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1. 发明专利

TWI611475B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI611475B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW105109399
申请日：2016-03-25
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：高橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/02057 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/67028 , H01L21/6708 , H01L21/6833

2. 发明专利

TWI607487B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI607487B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105117361
申请日：2016-06-02
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：岩畑翔太 , IWAHATA, SHOTA , 尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02057 , B81C1/00928 , H01L21/02063 , H01L21/67028 , H01L21/67051

3. 发明专利

TW201708617A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201708617A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105120002
申请日：2016-06-24
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI , 本庄一大 , HONSHO, KAZUHIRO
IPC分类号： C23G5/032 , H01L21/30 , B08B3/04
CPC分类号： H01L21/67023 , B08B3/041 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B3/106 , B08B5/023 , B08B7/0071 , B08B2203/007 , H01L21/304 , H01L21/67034 , H01L21/67051
摘要：本基板處理方法係使用處理液對基板之表面進行處理之基板處理方法，其包含有：混合液置換步驟，其係以第1液體與第2液體之混合液來置換附著於上述基板之表面之處理液，該第2液體沸點較上述第1液體高且具有較上述第1液體低之表面張力；及混合液去除步驟，其係於上述混合液置換步驟之後，自上述基板之表面去除上述混合液。
简体摘要：本基板处理方法系使用处理液对基板之表面进行处理之基板处理方法，其包含有：混合液置换步骤，其系以第1液体与第2液体之混合液来置换附着于上述基板之表面之处理液，该第2液体沸点较上述第1液体高且具有较上述第1液体低之表面张力；及混合液去除步骤，其系于上述混合液置换步骤之后，自上述基板之表面去除上述混合液。

4. 发明专利

TW201707077A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201707077A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105109399
申请日：2016-03-25
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：高橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/02057 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/67028 , H01L21/6708 , H01L21/6833
摘要：本發明之基板處理裝置包含對基板保持單元、蝕刻液供給單元、及複數個電極進行控制之控制裝置。控制裝置執行：蝕刻步驟，其一面使基板圍繞旋轉軸線旋轉，一面對基板供給蝕刻液；及蝕刻帶電步驟，其以施加電壓之絕對值按照第1電極及第2電極之順序增加之方式對複數個電極施加電壓，藉此與蝕刻步驟並行地使基板帶電。
简体摘要：本发明之基板处理设备包含对基板保持单元、蚀刻液供给单元、及复数个电极进行控制之控制设备。控制设备运行：蚀刻步骤，其一面使基板围绕旋转轴线旋转，一面对基板供给蚀刻液；及蚀刻带电步骤，其以施加电压之绝对值按照第1电极及第2电极之顺序增加之方式对复数个电极施加电压，借此与蚀刻步骤并行地使基板带电。

5. 发明专利

TWI644343B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI644343B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW105108989
申请日：2016-03-23
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO,. LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304

6. 发明专利

TWI643257B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI643257B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW105125599
申请日：2016-08-11
申请人：日商思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/304

7. 发明专利

TW201707059A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201707059A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105108989
申请日：2016-03-23
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO,. LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67034 , B08B3/024 , B08B3/106 , H01L21/02057 , H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/6732 , H01L21/68764
摘要：本發明的課題在於抑制基板的上表面的損傷，並適當地將異物從基板上去除。本發明的解決手段為，基板處理裝置係具備有：基板保持部，係將基板(9)保持成水平狀態；以及處理液供給部，係將第一處理液以及比重比第一處理液還小且沸點比第一處理液還高的第二處理液供給至基板(9)的上表面(91)上，並將屬於第一處理液的液膜之第一液膜(71)以及覆蓋第一液膜(71)的上表面(73)之屬於第二處理液的液膜之第二液膜(72)形成於基板(9)的上表面(91)上。在基板處理裝置中，藉由以第一處理液的沸點以上且比第二處理液的沸點還低的溫度進行第一液膜(71)的加熱而在第二液膜(72)與基板(9)之間氣化的第一處理液，使基板(9)的上表面(91)上的異物從基板(9)的上表面(91)剝離，並朝第二液膜(72)內移動。藉此，能抑制基板(9)的上表面(91)的損傷，並適當地將異物從基板(9)上去除。
简体摘要：本发明的课题在于抑制基板的上表面的损伤，并适当地将异物从基板上去除。本发明的解决手段为，基板处理设备系具备有：基板保持部，系将基板(9)保持成水平状态；以及处理液供给部，系将第一处理液以及比重比第一处理液还小且沸点比第一处理液还高的第二处理液供给至基板(9)的上表面(91)上，并将属于第一处理液的液膜之第一液膜(71)以及覆盖第一液膜(71)的上表面(73)之属于第二处理液的液膜之第二液膜(72)形成于基板(9)的上表面(91)上。在基板处理设备中，借由以第一处理液的沸点以上且比第二处理液的沸点还低的温度进行第一液膜(71)的加热而在第二液膜(72)与基板(9)之间气化的第一处理液，使基板(9)的上表面(91)上的异物从基板(9)的上表面(91)剥离，并朝第二液膜(72)内移动。借此，能抑制基板(9)的上表面(91)的损伤，并适当地将异物从基板(9)上去除。

