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1. 发明专利

TW200835891A 行動式壓力熱水供應器 MOBILE PRESSURIZED HOT WATER SUPPLY 审中-公开
简体标题：便携式压力热水供应器 MOBILE PRESSURIZED HOT WATER SUPPLY
公开(公告)号：TW200835891A
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：TW096132974
申请日：2007-09-04
申请人：查爾斯雷普提納 LAPETINA, CHARLES , 艾倫山德 SAND, ALLAN
发明人：查爾斯雷普提納 LAPETINA, CHARLES , 艾倫山德 SAND, ALLAN
IPC分类号： F24H
CPC分类号： B08B3/026 , B08B2203/007 , Y10T137/6416 , Y10T137/6443 , Y10T137/6606
摘要：本發明揭示一種具有一即時氣體加熱之水供應器之可攜式電動洗滌器,其設置有一用於自一外部水供應接收水且藉由使水經由一接近於一個或多個氣體燃燒爐之熱交換器來迅速將水加熱之水加熱器。在水流過該加熱器後,其流至一適於與熱水一起使用之幫浦且該幫浦將其加壓以輸送至一高壓軟管。一位於軟管與幫浦相對之末端上之噴嘴或閥允許一使用者使一股加壓熱水自噴嘴且正對一欲清洗之表面噴出。該幫浦可藉由一電動馬達或汽油引擎提供動力且通常將該裝置裝配在一輪式推車上以易於移動。
简体摘要：本发明揭示一种具有一实时气体加热之水供应器之可携式电动洗涤器,其设置有一用于自一外部水供应接收水且借由使水经由一接近于一个或多个气体燃烧炉之热交换器来迅速将水加热之水加热器。在水流过该加热器后,其流至一适于与热水一起使用之帮浦且该帮浦将其加压以输送至一高压软管。一位于软管与帮浦相对之末端上之喷嘴或阀允许一用户使一股加压热水自喷嘴且正对一欲清洗之表面喷出。该帮浦可借由一电动马达或汽油发动机提供动力且通常将该设备装配在一轮式推车上以易于移动。

2. 发明专利

TW201708617A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201708617A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105120002
申请日：2016-06-24
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI , 本庄一大 , HONSHO, KAZUHIRO
IPC分类号： C23G5/032 , H01L21/30 , B08B3/04
CPC分类号： H01L21/67023 , B08B3/041 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B3/106 , B08B5/023 , B08B7/0071 , B08B2203/007 , H01L21/304 , H01L21/67034 , H01L21/67051
摘要：本基板處理方法係使用處理液對基板之表面進行處理之基板處理方法，其包含有：混合液置換步驟，其係以第1液體與第2液體之混合液來置換附著於上述基板之表面之處理液，該第2液體沸點較上述第1液體高且具有較上述第1液體低之表面張力；及混合液去除步驟，其係於上述混合液置換步驟之後，自上述基板之表面去除上述混合液。
简体摘要：本基板处理方法系使用处理液对基板之表面进行处理之基板处理方法，其包含有：混合液置换步骤，其系以第1液体与第2液体之混合液来置换附着于上述基板之表面之处理液，该第2液体沸点较上述第1液体高且具有较上述第1液体低之表面张力；及混合液去除步骤，其系于上述混合液置换步骤之后，自上述基板之表面去除上述混合液。

3. 发明专利

TW472317B 處理如半導體晶圓之工作物件之方法與裝置有权
简体标题：处理如半导体晶圆之工作对象之方法与设备
公开(公告)号：TW472317B
公开(公告)日：2002-01-11
申请号：TW089114615
申请日：2000-07-21
申请人：山米托爾公司
发明人：艾瑞克J 伯格曼
IPC分类号： H01L , B08B
CPC分类号： G03F7/422 , B08B3/00 , B08B3/02 , B08B3/044 , B08B3/08 , B08B7/00 , B08B2203/005 , B08B2203/007 , B08B2230/01 , G03F7/427 , H01L21/02052 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要：一種新穎之化學、系統與應用技術減少半導體晶圓及類似基材之污染。將液態化學流塗佈在工作物件表面。臭氧較佳為由高能臭氧產生器產生。將化學流(其可為液體或蒸氣之形式)塗佈於系統中之晶圓，如此可控制在工作物件表面上形成之邊界層。此化學流可包括如氫氧化銨之成分以同時去除顆粒與有機物，另一種化學物以提高溶液之 pH，或設計以完成一或更多個特定清潔作業之其他化學添加劑。此種特定應用技術設計為在晶圓表面上發展及控制液體之邊界層。
简体摘要：一种新颖之化学、系统与应用技术减少半导体晶圆及类似基材之污染。将液态化学流涂布在工作对象表面。臭氧较佳为由高能臭氧产生器产生。将化学流(其可为液体或蒸气之形式)涂布于系统中之晶圆，如此可控制在工作对象表面上形成之边界层。此化学流可包括如氢氧化铵之成分以同时去除颗粒与有机物，另一种化学物以提高溶液之 pH，或设计以完成一或更多个特定清洁作业之其他化学添加剂。此种特定应用技术设计为在晶圆表面上发展及控制液体之边界层。

