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1. 发明专利

TWI517223B 半導體基板支座之溫度控制設備及方法有权
简体标题：半导体基板支座之温度控制设备及方法
公开(公告)号：TWI517223B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW100114490
申请日：2011-04-26
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：瑞絲安東尼 , RICCI, ANTHONY , 艾略爾沙瑞伯 , ULLAL, SAURABH , 肯麥可 , KANG, MICHAEL , 布吉馬修 , BUSCHE, MATTHEW
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/67248 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/67109

2. 发明专利

TW201300570A 用於電感耦合電漿蝕刻反應器之氣體分配噴淋頭审中-公开
简体标题：用于电感耦合等离子蚀刻反应器之气体分配喷淋头
公开(公告)号：TW201300570A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101119590
申请日：2012-05-31
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：肯麥可 , KANG, MICHAEL , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 肯沃西意恩J , KENWORTHY, IAN J.
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/52 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/30604 , B05B1/185 , B05D1/62 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/505 , C23C16/507 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J2237/3341 , H01L21/30655 , H01L21/67069
摘要：一種兩件式的陶瓷噴淋頭包含上、下板而可輸送處理氣體至電感耦合電漿處理室中。該上板乃覆蓋在下板上方並包含：由上板之一外緣向內延伸之徑向延伸氣體通道；軸向延伸氣體通道，與該徑向延伸氣體通道流體相通；一環狀凹部，其在該上下板之間形成一環狀充氣部。該下板包含軸向延伸氣孔而與該充氣部流體相通。該上板可包含八個徑向延伸氣體通道配置於該上板之周圍並以等距離隔開，該下板可包含內、外排之氣孔。該兩件式陶瓷噴淋頭形成一處理室介電窗，並透過該介電窗而將天線產生之無線射頻能耦合進該處理室。一氣體輸送系統乃將處理氣體輸送至該上、下板之間的充氣部，其氣體容積不大於500 cm3。下板中之氣孔則於該充氣部以及下板之一電漿外露氧化釔塗佈表面之間延伸。該氣體輸送系統可經操作而供應蝕刻氣體以及沈積氣體至該處理室，俾使環狀充氣部內之蝕刻氣體可在200毫秒之內替換成沈積氣體，反之亦然。
简体摘要：一种两件式的陶瓷喷淋头包含上、下板而可输送处理气体至电感耦合等离子处理室中。该上板乃覆盖在下板上方并包含：由上板之一外缘向内延伸之径向延伸气体信道；轴向延伸气体信道，与该径向延伸气体信道流体相通；一环状凹部，其在该上下板之间形成一环状充气部。该下板包含轴向延伸气孔而与该充气部流体相通。该上板可包含八个径向延伸气体信道配置于该上板之周围并以等距离隔开，该下板可包含内、外排之气孔。该两件式陶瓷喷淋头形成一处理室介电窗，并透过该介电窗而将天线产生之无线射频能耦合进该处理室。一气体输送系统乃将处理气体输送至该上、下板之间的充气部，其气体容积不大于500 cm3。下板中之气孔则于该充气部以及下板之一等离子外露氧化钇涂布表面之间延伸。该气体输送系统可经操作而供应蚀刻气体以及沉积气体至该处理室，俾使环状充气部内之蚀刻气体可在200毫秒之内替换成沉积气体，反之亦然。

3. 发明专利

TWI563121B 用於電感耦合電漿蝕刻反應器之氣體分配噴淋頭有权
简体标题：用于电感耦合等离子蚀刻反应器之气体分配喷淋头
公开(公告)号：TWI563121B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW101119590
申请日：2012-05-31
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：肯麥可 , KANG, MICHAEL , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 肯沃西意恩J , KENWORTHY, IAN J.
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/52 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/30604 , B05B1/185 , B05D1/62 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/505 , C23C16/507 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J2237/3341 , H01L21/30655 , H01L21/67069

4. 发明专利

TWI559392B 電漿蝕刻反應器之陶瓷噴淋頭用之氣體分配系統有权
简体标题：等离子蚀刻反应器之陶瓷喷淋头用之气体分配系统
公开(公告)号：TWI559392B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW101119341
申请日：2012-05-30
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：肯麥可 , KANG, MICHAEL , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/30604 , B05B1/185 , B05D1/62 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/505 , C23C16/507 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J2237/3341 , H01L21/30655 , H01L21/67069

