专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI649256B 具可樞轉的面鏡元件的梳狀驅動器有权
简体标题：具可枢转的面镜组件的梳状驱动器
公开(公告)号：TWI649256B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW103142574
申请日：2014-12-08
申请人：德商羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：阿特曼漢斯 , ARTMANN, HANS , 蘭穆斯猶根 , REINMUTH, JOCHEN , 蘇帝彼德 , SUDY, PETER
IPC分类号： B81B7/02 , B81B3/00 , G02B26/10 , G02B5/08

2. 发明专利

TW201643101A 製造層序的微電機械構造的方法及具有微電機械構造的相關電子構件审中-公开
简体标题：制造层序的微电机械构造的方法及具有微电机械构造的相关电子构件
公开(公告)号：TW201643101A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105111808
申请日：2016-04-15
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：阿特曼漢斯 , ARTMANN, HANS , 凱爾貝爾阿爾德 , KAELBERER, ARND , 希爾克克里斯安 , ZIELKE, CHRISTIAN , 布萊雪德歐利夫 , BREITSCHAEDEL, OLIVER , 史達費德彼得伯溫 , STAFFELD, PETER BORWIN
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2203/0118 , B81C2201/014
摘要：一種製造層序的微電機械構造(ME1)的方法及一種具有微電機械構造的相關電子構件。該方法包括：提供具有第一表面(10)的載體基板(T1)；將絕緣層(I1)鍍覆至該第一表面(10)；在該絕緣層(I1)上磊晶生長第一矽層(S1)；對該第一矽層(S1)進行結構化處理，以在該第一矽層(S1)中構建若干溝槽(G)；對該第一矽層(S1)進行鈍化，其中將該等溝槽(G)填滿並在背離該第一表面(10)的一面上形成鈍化層(P)；對該鈍化層(P)進行結構化處理，其中在該第一矽層(S1)中構建若干犧牲區域(O1)及功能區域(F1)，該等犧牲區域(O1)在背離該載體基板(T1)的一面上至少局部地未設置該鈍化層(P)；以及最後，將該等犧牲區域(O1)移除。
简体摘要：一种制造层序的微电机械构造(ME1)的方法及一种具有微电机械构造的相关电子构件。该方法包括：提供具有第一表面(10)的载体基板(T1)；将绝缘层(I1)镀覆至该第一表面(10)；在该绝缘层(I1)上磊晶生长第一硅层(S1)；对该第一硅层(S1)进行结构化处理，以在该第一硅层(S1)中构建若干沟槽(G)；对该第一硅层(S1)进行钝化，其中将该等沟槽(G)填满并在背离该第一表面(10)的一面上形成钝化层(P)；对该钝化层(P)进行结构化处理，其中在该第一硅层(S1)中构建若干牺牲区域(O1)及功能区域(F1)，该等牺牲区域(O1)在背离该载体基板(T1)的一面上至少局部地未设置该钝化层(P)；以及最后，将该等牺牲区域(O1)移除。

3. 发明专利

TW201725173A 用於製造多層ＭＥＭＳ組件的方法及相應的多層ＭＥＭＳ組件审中-公开
简体标题：用于制造多层ＭＥＭＳ组件的方法及相应的多层ＭＥＭＳ组件
公开(公告)号：TW201725173A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW106101098
申请日：2017-01-13
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：凱爾貝爾阿爾德 , KAELBERER, ARND , 希爾克克里斯安 , ZIELKE, CHRISTIAN , 阿特曼漢斯 , ARTMANN, HANS , 布萊雪德歐利夫 , BREITSCHAEDEL, OLIVER , 史達費德彼得伯溫 , STAFFELD, PETER BORWIN
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/20 , H01L21/02 , H01L29/84 , B81B7/02
CPC分类号： B81C1/0069 , B81C2201/0191 , B81C2201/0195
摘要：本發明提供一種用於製造一多層MEMS組件的方法及一相應的MEMS組件。該方法包含以下步驟：提供一多層基板(1、2、3；1a、2、3)，其包含一單晶載體層(1、1a)、具有一前側(V)及一背側(R)之一單晶功能層(3)，及位於該背側(R)與該載體層(1)之間的一接合層(2)；使一第一多晶層(4；4a；4b)在該單晶功能層(3)之該前側(V)上方生長；移除該單晶載體層(1、1a)；及使一第二多晶層(40；40a；40b)在該單晶功能層(3)之該背側(R)上方生長。
简体摘要：本发明提供一种用于制造一多层MEMS组件的方法及一相应的MEMS组件。该方法包含以下步骤：提供一多层基板(1、2、3；1a、2、3)，其包含一单晶载体层(1、1a)、具有一前侧(V)及一背侧(R)之一单晶功能层(3)，及位于该背侧(R)与该载体层(1)之间的一接合层(2)；使一第一多晶层(4；4a；4b)在该单晶功能层(3)之该前侧(V)上方生长；移除该单晶载体层(1、1a)；及使一第二多晶层(40；40a；40b)在该单晶功能层(3)之该背侧(R)上方生长。

