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1. 发明专利

TWI664408B 微機械壓力感測器裝置及相關製造方法（一）有权
简体标题：微机械压力传感器设备及相关制造方法（一）
公开(公告)号：TWI664408B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW104100927
申请日：2015-01-12
申请人：德商羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：凱爾貝爾阿爾德 , KAELBERER, ARND , 蘭穆斯猶根 , REINMUTH, JOCHEN , 克拉森約翰尼斯 , CLASSEN, JOHANNES
IPC分类号： G01L9/12 , G01P15/125 , B81B3/00 , B81B7/02 , B81C1/00

2. 发明专利

TW201538945A 微機械壓力感測器裝置及相關製造方法（一）审中-公开
简体标题：微机械压力传感器设备及相关制造方法（一）
公开(公告)号：TW201538945A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104100927
申请日：2015-01-12
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：凱爾貝爾阿爾德 , KAELBERER, ARND , 蘭穆斯猶根 , REINMUTH, JOCHEN , 克拉森約翰尼斯 , CLASSEN, JOHANNES
IPC分类号： G01L9/12 , G01P15/125 , B81B3/00 , B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： G01L9/0041 , B81B7/0048 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , G01L9/0073 , G01L13/026 , G01L19/0636
摘要：一種微機械壓力感測器裝置及一種相關的製造方法。該微機械壓力感測器裝置包括一具有正面(VSa)及背面(RSa)之ASIC晶圓(1a)，以及構建於該ASIC晶圓(1a)之正面(VSa)上的重佈機構(25a)，該重佈機構包含多個堆疊式導電通路平面(LB0，LB1)及絕緣層(I)。該微機械壓力感測器裝置還包括一具有正面(VS)及背面(RS)之MEMS晶圓(1)、一構建於該MEMS晶圓(1)之正面(VS)的上方的第一微機械功能層(3)，以及一構建於該第一微機械功能層(3)上方的第二微機械功能層(5)。在該第一及第二微機械功能層(3；5)中的一個中構建有實施為一可偏轉的第一壓力偵測電極的膜片區域(16；16a；16')，該第一壓力偵測電極係可透過該MEMS晶圓(1)中之通孔(12；12'；12a')被施加壓力。在該第一及第二微機械功能層(3；5)中的另一個中以相對該膜片區域(16；16a； 16')間隔一定距離的方式構建有靜止式第二壓力偵測電極(11'；11"；11'''；11''''；11a；111)。該第二微機械功能層(5)係透過接合連接(7；7，7a；7，7b)以某種方式與該重佈機構(25a)連接，使得該靜止式第二壓力偵測電極(11'；11"；11'''；11''''；11a；111)被包含在空穴(9；9a)中。
简体摘要：一种微机械压力传感器设备及一种相关的制造方法。该微机械压力传感器设备包括一具有正面(VSa)及背面(RSa)之ASIC晶圆(1a)，以及构建于该ASIC晶圆(1a)之正面(VSa)上的重布机构(25a)，该重布机构包含多个堆栈式导电通路平面(LB0，LB1)及绝缘层(I)。该微机械压力传感器设备还包括一具有正面(VS)及背面(RS)之MEMS晶圆(1)、一构建于该MEMS晶圆(1)之正面(VS)的上方的第一微机械功能层(3)，以及一构建于该第一微机械功能层(3)上方的第二微机械功能层(5)。在该第一及第二微机械功能层(3；5)中的一个中构建有实施为一可偏转的第一压力侦测电极的膜片区域(16；16a；16')，该第一压力侦测电极系可透过该MEMS晶圆(1)中之通孔(12；12'；12a')被施加压力。在该第一及第二微机械功能层(3；5)中的另一个中以相对该膜片区域(16；16a； 16')间隔一定距离的方式构建有静止式第二压力侦测电极(11'；11"；11'''；11''''；11a；111)。该第二微机械功能层(5)系透过接合连接(7；7，7a；7，7b)以某种方式与该重布机构(25a)连接，使得该静止式第二压力侦测电极(11'；11"；11'''；11''''；11a；111)被包含在空穴(9；9a)中。