4. 发明专利

TWI444575B 液體加熱方法、液體加熱裝置以及加熱液體供給裝置有权
简体标题：液体加热方法、液体加热设备以及加热液体供给设备
公开(公告)号：TWI444575B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW101108380
申请日：2012-03-13
申请人：栗田工業股份有限公司 , KURITA WATER INDUSTRIES LTD.
发明人：內田稔 , UCHIDA, MINORU
IPC分类号： F24H1/10
CPC分类号： F24H1/121 , B08B2203/007 , F24H9/2028 , H01L21/67017

5. 发明专利

TWI280320B 光阻膜除去裝置、光阻膜除去方法以及有機物除去裝置與有機物除去方法 RESIST FILM REMOVING DEVICE, RESIST FILM REMOVING METHOD, AND ORGANIC SUBSTANCE REMOVING DEVICE AND ORGANIC SUBSTANCE REMOVING METHOD 失效
简体标题：光阻膜除去设备、光阻膜除去方法以及有机物除去设备与有机物除去方法 RESIST FILM REMOVING DEVICE, RESIST FILM REMOVING METHOD, AND ORGANIC SUBSTANCE REMOVING DEVICE AND ORGANIC SUBSTANCE REMOVING METHOD
公开(公告)号：TWI280320B
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW092108715
申请日：2003-04-15
申请人：禧沛股份有限公司 SIPEC CORPORATION
发明人：遠藤民夫 TAMIO ENDO , 佐藤淳 ATSUSHI SATO , 天野泰彥 YASUHIKO AMANO , 田村哲司 TETSUJI TAMURA , 西村直之 NAOYUKI NISHIMURA , 大見忠弘 TADAHIRO OHMI , 橫井生憲 IKUNORI YOKOI
IPC分类号： F04B , H01L
CPC分类号： H01L21/6715 , B08B3/02 , B08B2203/007 , G03F7/3057 , G03F7/422 , H01L21/02052 , H01L21/31133 , H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要：單晶圓式光阻除去裝置之構造係包含有：處理室(101)，係配置有作為洗淨對象之基板(111)，並構建成一閉鎖空間者；及噴霧噴嘴(102)，係使洗淨液呈所謂的液滴狀態下朝基板(111)表面噴霧者；藉處理室(101)，形成一使所配置之基板(111)與噴霧噴嘴(102)呈相對向之狀態下包圍基板(111)之前述閉鎖空間。藉該結構，在使洗淨液朝基板(111)表面之光阻膜噴霧以除去該光阻膜時，在考慮能量減少化之情形下可令洗淨液呈液滴狀態，進而將接觸光阻膜時之液滴溫度控制於預期範圍內，以確實地除去光阻膜者。
简体摘要：单晶圆式光阻除去设备之构造系包含有：处理室(101)，系配置有作为洗净对象之基板(111)，并构建成一闭锁空间者；及喷雾喷嘴(102)，系使洗净液呈所谓的液滴状态下朝基板(111)表面喷雾者；藉处理室(101)，形成一使所配置之基板(111)与喷雾喷嘴(102)呈相对向之状态下包围基板(111)之前述闭锁空间。藉该结构，在使洗净液朝基板(111)表面之光阻膜喷雾以除去该光阻膜时，在考虑能量减少化之情形下可令洗净液呈液滴状态，进而将接触光阻膜时之液滴温度控制于预期范围内，以确实地除去光阻膜者。