4. 发明专利

TW201534552A 具可樞轉的面鏡元件的嚙合驅動器审中-公开
简体标题：具可枢转的面镜组件的啮合驱动器
公开(公告)号：TW201534552A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103142574
申请日：2014-12-08
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：阿特曼漢斯 , ARTMANN, HANS , 蘭穆斯猶根 , REINMUTH, JOCHEN , 蘇帝彼德 , SUDY, PETER
IPC分类号： B81B7/02 , B81B3/00 , G02B26/10 , G02B5/08
CPC分类号： G02B26/0841 , G02B26/0816
摘要：一種具可樞轉的面鏡元件的嚙合驅動器，其中該嚙合驅動器具有第一嚙合電極及第二嚙合電極，其中該第二嚙合電極可沿偏移方向相對於該第一嚙合電極由最小偏移位置轉移至最大偏移位置，其中該第二嚙合電極透過可繞樞轉軸樞轉的桿臂連接該面鏡元件，其中該第一嚙合電極與該第二嚙合電極如此這般嚙合佈置，使得該第一嚙合電極的第一嚙合齒與該第二嚙合電極的第二嚙合齒沿垂直於該偏移方向延伸的投影方向相鄰佈置，其特徵在於，該第一嚙合齒及/或該第二嚙合齒被構造成使得在該第二嚙合電極由該最小偏移方向轉移至該最大偏移位置過程中，該第一嚙合齒與該第二嚙合齒之間的平均距離沿該垂直於該偏移方向延伸的投影方向減小。
简体摘要：一种具可枢转的面镜组件的啮合驱动器，其中该啮合驱动器具有第一啮合电极及第二啮合电极，其中该第二啮合电极可沿偏移方向相对于该第一啮合电极由最小偏移位置转移至最大偏移位置，其中该第二啮合电极透过可绕枢转轴枢转的杆臂连接该面镜组件，其中该第一啮合电极与该第二啮合电极如此这般啮合布置，使得该第一啮合电极的第一啮合齿与该第二啮合电极的第二啮合齿沿垂直于该偏移方向延伸的投影方向相邻布置，其特征在于，该第一啮合齿及/或该第二啮合齿被构造成使得在该第二啮合电极由该最小偏移方向转移至该最大偏移位置过程中，该第一啮合齿与该第二啮合齿之间的平均距离沿该垂直于该偏移方向延伸的投影方向减小。

5. 发明专利

TWI680940B 製造層序的微電機械構造的方法及具有微電機械構造的相關電子構件有权
简体标题：制造层序的微电机械构造的方法及具有微电机械构造的相关电子构件
公开(公告)号：TWI680940B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW105111808
申请日：2016-04-15
申请人：德商羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：阿特曼漢斯 , ARTMANN, HANS , 凱爾貝爾阿爾德 , KAELBERER, ARND , 希爾克克里斯安 , ZIELKE, CHRISTIAN , 布萊雪德歐利夫 , BREITSCHAEDEL, OLIVER , 史達費德彼得伯溫 , STAFFELD, PETER BORWIN
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02

6. 发明专利

TW201735094A 蝕刻裝置和蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻设备和蚀刻方法
公开(公告)号：TW201735094A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106101386
申请日：2017-01-16
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：凱爾貝爾阿爾德 , KAELBERER, ARND , 希爾克克里斯安 , ZIELKE, CHRISTIAN , 阿特曼漢斯 , ARTMANN, HANS , 布萊雪德歐利夫 , BREITSCHAEDEL, OLIVER , 史達費德彼得伯溫 , STAFFELD, PETER BORWIN
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32449 , H01J37/32798 , H01J2237/334
摘要：本發明提供一種蝕刻裝置和蝕刻方法。該蝕刻裝置包含：一蝕刻腔室(1；1a)及一夾盤(CH)，該夾盤(CH)位於該蝕刻腔室(1；1a)中以用於安裝一待蝕刻基板(S)；一電漿產生裝置(C)，其在一區域(1a)中環繞該蝕刻腔室(1；1a)；及一氣體噴嘴分配裝置(10)，其用於引入蝕刻氣體，將該氣體噴嘴分配裝置(10)配置於該夾盤(CH)上方，使得一蝕刻氣體流(GS)實質上垂直地導向至該待蝕刻基板(S)之一表面(OF)上。一移動機構允許取決於蝕刻模式而改變該氣體噴嘴分配裝置(10)與該夾盤(CH)之間的距離。
简体摘要：本发明提供一种蚀刻设备和蚀刻方法。该蚀刻设备包含：一蚀刻腔室(1；1a)及一夹盘(CH)，该夹盘(CH)位于该蚀刻腔室(1；1a)中以用于安装一待蚀刻基板(S)；一等离子产生设备(C)，其在一区域(1a)中环绕该蚀刻腔室(1；1a)；及一气体喷嘴分配设备(10)，其用于引入蚀刻气体，将该气体喷嘴分配设备(10)配置于该夹盘(CH)上方，使得一蚀刻气体流(GS)实质上垂直地导向至该待蚀刻基板(S)之一表面(OF)上。一移动机构允许取决于蚀刻模式而改变该气体喷嘴分配设备(10)与该夹盘(CH)之间的距离。