3. 发明专利

TW201725173A 用於製造多層ＭＥＭＳ組件的方法及相應的多層ＭＥＭＳ組件审中-公开
简体标题：用于制造多层ＭＥＭＳ组件的方法及相应的多层ＭＥＭＳ组件
公开(公告)号：TW201725173A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW106101098
申请日：2017-01-13
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：凱爾貝爾阿爾德 , KAELBERER, ARND , 希爾克克里斯安 , ZIELKE, CHRISTIAN , 阿特曼漢斯 , ARTMANN, HANS , 布萊雪德歐利夫 , BREITSCHAEDEL, OLIVER , 史達費德彼得伯溫 , STAFFELD, PETER BORWIN
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/20 , H01L21/02 , H01L29/84 , B81B7/02
CPC分类号： B81C1/0069 , B81C2201/0191 , B81C2201/0195
摘要：本發明提供一種用於製造一多層MEMS組件的方法及一相應的MEMS組件。該方法包含以下步驟：提供一多層基板(1、2、3；1a、2、3)，其包含一單晶載體層(1、1a)、具有一前側(V)及一背側(R)之一單晶功能層(3)，及位於該背側(R)與該載體層(1)之間的一接合層(2)；使一第一多晶層(4；4a；4b)在該單晶功能層(3)之該前側(V)上方生長；移除該單晶載體層(1、1a)；及使一第二多晶層(40；40a；40b)在該單晶功能層(3)之該背側(R)上方生長。
简体摘要：本发明提供一种用于制造一多层MEMS组件的方法及一相应的MEMS组件。该方法包含以下步骤：提供一多层基板(1、2、3；1a、2、3)，其包含一单晶载体层(1、1a)、具有一前侧(V)及一背侧(R)之一单晶功能层(3)，及位于该背侧(R)与该载体层(1)之间的一接合层(2)；使一第一多晶层(4；4a；4b)在该单晶功能层(3)之该前侧(V)上方生长；移除该单晶载体层(1、1a)；及使一第二多晶层(40；40a；40b)在该单晶功能层(3)之该背侧(R)上方生长。

4. 发明专利

TWI616396B 製造微機械構件的方法有权
简体标题：制造微机械构件的方法
公开(公告)号：TWI616396B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW103122758
申请日：2014-07-02
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：凱爾貝爾阿爾德 , KAELBERER, ARND , 蘭穆斯猶根 , REINMUTH, JOCHEN , 克拉森約翰尼斯 , CLASSEN, JOHANNES
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00 , B81B3/00 , H04R1/00
CPC分类号： B81B3/0037 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81B2207/095 , B81C1/00682 , G01L9/0072 , H04R19/04 , H04R31/00

5. 发明专利

TWI531793B 測定一感測器靈敏度的方法以及感測器，特別是磁場感測器有权
简体标题：测定一传感器灵敏度的方法以及传感器，特别是磁场传感器
公开(公告)号：TWI531793B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW099139318
申请日：2010-11-16
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：克拉森約翰尼斯 , CLASSEN, JOHANNES , 凱爾貝爾阿爾德 , KAELBERER, ARND , 法依斯漢斯約克 , FAISST, HANS-JOERG , 法蘭克阿克瑟 , FRANKE, AXEL , 哈塔斯米爾科 , HATTASS, MIRKO , 朗克賀格 , RANK, HOLGER , 薩特勒羅伯 , SATTLER, ROBERT , 布曼亞歷山大 , BUHMANN, ALEXANDER , 馬斯羅曼那 , MAAS, RAMONA , 科克馬力安 , KECK, MARIAN
IPC分类号： G01P21/00 , G01P15/125 , G01R33/02
CPC分类号： G01R33/0286 , B81C99/003 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P21/00