5. 发明专利

TW201250831A 電漿蝕刻反應器之陶瓷噴淋頭用之氣體分配系統 GAS DISTRIBUTION SYSTEM FOR CERAMIC SHOWERHEAD OF PLASMA ETCH REACTOR 审中-公开
简体标题：等离子蚀刻反应器之陶瓷喷淋头用之气体分配系统 GAS DISTRIBUTION SYSTEM FOR CERAMIC SHOWERHEAD OF PLASMA ETCH REACTOR
公开(公告)号：TW201250831A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101119341
申请日：2012-05-30
申请人：蘭姆研究公司
发明人：肯麥可 , 派特森艾立克斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/30604 , B05B1/185 , B05D1/62 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/505 , C23C16/507 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J2237/3341 , H01L21/30655 , H01L21/67069
摘要：一種陶瓷噴淋頭用之氣體輸送系統包含氣體連接區塊以及一氣體環,該氣體連接區塊係安裝於該氣體環上,俾使區塊中之氣體出口輸送處理氣體至噴淋頭之外緣內的氣體入口。該氣體環包含其中具有通道之一底環以及一包圍該等通道之焊接蓋板。該氣體環可包含一延伸該氣體環1/2長度之第一通道、兩個在其中間點連接至該第一通道之下游末端的第二通道、以及四個在其中間點連接至該等第二通道之下游末端的第三通道。該蓋板可包含一圍住該第一通道之第一區、兩個在其中間點連接至該第一區末端之第二區、以及在其中間點連接至該第二區之末端的第三區。該等通道之設置乃使處理氣體自氣體環之單一氣體入口至蓋板之八個出口的移動長度相等、而使氣體流相等。
简体摘要：一种陶瓷喷淋头用之气体输送系统包含气体连接区块以及一气体环,该气体连接区块系安装于该气体环上,俾使区块中之气体出口输送处理气体至喷淋头之外缘内的气体入口。该气体环包含其中具有信道之一底环以及一包围该等信道之焊接盖板。该气体环可包含一延伸该气体环1/2长度之第一信道、两个在其中间点连接至该第一信道之下游末端的第二信道、以及四个在其中间点连接至该等第二信道之下游末端的第三信道。该盖板可包含一围住该第一信道之第一区、两个在其中间点连接至该第一区末端之第二区、以及在其中间点连接至该第二区之末端的第三区。该等信道之设置乃使处理气体自气体环之单一气体入口至盖板之八个出口的移动长度相等、而使气体流相等。

6. 发明专利

TW201230165A 半導體基板支座之溫度控制設備及方法 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE CONTROL OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SUPPORT 审中-公开
简体标题：半导体基板支座之温度控制设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE CONTROL OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SUPPORT
公开(公告)号：TW201230165A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100114490
申请日：2011-04-26
申请人：蘭姆研究公司
发明人：瑞絲安東尼 , 艾略爾沙瑞伯 , 肯麥可 , 布吉馬修
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67248 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/67109
摘要：一種基板支座之再循環系統,該基板支座之上係支撐著在一真空室之中受一多步驟處理的一半導體基板,此系統包含一基板支座,具有位在其底座之中的至少一液體流道、一入口及一出口,與該流道呈流體連通、一供流管,與該入口呈流體連通、及一回流管,與該出口呈流體連通;一第一再循環器,與該供流管及該回流管呈流體連通而提供溫度為T1的液體;一第二再循環器,與該供流管及該回流管呈流體連通而提供溫度為T2的液體,而溫度T2係高於溫度T1至少10℃;一預冷單元,連接至該入口及該出口而提供溫度為Tpc的液體,而溫度Tpc係低於T1至少10℃;一預熱單元,連接至該入口及該出口而提供溫度為Tph的液體,而溫度Tph係高於T2至少10℃;一控制器,可受操作地選擇性操作該再循環系統的閥件,俾能使液體在該流道與該第一再循環器、該第二再循環器、該預冷單元或該預熱單元之間再循環。
简体摘要：一种基板支座之再循环系统,该基板支座之上系支撑着在一真空室之中受一多步骤处理的一半导体基板,此系统包含一基板支座,具有位在其底座之中的至少一液体流道、一入口及一出口,与该流道呈流体连通、一供流管,与该入口呈流体连通、及一回流管,与该出口呈流体连通;一第一再循环器,与该供流管及该回流管呈流体连通而提供温度为T1的液体;一第二再循环器,与该供流管及该回流管呈流体连通而提供温度为T2的液体,而温度T2系高于温度T1至少10℃;一预冷单元,连接至该入口及该出口而提供温度为Tpc的液体,而温度Tpc系低于T1至少10℃;一预热单元,连接至该入口及该出口而提供温度为Tph的液体,而温度Tph系高于T2至少10℃;一控制器,可受操作地选择性操作该再循环系统的阀件,俾能使液体在该流道与该第一再循环器、该第二再循环器、该预冷单元或该预热单元之间再循环。

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