6. 发明专利

TW200401866A 光阻膜除去裝置、光阻膜除去方法以及有機物除去裝置與有機物除去方法 RESIST FILM REMOVING DEVICE, RESIST FILM REMOVING METHOD, AND ORGANIC SUBSTANCE REMOVING DEVICE AND ORGANIC SUBSTANCE REMOVING METHOD 失效
简体标题：光阻膜除去设备、光阻膜除去方法以及有机物除去设备与有机物除去方法 RESIST FILM REMOVING DEVICE, RESIST FILM REMOVING METHOD, AND ORGANIC SUBSTANCE REMOVING DEVICE AND ORGANIC SUBSTANCE REMOVING METHOD
公开(公告)号：TW200401866A
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW092108715
申请日：2003-04-15
申请人：史派克股份有限公司 SIPEC CORPORATION
发明人：遠藤民夫 TAMIO ENDO , 佐藤淳 ATSUSHI SATO , 天野泰彥 YASUHIKO AMANO , 田村哲司 TETSUJI TAMURA , 西村直之 NAOYUKI NISHIMURA , 大見忠弘 TADAHIRO OHMI , 橫井生憲 IKUNORI YOKOI
IPC分类号： F04B , H01L
CPC分类号： H01L21/6715 , B08B3/02 , B08B2203/007 , G03F7/3057 , G03F7/422 , H01L21/02052 , H01L21/31133 , H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要：單晶圓式光阻除去裝置之構造係包含有：處理室（101），係配置有作為洗淨對象之基板（111），並構建成一閉鎖空間者；及噴霧噴嘴（102），係使洗淨液呈所謂的液滴狀態下朝基板（111）表面噴霧者；藉處理室（101），形成一使所配置之基板（111）與噴霧噴嘴（102）呈相對向之狀態下包圍基板（111）之前述閉鎖空間。藉該結構，在使洗淨液朝基板（111）表面之光阻膜噴霧以除去該光阻膜時，在考慮能量減少化之情形下可令洗淨液呈液滴狀態，進而將接觸光阻膜時之液滴溫度控制於預期範圍內，以確實地除去光阻膜者。
简体摘要：单晶圆式光阻除去设备之构造系包含有：处理室（101），系配置有作为洗净对象之基板（111），并构建成一闭锁空间者；及喷雾喷嘴（102），系使洗净液呈所谓的液滴状态下朝基板（111）表面喷雾者；藉处理室（101），形成一使所配置之基板（111）与喷雾喷嘴（102）呈相对向之状态下包围基板（111）之前述闭锁空间。藉该结构，在使洗净液朝基板（111）表面之光阻膜喷雾以除去该光阻膜时，在考虑能量减少化之情形下可令洗净液呈液滴状态，进而将接触光阻膜时之液滴温度控制于预期范围内，以确实地除去光阻膜者。

7. 发明专利

TWI527111B 用於單一基板處理的蝕刻系統及方法有权
简体标题：用於单一基板处理的蚀刻系统及方法
公开(公告)号：TWI527111B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW101111461
申请日：2012-03-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：布朗意恩J , BROWN, IAN J. , 普林茲華勒斯P , PRINTZ, WALLACE P.
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/31111 , B08B3/00 , B08B3/024 , B08B3/04 , B08B3/08 , B08B9/08 , B08B2203/007 , H01L21/02041 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L21/30612 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , H01L21/6708 , H01L21/67086

8. 发明专利

TW201246354A 用於單一基板處理的蝕刻系統及方法 ETCH SYSTEM AND METHOD FOR SINGLE SUBSTRATE PROCESSING 审中-公开
简体标题：用於单一基板处理的蚀刻系统及方法 ETCH SYSTEM AND METHOD FOR SINGLE SUBSTRATE PROCESSING
公开(公告)号：TW201246354A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101111461
申请日：2012-03-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：布朗意恩J , 普林茲華勒斯P
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31111 , B08B3/00 , B08B3/024 , B08B3/04 , B08B3/08 , B08B9/08 , B08B2203/007 , H01L21/02041 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L21/30612 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , H01L21/6708 , H01L21/67086
摘要：本發明提供一種在蝕刻處理系統中增加基板上的遮罩層之蝕刻速率及蝕刻選擇性的方法及系統，該蝕刻處理系統係針對單一基板處理而配置。該方法包含：獲得高壓下的蒸氣水汽混合物之供應；獲得處理液體之供應，其係用以選擇性地以設定蝕刻選擇性比例相對矽或矽氧化物蝕刻遮罩層；將基板放入蝕刻處理腔室；使處理液體與蒸氣水汽混合物結合；及將所結合的處理液體與蒸氣水汽混合物注入蝕刻處理腔室中，其中所結合的處理液體與蒸氣水汽混合物之流動受到控制，以維持設定蝕刻速率及遮罩層對矽或矽氧化物的設定蝕刻選擇性比例。
简体摘要：本发明提供一种在蚀刻处理系统中增加基板上的遮罩层之蚀刻速率及蚀刻选择性的方法及系统，该蚀刻处理系统系针对单一基板处理而配置。该方法包含：获得高压下的蒸气水汽混合物之供应；获得处理液体之供应，其系用以选择性地以设置蚀刻选择性比例相对硅或硅氧化物蚀刻遮罩层；将基板放入蚀刻处理腔室；使处理液体与蒸气水汽混合物结合；及将所结合的处理液体与蒸气水汽混合物注入蚀刻处理腔室中，其中所结合的处理液体与蒸气水汽混合物之流动受到控制，以维持设置蚀刻速率及遮罩层对硅或硅氧化物的设置蚀刻选择性比例。