6. 发明专利

TW201643101A 製造層序的微電機械構造的方法及具有微電機械構造的相關電子構件审中-公开
简体标题：制造层序的微电机械构造的方法及具有微电机械构造的相关电子构件
公开(公告)号：TW201643101A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105111808
申请日：2016-04-15
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：阿特曼漢斯 , ARTMANN, HANS , 凱爾貝爾阿爾德 , KAELBERER, ARND , 希爾克克里斯安 , ZIELKE, CHRISTIAN , 布萊雪德歐利夫 , BREITSCHAEDEL, OLIVER , 史達費德彼得伯溫 , STAFFELD, PETER BORWIN
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2203/0118 , B81C2201/014
摘要：一種製造層序的微電機械構造(ME1)的方法及一種具有微電機械構造的相關電子構件。該方法包括：提供具有第一表面(10)的載體基板(T1)；將絕緣層(I1)鍍覆至該第一表面(10)；在該絕緣層(I1)上磊晶生長第一矽層(S1)；對該第一矽層(S1)進行結構化處理，以在該第一矽層(S1)中構建若干溝槽(G)；對該第一矽層(S1)進行鈍化，其中將該等溝槽(G)填滿並在背離該第一表面(10)的一面上形成鈍化層(P)；對該鈍化層(P)進行結構化處理，其中在該第一矽層(S1)中構建若干犧牲區域(O1)及功能區域(F1)，該等犧牲區域(O1)在背離該載體基板(T1)的一面上至少局部地未設置該鈍化層(P)；以及最後，將該等犧牲區域(O1)移除。
简体摘要：一种制造层序的微电机械构造(ME1)的方法及一种具有微电机械构造的相关电子构件。该方法包括：提供具有第一表面(10)的载体基板(T1)；将绝缘层(I1)镀覆至该第一表面(10)；在该绝缘层(I1)上磊晶生长第一硅层(S1)；对该第一硅层(S1)进行结构化处理，以在该第一硅层(S1)中构建若干沟槽(G)；对该第一硅层(S1)进行钝化，其中将该等沟槽(G)填满并在背离该第一表面(10)的一面上形成钝化层(P)；对该钝化层(P)进行结构化处理，其中在该第一硅层(S1)中构建若干牺牲区域(O1)及功能区域(F1)，该等牺牲区域(O1)在背离该载体基板(T1)的一面上至少局部地未设置该钝化层(P)；以及最后，将该等牺牲区域(O1)移除。

7. 发明专利

TW201512076A 微機械構件與製造微機械構件的方法审中-公开
简体标题：微机械构件与制造微机械构件的方法
公开(公告)号：TW201512076A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103122758
申请日：2014-07-02
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：凱爾貝爾阿爾德 , KAELBERER, ARND , 蘭穆斯猶根 , REINMUTH, JOCHEN , 克拉森約翰尼斯 , CLASSEN, JOHANNES
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00 , B81B3/00 , H04R1/00
CPC分类号： B81B3/0037 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81B2207/095 , B81C1/00682 , G01L9/0072 , H04R19/04 , H04R31/00
摘要：本發明係有關於一種微機械構件，具有基板(10)，其包括在該基板(10)的功能性頂面(10a)中結構化之空腔(12)；至少部分導電的膜片(24)，其將該空腔(12)至少部分覆蓋；及，對應電極(42)，其以間隔一定距離的方式佈置在該膜片(24)的一遠離該基板(10)的外側上，使得在該對應電極(42)與該至少部分導電的膜片(24)之間存在自由空間(52)，其中，該至少部分導電的膜片(24)係夾緊在至少部分地遮蓋該基板(10)之功能性頂面(10a)的至少一絕緣材料(20)上或上方，以及，在該空腔(12)上以某種方式構建有至少一壓力入口(56)，使得該至少部分導電的膜片(24)可藉由一自該微機械構件之外部環境流入該空腔(12)的氣態介質而朝該自由空間(52)彎曲。本發明亦有關於一種製造微機械構件的製造方法。
简体摘要：本发明系有关于一种微机械构件，具有基板(10)，其包括在该基板(10)的功能性顶面(10a)中结构化之空腔(12)；至少部分导电的膜片(24)，其将该空腔(12)至少部分覆盖；及，对应电极(42)，其以间隔一定距离的方式布置在该膜片(24)的一远离该基板(10)的外侧上，使得在该对应电极(42)与该至少部分导电的膜片(24)之间存在自由空间(52)，其中，该至少部分导电的膜片(24)系夹紧在至少部分地遮盖该基板(10)之功能性顶面(10a)的至少一绝缘材料(20)上或上方，以及，在该空腔(12)上以某种方式构建有至少一压力入口(56)，使得该至少部分导电的膜片(24)可借由一自该微机械构件之外部环境流入该空腔(12)的气态介质而朝该自由空间(52)弯曲。本发明亦有关于一种制造微机械构件的制造方法。

