進行雷射處理以使表層變態的該部分係進行第二步驟，其係包含使至少一雷射束沿至少一波道掃過該部分而使下方擴散層中之氮濃度減少。
简体摘要：部件的至少一部分系进行第一步骤，其包含使至少一激光束沿至少一波道扫过该部分，直到所要之该部分的表层系部份或完全变态并且改变扩散区中之氮浓度的分布。至少已雪铁龙行激光处理以使表层变态的该部分系进行第二步骤，其系包含使至少一激光束沿至少一波道扫过该部分而使下方扩散层中之氮浓度减少。

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