9. 发明专利

TW559940B 處理例如為半導體晶圓的工件之方法和裝置有权
简体标题：处理例如为半导体晶圆的工件之方法和设备
公开(公告)号：TW559940B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091117558
申请日：2002-08-05
申请人：山米托爾公司
发明人：麥可肯尼 , 布萊恩吉葛特 , 艾利克貝曼 , 丹那史卡瑞頓
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02052 , B08B3/00 , B08B3/02 , B08B3/044 , B08B3/08 , B08B7/00 , B08B2203/005 , B08B2203/007 , B08B2203/0288 , B08B2230/01 , H01L21/02054 , H01L21/3065 , H01L21/67034 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L23/49582 , H01L2924/0002 , H05K3/3426 , Y02P70/613 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示在一種用以清洗工件或晶圓之系統中，在工件表面上形成加熱液態邊界層。在工件週邊備有臭氧。臭氧經邊界層擴散並與工件表面上的污染物化學反應。高速加熱液體直接噴射於工件上，俾自工件實際逐出或移除污染物。該噴射於撞擊點穿透邊界層。邊界層其它處大部不受擾動。最好液體中含水，亦可具化學物。亦可將蒸氣噴射於工件上，該蒸氣可實際移除污染物，亦可加熱工件而加速化學清洗。工件與射入之液體彼此相對移動，使得大致所有工件表面面對噴射之區域至少暫時暴露於噴射中。亦可將聲能或電磁能導入工件中。本案指定代表圖為：第2圖本代表圖之元件符號簡單說明：100 將半導體基板載入基板支撐體並置於反應腔中102 以加熱之處理液體(去離子水)噴灑於基板104 控制加熱處理液體(去離子水)之邊界層106 射入或引入臭氧於反應腔中，同時維持基板溫度及
邊界層控制108 沖洗半導體基板110 乾化半導體基板
简体摘要：本发明揭示在一种用以清洗工件或晶圆之系统中，在工件表面上形成加热液态边界层。在工件周边备有臭氧。臭氧经边界层扩散并与工件表面上的污染物化学反应。高速加热液体直接喷射于工件上，俾自工件实际逐出或移除污染物。该喷射于撞击点穿透边界层。边界层其它处大部不受扰动。最好液体中含水，亦可具化学物。亦可将蒸气喷射于工件上，该蒸气可实际移除污染物，亦可加热工件而加速化学清洗。工件与射入之液体彼此相对移动，使得大致所有工件表面面对喷射之区域至少暂时暴露于喷射中。亦可将声能或电磁能导入工件中。本案指定代表图为：第2图本代表图之组件符号简单说明：100 将半导体基板加载基板支撑体并置于反应腔中102 以加热之处理液体(去离子水)喷洒于基板104 控制加热处理液体(去离子水)之边界层106 射入或引入臭氧于反应腔中，同时维持基板温度及边界层控制108 冲洗半导体基板110 干化半导体基板

10. 发明专利

TW201604948A 清潔化合物半導體之方法、具備鎵作為構成元素之化合物半導體之清潔用溶液、製作化合物半導體裝置之方法、製作氮化鎵基板之方法、氮化鎵基板审中-公开
简体标题：清洁化合物半导体之方法、具备镓作为构成元素之化合物半导体之清洁用溶液、制作化合物半导体设备之方法、制作氮化镓基板之方法、氮化镓基板
公开(公告)号：TW201604948A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104105923
申请日：2015-02-24
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：長尾兼次 , NAGAO, KENJI , 中村健一 , NAKAMURA, KENICHI , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L21/306 , C11D7/08 , B08B3/08
CPC分类号： H01L21/02052 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B2203/007 , C30B23/025 , C30B25/186 , C30B29/38 , H01L21/02389 , H01L21/31144
摘要：本發明提供一種可降低環境負荷之清潔化合物半導體之方法。本發明之清潔化合物半導體之方法具備：使用包含純水與未達65wt%之硫酸且具有pH值2以下之氫離子濃度及0.6volt以上之氧化還原電位之溶液17，於攝氏70度以上之溫度下對具備鎵作為構成元素之化合物半導體實施清潔處理4之步驟。
简体摘要：本发明提供一种可降低环境负荷之清洁化合物半导体之方法。本发明之清洁化合物半导体之方法具备：使用包含纯水与未达65wt%之硫酸且具有pH值2以下之氢离子浓度及0.6volt以上之氧化还原电位之溶液17，于摄氏70度以上之温度下对具备镓作为构成元素之化合物半导体实施清洁处理4之步骤。

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