8. 发明专利

TWI680940B 製造層序的微電機械構造的方法及具有微電機械構造的相關電子構件有权
简体标题：制造层序的微电机械构造的方法及具有微电机械构造的相关电子构件
公开(公告)号：TWI680940B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW105111808
申请日：2016-04-15
申请人：德商羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：阿特曼漢斯 , ARTMANN, HANS , 凱爾貝爾阿爾德 , KAELBERER, ARND , 希爾克克里斯安 , ZIELKE, CHRISTIAN , 布萊雪德歐利夫 , BREITSCHAEDEL, OLIVER , 史達費德彼得伯溫 , STAFFELD, PETER BORWIN
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02

9. 发明专利

TWI646041B 微機械感測器裝置有权
简体标题：微机械传感器设备
公开(公告)号：TWI646041B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW103138289
申请日：2014-11-05
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：福雷顏斯 , FREY, JENS , 凱爾貝爾阿爾德 , KAELBERER, ARND , 蘭穆斯猶根 , REINMUTH, JOCHEN , 克拉森約翰尼斯 , CLASSEN, JOHANNES
IPC分类号： B81B7/02 , H01L21/50 , B81C1/00

10. 发明专利

TW201735094A 蝕刻裝置和蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻设备和蚀刻方法
公开(公告)号：TW201735094A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106101386
申请日：2017-01-16
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：凱爾貝爾阿爾德 , KAELBERER, ARND , 希爾克克里斯安 , ZIELKE, CHRISTIAN , 阿特曼漢斯 , ARTMANN, HANS , 布萊雪德歐利夫 , BREITSCHAEDEL, OLIVER , 史達費德彼得伯溫 , STAFFELD, PETER BORWIN
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32449 , H01J37/32798 , H01J2237/334
摘要：本發明提供一種蝕刻裝置和蝕刻方法。該蝕刻裝置包含：一蝕刻腔室(1；1a)及一夾盤(CH)，該夾盤(CH)位於該蝕刻腔室(1；1a)中以用於安裝一待蝕刻基板(S)；一電漿產生裝置(C)，其在一區域(1a)中環繞該蝕刻腔室(1；1a)；及一氣體噴嘴分配裝置(10)，其用於引入蝕刻氣體，將該氣體噴嘴分配裝置(10)配置於該夾盤(CH)上方，使得一蝕刻氣體流(GS)實質上垂直地導向至該待蝕刻基板(S)之一表面(OF)上。一移動機構允許取決於蝕刻模式而改變該氣體噴嘴分配裝置(10)與該夾盤(CH)之間的距離。
简体摘要：本发明提供一种蚀刻设备和蚀刻方法。该蚀刻设备包含：一蚀刻腔室(1；1a)及一夹盘(CH)，该夹盘(CH)位于该蚀刻腔室(1；1a)中以用于安装一待蚀刻基板(S)；一等离子产生设备(C)，其在一区域(1a)中环绕该蚀刻腔室(1；1a)；及一气体喷嘴分配设备(10)，其用于引入蚀刻气体，将该气体喷嘴分配设备(10)配置于该夹盘(CH)上方，使得一蚀刻气体流(GS)实质上垂直地导向至该待蚀刻基板(S)之一表面(OF)上。一移动机构允许取决于蚀刻模式而改变该气体喷嘴分配设备(10)与该夹盘(CH)之间的距离。

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