专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI466170B 用於光阻劑剝離室之鋁裸板有权
简体标题：用于光阻剂剥离室之铝裸板
公开(公告)号：TWI466170B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW094120703
申请日：2005-06-21
申请人：藍姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：佛列迪D 伊格利 , EGLEY, FRED D. , 邁可肯格 , KANG, MICHAEL , 安東尼L 陳 , CHEN, ANTHONY L. , 郭J , KUO, JACK , 洪辛 , SHIH, HONG , 當肯傲卡 , OUTKA, DUANE , 布勞諾莫瑞 , MOREL, BRUNO
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01J37/32633 , C23C8/02 , C23C8/10 , G03F7/427 , H01J37/32357 , H01J2237/3342

2. 发明专利

TW201447964A 電漿處理室元件之溫度控制窗审中-公开
简体标题：等离子处理室组件之温度控制窗
公开(公告)号：TW201447964A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103103603
申请日：2014-01-29
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：布吉麥特 , BUSCHE, MATT , 麥克亞當 , MACE, ADAM , 康麥可 , KANG, MICHAEL , 羅尼亞倫 , RONNE, ALLAN
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32522 , H01J37/32119
摘要：一種感應耦合電漿處理室之溫度控制介電窗，包含：一介電窗，形成電漿處理室頂壁，至少具有第一和第二通道於其中。一液體循環系統，包含：一冷卻液源，在未與通道流體連通的第一閉合迴路中循環；一加熱液源，在與通道流體連通的第二閉合迴路中循環；及第一和一第二熱交換器。冷卻液在可控流率下通過第一熱交換器，及當加熱液通過第一熱交換器接著通過第一通道入口時，加熱液溫度係藉由與冷卻液的熱交換調整。冷卻液在可控流率下通過第二熱交換器，及當加熱液通過第二熱交換器接著通過第二通道之入口時，加熱液之溫度係藉由與冷卻液的熱交換調整。
简体摘要：一种感应耦合等离子处理室之温度控制介电窗，包含：一介电窗，形成等离子处理室顶壁，至少具有第一和第二信道于其中。一液体循环系统，包含：一冷却液源，在未与信道流体连通的第一闭合回路中循环；一加热液源，在与信道流体连通的第二闭合回路中循环；及第一和一第二热交换器。冷却液在可控流率下通过第一热交换器，及当加热液通过第一热交换器接着通过第一信道入口时，加热液温度系借由与冷却液的热交换调整。冷却液在可控流率下通过第二热交换器，及当加热液通过第二热交换器接着通过第二信道之入口时，加热液之温度系借由与冷却液的热交换调整。

3. 发明专利

TWI563121B 用於電感耦合電漿蝕刻反應器之氣體分配噴淋頭有权
简体标题：用于电感耦合等离子蚀刻反应器之气体分配喷淋头
公开(公告)号：TWI563121B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW101119590
申请日：2012-05-31
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：肯麥可 , KANG, MICHAEL , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 肯沃西意恩J , KENWORTHY, IAN J.
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/52 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/30604 , B05B1/185 , B05D1/62 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/505 , C23C16/507 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J2237/3341 , H01L21/30655 , H01L21/67069

4. 发明专利

TWI559392B 電漿蝕刻反應器之陶瓷噴淋頭用之氣體分配系統有权
简体标题：等离子蚀刻反应器之陶瓷喷淋头用之气体分配系统
公开(公告)号：TWI559392B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW101119341
申请日：2012-05-30
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：肯麥可 , KANG, MICHAEL , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/30604 , B05B1/185 , B05D1/62 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/505 , C23C16/507 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J2237/3341 , H01L21/30655 , H01L21/67069

5. 发明专利

TWI621150B 電漿處理室、溫度控制介電窗、及其溫度控制方法有权
简体标题：等离子处理室、温度控制介电窗、及其温度控制方法
公开(公告)号：TWI621150B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103103603
申请日：2014-01-29
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：布吉麥特 , BUSCHE, MATT , 麥克亞當 , MACE, ADAM , 康麥可 , KANG, MICHAEL , 羅尼亞倫 , RONNE, ALLAN
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32522 , H01J37/32119

6. 发明专利

TWI517223B 半導體基板支座之溫度控制設備及方法有权
简体标题：半导体基板支座之温度控制设备及方法
公开(公告)号：TWI517223B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW100114490
申请日：2011-04-26
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：瑞絲安東尼 , RICCI, ANTHONY , 艾略爾沙瑞伯 , ULLAL, SAURABH , 肯麥可 , KANG, MICHAEL , 布吉馬修 , BUSCHE, MATTHEW
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/67248 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/67109

7. 发明专利

TW201300570A 用於電感耦合電漿蝕刻反應器之氣體分配噴淋頭审中-公开
简体标题：用于电感耦合等离子蚀刻反应器之气体分配喷淋头
公开(公告)号：TW201300570A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101119590
申请日：2012-05-31
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：肯麥可 , KANG, MICHAEL , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 肯沃西意恩J , KENWORTHY, IAN J.
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/52 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/30604 , B05B1/185 , B05D1/62 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/505 , C23C16/507 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J2237/3341 , H01L21/30655 , H01L21/67069
摘要：一種兩件式的陶瓷噴淋頭包含上、下板而可輸送處理氣體至電感耦合電漿處理室中。該上板乃覆蓋在下板上方並包含：由上板之一外緣向內延伸之徑向延伸氣體通道；軸向延伸氣體通道，與該徑向延伸氣體通道流體相通；一環狀凹部，其在該上下板之間形成一環狀充氣部。該下板包含軸向延伸氣孔而與該充氣部流體相通。該上板可包含八個徑向延伸氣體通道配置於該上板之周圍並以等距離隔開，該下板可包含內、外排之氣孔。該兩件式陶瓷噴淋頭形成一處理室介電窗，並透過該介電窗而將天線產生之無線射頻能耦合進該處理室。一氣體輸送系統乃將處理氣體輸送至該上、下板之間的充氣部，其氣體容積不大於500 cm3。下板中之氣孔則於該充氣部以及下板之一電漿外露氧化釔塗佈表面之間延伸。該氣體輸送系統可經操作而供應蝕刻氣體以及沈積氣體至該處理室，俾使環狀充氣部內之蝕刻氣體可在200毫秒之內替換成沈積氣體，反之亦然。
简体摘要：一种两件式的陶瓷喷淋头包含上、下板而可输送处理气体至电感耦合等离子处理室中。该上板乃覆盖在下板上方并包含：由上板之一外缘向内延伸之径向延伸气体信道；轴向延伸气体信道，与该径向延伸气体信道流体相通；一环状凹部，其在该上下板之间形成一环状充气部。该下板包含轴向延伸气孔而与该充气部流体相通。该上板可包含八个径向延伸气体信道配置于该上板之周围并以等距离隔开，该下板可包含内、外排之气孔。该两件式陶瓷喷淋头形成一处理室介电窗，并透过该介电窗而将天线产生之无线射频能耦合进该处理室。一气体输送系统乃将处理气体输送至该上、下板之间的充气部，其气体容积不大于500 cm3。下板中之气孔则于该充气部以及下板之一等离子外露氧化钇涂布表面之间延伸。该气体输送系统可经操作而供应蚀刻气体以及沉积气体至该处理室，俾使环状充气部内之蚀刻气体可在200毫秒之内替换成沉积气体，反之亦然。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式