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1. 发明专利

TW505962B 切割材料塊的方法及薄膜形成技術有权
简体标题：切割材料块的方法及薄膜形成技术
公开(公告)号：TW505962B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW090116949
申请日：2001-07-11
申请人：原子能委原會
发明人：柏納德亞斯派 , 克里斯泰爾拉加葉
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254 , B81C1/0038 , B81C2201/0191 , B81C2201/0192 , H01L21/2007 , Y10T156/1153 , Y10T156/1158 , Y10T156/1184 , Y10T156/1911 , Y10T156/1967
摘要：一種方法，係用於切割材料塊(10)，其係包括以下的階段：
(a)在材料塊中形成埋藏區(12)，藉由至少一離子引入
的階段加以脆化，埋藏區定出材料塊之至少一表面
部分(14)，
(b)藉由使用分離之第一方法於至少一分離引發劑(30，
36)之脆化區的位置形成，該等方法係可由以下加以
選擇：嵌入一工具、注射一種流體、熱處理及/或注
入離子(係與前階段中所引入之離子的本質不同)及
(c)在材料塊之表面部分(14)的脆化區位置自其餘之部
分(16)(所謂的質量部分)分離，藉由使用第二方法自
分離引發劑(30，36)分離，該方法係與第一分離方
法不同，係可由以下加以選擇：熱處理及/或施加機
械力作用在表面部分與脆化區之間。
此應用係用在製造供微電子學、光學電子學或微機械所用之元件。
简体摘要：一种方法，系用于切割材料块(10)，其系包括以下的阶段： (a)在材料块中形成埋藏区(12)，借由至少一离子引入的阶段加以脆化，埋藏区定出材料块之至少一表面部分(14)， (b)借由使用分离之第一方法于至少一分离引发剂(30， 36)之脆化区的位置形成，该等方法系可由以下加以选择：嵌入一工具、注射一种流体、热处理及/或注入离子(系与前阶段中所引入之离子的本质不同)及 (c)在材料块之表面部分(14)的脆化区位置自其余之部分(16)(所谓的质量部分)分离，借由使用第二方法自分离引发剂(30，36)分离，该方法系与第一分离方法不同，系可由以下加以选择：热处理及/或施加机械力作用在表面部分与脆化区之间。此应用系用在制造供微电子学、光学电子学或微机械所用之组件。

2. 发明专利

TWI389840B 貼花轉移微影有权
简体标题：贴花转移微影
公开(公告)号：TWI389840B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW094129856
申请日：2005-08-31
申请人：美國伊利諾大學理事會 , THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS
发明人：勞弗G 努茲若 , NUZZO, RALPH G. , 威廉R 喬爾茲 , CHILDS, WILLIAM R. , 麥克J 莫塔拉 , MOTALA, MICHAEL J. , 李建宰 , LEE, KEON JAE
IPC分类号： B81C1/00 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/0002 , B81C1/0038 , B81C2201/0159 , B81C2201/0191 , B81C2203/038 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/34 , G03F7/346

3. 发明专利

TW200832513A 用於製造可印刷半導體結構、裝置及裝置元件的脫離對策 RELEASE STRATEGIES FOR MAKING PRINTABLE SEMICONDUCTOR STRUCTURES, DEVICES AND DEVICE COMPONENTS 审中-公开
简体标题：用于制造可印刷半导体结构、设备及设备组件的脱离对策 RELEASE STRATEGIES FOR MAKING PRINTABLE SEMICONDUCTOR STRUCTURES, DEVICES AND DEVICE COMPONENTS
公开(公告)号：TW200832513A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096135244
申请日：2007-09-20
申请人：美國伊利諾大學理事會 THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS
发明人：約翰A 羅傑斯 ROGERS, JOHN A. , 勞弗努茲若 NUZZO, RALPH , 馬修梅特 MEITL, MATTHEW , 高興助 KO, HEUNG CHO , 尹鍾勝 YOON, JONGSEUNG , 倚天恩梅納德 MENARD, ETIENNE , 亞弗萊德J 貝卡 BACA, ALFRED J.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0735 , B81C1/0046 , B81C2201/0191 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L21/7813 , H01L29/155 , H01L29/20 , H01L31/03046 , H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L31/184 , H01L31/1844 , H01L33/0079 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T156/1195 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種用於製造一裝置或裝置元件的方法,其係藉由提供具有複數個功能層與複數個脫離層之一多層結構並藉由分離該等脫離層之一或多個層來使該等功能層脫離該多層結構以產生複數個可印刷結構。將該等可印刷結構印刷於一裝置基板或藉由一裝置基板支撐的裝置元件上。該等方法及系統提供用於製造高品質與低成本的光電裝置、可印刷半導體結構、(光)電子裝置及裝置元件的方法。
简体摘要：本发明揭示一种用于制造一设备或设备组件的方法,其系借由提供具有复数个功能层与复数个脱离层之一多层结构并借由分离该等脱离层之一或多个层来使该等功能层脱离该多层结构以产生复数个可印刷结构。将该等可印刷结构印刷于一设备基板或借由一设备基板支撑的设备组件上。该等方法及系统提供用于制造高品质与低成本的光电设备、可印刷半导体结构、(光)电子设备及设备组件的方法。