8. 发明专利

TW201705199A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201705199A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105117361
申请日：2016-06-02
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：岩畑翔太 , IWAHATA, SHOTA , 尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02057 , B81C1/00928 , H01L21/02063 , H01L21/67028 , H01L21/67051
摘要：本發明提供一種基板處理方法，其包含：基板保持步驟，係藉由基板保持單元將於上面形成有圖案的基板保持為水平姿勢；液膜形成步驟，係為了將存在於上述上面之處理液置換為有機溶劑之液體，形成被覆上述上面全域之有機溶劑之液膜；薄膜保持步驟，係一邊將上述上面全域之周圍保持為有機溶劑蒸氣之環境、一邊使上述基板依第1高旋轉速度進行旋轉，藉此將上述有機溶劑之液膜減薄，藉此於上述上面保持有機溶劑之薄膜；與薄膜去除步驟，係於上述薄膜保持步驟後，由上述上面去除上述薄膜；上述薄膜去除步驟係包含使上述基板依第2高旋轉速度進行旋轉的高速旋轉步驟。
简体摘要：本发明提供一种基板处理方法，其包含：基板保持步骤，系借由基板保持单元将于上面形成有图案的基板保持为水平姿势；液膜形成步骤，系为了将存在于上述上面之处理液置换为有机溶剂之液体，形成被复上述上面全域之有机溶剂之液膜；薄膜保持步骤，系一边将上述上面全域之周围保持为有机溶剂蒸气之环境、一边使上述基板依第1高旋转速度进行旋转，借此将上述有机溶剂之液膜减薄，借此于上述上面保持有机溶剂之薄膜；与薄膜去除步骤，系于上述薄膜保持步骤后，由上述上面去除上述薄膜；上述薄膜去除步骤系包含使上述基板依第2高旋转速度进行旋转的高速旋转步骤。

9. 发明专利

TWI636158B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI636158B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW105120002
申请日：2016-06-24
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI , 本庄一大 , HONSHO, KAZUHIRO
IPC分类号： C23G5/032 , H01L21/30 , B08B3/04

10. 发明专利

TW201717273A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201717273A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105125599
申请日：2016-08-11
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/304
摘要：本發明之基板處理方法包含：基板保持步驟，其將基板保持為水平；液膜形成步驟，其向上述基板之上表面供給處理液，而形成覆蓋該基板之上表面之處理液之液膜；蒸氣環境充滿步驟，其以包含具有較該處理液低之表面張力之低表面張力液之蒸氣的蒸氣環境，充滿上述處理液之液膜之周圍；薄膜區域形成步驟，其與上述蒸氣環境充滿步驟並行，不向上述基板吹送氣體，而使上述基板以既定之薄膜區域形成速度旋轉而將處理液部分地排除，藉此，於上述處理液之液膜形成薄膜區域；薄膜區域擴大步驟，其與上述蒸氣環境充滿步驟並行，使上述薄膜區域朝向上述基板之外周擴大；及薄膜去除步驟，其於藉由上述薄膜區域擴大步驟使上述薄膜擴大至上述上表面之整個區域後，將該薄膜自上述上表面去除。
简体摘要：本发明之基板处理方法包含：基板保持步骤，其将基板保持为水平；液膜形成步骤，其向上述基板之上表面供给处理液，而形成覆盖该基板之上表面之处理液之液膜；蒸气环境充满步骤，其以包含具有较该处理液低之表面张力之低表面张力液之蒸气的蒸气环境，充满上述处理液之液膜之周围；薄膜区域形成步骤，其与上述蒸气环境充满步骤并行，不向上述基板吹送气体，而使上述基板以既定之薄膜区域形成速度旋转而将处理液部分地排除，借此，于上述处理液之液膜形成薄膜区域；薄膜区域扩大步骤，其与上述蒸气环境充满步骤并行，使上述薄膜区域朝向上述基板之外周扩大；及薄膜去除步骤，其于借由上述薄膜区域扩大步骤使上述薄膜扩大至上述上表面之整个区域后，将该薄膜自上述上表面去除。

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