7. 发明专利

TW201603153A 具有至少一在載體基材中的貫穿接點的半導體構件以及製造這種貫穿接點的方法审中-公开
简体标题：具有至少一在载体基材中的贯穿接点的半导体构件以及制造这种贯穿接点的方法
公开(公告)号：TW201603153A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104118100
申请日：2015-06-04
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：阿特曼漢斯 , ARTMANN, HANS , 貝爾格曼依馮娜 , BERGMANN, YVONNE
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/50 , H01L27/118 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種即使在較厚的載體基材中也能做具有一定電性質及高機械穩定性的措施，其中該一種半導體構件，具有一載體基材(10)，至少一配線平面(17)，位在該載體基材(10)的前側，及至少一貫穿接點(110)，其從該前側之配線平面(17)一直延伸到該載體基材(10)為止且造成該前側的配線平面(17)與在貫穿接點(110)的腳點的一導線路(18)之間的連接，其中該貫穿接點(110)做成該載體基材(10)中的一前側貫穿接點開口(11)的形式，該貫穿接點開口(11)至少部分地用一導電的材料(13)充填，其中，該貫穿接點開口(11)利用四個連續在該貫穿接點開口(11)的壁上產生的層(12)~(16)完全充填，該層(12)~(16)的數目、材料、厚度及順序依該貫穿接點(11a)的所要的電阻以及依該貫穿接點(110)的所要機械性質而定作選設。此外還關於一種在一半導體構件的載體基材的貫穿接點的方法，其中：在該載體基材(10)的前側至少產生一個貫穿接點開口(11)，其具有一定的圖像寬高比，先在該載體基材(10)的構造化的前側，特別是在該貫穿接點開口(11)的壁上產生一個由介電材料構成的一第一層(12)，然後在該貫穿接點開口(11)的壁上施加一由導電材料構成的層(13)及將該貫穿接點開口(11)完全充填，其中，該貫穿接點開口(11)的充填係反覆地藉著施加一系列的至少四個層(12)~(16)達成，該層(12)~(16)由介電及導電材料構成，其中該些層(12)~(16)的數目、材料、厚度及順序係依該貫穿接點(110)的所要的電阻及依該貫穿接點(110)的所要之機械性質而定作選設。
简体摘要：一种即使在较厚的载体基材中也能做具有一定电性质及高机械稳定性的措施，其中该一种半导体构件，具有一载体基材(10)，至少一配线平面(17)，位在该载体基材(10)的前侧，及至少一贯穿接点(110)，其从该前侧之配线平面(17)一直延伸到该载体基材(10)为止且造成该前侧的配线平面(17)与在贯穿接点(110)的脚点的一导线路(18)之间的连接，其中该贯穿接点(110)做成该载体基材(10)中的一前侧贯穿接点开口(11)的形式，该贯穿接点开口(11)至少部分地用一导电的材料(13)充填，其中，该贯穿接点开口(11)利用四个连续在该贯穿接点开口(11)的壁上产生的层(12)~(16)完全充填，该层(12)~(16)的数目、材料、厚度及顺序依该贯穿接点(11a)的所要的电阻以及依该贯穿接点(110)的所要机械性质而定作选设。此外还关于一种在一半导体构件的载体基材的贯穿接点的方法，其中：在该载体基材(10)的前侧至少产生一个贯穿接点开口(11)，其具有一定的图像宽高比，先在该载体基材(10)的构造化的前侧，特别是在该贯穿接点开口(11)的壁上产生一个由介电材料构成的一第一层(12)，然后在该贯穿接点开口(11)的壁上施加一由导电材料构成的层(13)及将该贯穿接点开口(11)完全充填，其中，该贯穿接点开口(11)的充填系反复地借着施加一系列的至少四个层(12)~(16)达成，该层(12)~(16)由介电及导电材料构成，其中该些层(12)~(16)的数目、材料、厚度及顺序系依该贯穿接点(110)的所要的电阻及依该贯穿接点(110)的所要之机械性质而定作选设。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式