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1. 发明专利

TW559940B 處理例如為半導體晶圓的工件之方法和裝置有权
简体标题：处理例如为半导体晶圆的工件之方法和设备
公开(公告)号：TW559940B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091117558
申请日：2002-08-05
申请人：山米托爾公司
发明人：麥可肯尼 , 布萊恩吉葛特 , 艾利克貝曼 , 丹那史卡瑞頓
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02052 , B08B3/00 , B08B3/02 , B08B3/044 , B08B3/08 , B08B7/00 , B08B2203/005 , B08B2203/007 , B08B2203/0288 , B08B2230/01 , H01L21/02054 , H01L21/3065 , H01L21/67034 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L23/49582 , H01L2924/0002 , H05K3/3426 , Y02P70/613 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示在一種用以清洗工件或晶圓之系統中，在工件表面上形成加熱液態邊界層。在工件週邊備有臭氧。臭氧經邊界層擴散並與工件表面上的污染物化學反應。高速加熱液體直接噴射於工件上，俾自工件實際逐出或移除污染物。該噴射於撞擊點穿透邊界層。邊界層其它處大部不受擾動。最好液體中含水，亦可具化學物。亦可將蒸氣噴射於工件上，該蒸氣可實際移除污染物，亦可加熱工件而加速化學清洗。工件與射入之液體彼此相對移動，使得大致所有工件表面面對噴射之區域至少暫時暴露於噴射中。亦可將聲能或電磁能導入工件中。本案指定代表圖為：第2圖本代表圖之元件符號簡單說明：100 將半導體基板載入基板支撐體並置於反應腔中102 以加熱之處理液體(去離子水)噴灑於基板104 控制加熱處理液體(去離子水)之邊界層106 射入或引入臭氧於反應腔中，同時維持基板溫度及
邊界層控制108 沖洗半導體基板110 乾化半導體基板
简体摘要：本发明揭示在一种用以清洗工件或晶圆之系统中，在工件表面上形成加热液态边界层。在工件周边备有臭氧。臭氧经边界层扩散并与工件表面上的污染物化学反应。高速加热液体直接喷射于工件上，俾自工件实际逐出或移除污染物。该喷射于撞击点穿透边界层。边界层其它处大部不受扰动。最好液体中含水，亦可具化学物。亦可将蒸气喷射于工件上，该蒸气可实际移除污染物，亦可加热工件而加速化学清洗。工件与射入之液体彼此相对移动，使得大致所有工件表面面对喷射之区域至少暂时暴露于喷射中。亦可将声能或电磁能导入工件中。本案指定代表图为：第2图本代表图之组件符号简单说明：100 将半导体基板加载基板支撑体并置于反应腔中102 以加热之处理液体(去离子水)喷洒于基板104 控制加热处理液体(去离子水)之边界层106 射入或引入臭氧于反应腔中，同时维持基板温度及边界层控制108 冲洗半导体基板110 干化半导体基板

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