5. 发明专利

TW201109269A 製造包含一微構造化或奈米構造化的構造元件的構件的方法 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EIN MIKRO-ODER NANOSTRUKTURIERTES BAUELEMENT UMFASSENDEN BAUTEILS 审中-公开
简体标题：制造包含一微构造化或奈米构造化的构造组件的构件的方法 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EIN MIKRO-ODER NANOSTRUKTURIERTES BAUELEMENT UMFASSENDEN BAUTEILS
公开(公告)号：TW201109269A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099129573
申请日：2010-09-02
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司
发明人：庫格勒安德亞斯 , 埃倫普佛德特里卡多 , 布魯德爾瑪堤亞斯 , 哈格弗里德爾 , 桑德麥爾弗里德爾 , 秀茲烏爾立克
IPC分类号： B81C , B82B , B81B , H01L
CPC分类号： H01L21/568 , B81B2207/096 , B81C1/00301 , B81C1/00357 , B81C2201/019 , B81C2201/0191 , B81C2203/0154 , G01F1/6845 , G01P1/023 , G01P15/0802 , H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/32245 , H01L2224/83005 , H01L2224/83132 , H01L2224/83192 , H01L2224/92144 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/1301 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/00
摘要：一種製造包含一微構造化或奈米構造化的構造元件(4)(4')的構件的方法,包含以下步驟:--提供一載體(1),該載體(1)包含一個施在該載體(1)上的連接層(2);--將另一個層(3)施在該連接層(2)的上側,其中該另一層(3)包含導電的範圍,其中該另一層(3)包含至少二個上下設置的不同層次,且其中該位在一層次的導電的範圍朝向該載體;--將至少一個微構造化或奈米構造化的構造元件(4)(4')施在該另一層(3);--將該微構造化或奈米構造化的構造元件(4)(4')用一包封物料(6)至少部分地包封;--將所得到的複合物--包含該包封物料(6),該至少一微構造化或奈米構造化的構造元件以及該另一層(3)--從該連接層(2)撕離。
简体摘要：一种制造包含一微构造化或奈米构造化的构造组件(4)(4')的构件的方法,包含以下步骤:--提供一载体(1),该载体(1)包含一个施在该载体(1)上的连接层(2);--将另一个层(3)施在该连接层(2)的上侧,其中该另一层(3)包含导电的范围,其中该另一层(3)包含至少二个上下设置的不同层次,且其中该位在一层次的导电的范围朝向该载体;--将至少一个微构造化或奈米构造化的构造组件(4)(4')施在该另一层(3);--将该微构造化或奈米构造化的构造组件(4)(4')用一包封物料(6)至少部分地包封;--将所得到的复合物--包含该包封物料(6),该至少一微构造化或奈米构造化的构造组件以及该另一层(3)--从该连接层(2)撕离。

6. 发明专利

TW200948708A 一維微奈米結構的移植方法审中-公开
简体标题：一维微奈米结构的移植方法
公开(公告)号：TW200948708A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW097119718
申请日：2008-05-28
申请人：國立臺灣大學
发明人：林清富 , 許書嘉 , 蕭傑予 , 劉孟岳
IPC分类号： B82B , H01L
CPC分类号： B81C1/00111 , B81B2207/056 , B81C2201/0191
摘要：一種一維微奈米結構的移植方法，鑑於習知特定材料的奈米線在使用方面受到很大的限制，提出一種利用轉移的移植技術，係先將已經做好的一維微奈米結構移植到另一個任意的基板上，而可使一維微奈米結構整合到不同的基板上，提供了多樣化的奈米線元件的製作以及開發。
简体摘要：一种一维微奈米结构的移植方法，鉴于习知特定材料的奈米线在使用方面受到很大的限制，提出一种利用转移的移植技术，系先将已经做好的一维微奈米结构移植到另一个任意的基板上，而可使一维微奈米结构集成到不同的基板上，提供了多样化的奈米线组件的制作以及开发。

7. 发明专利

TW200828522A 晶圓接合之可循環壓印裝置及可循環壓印製程 RECYCLABLE STAMP DEVICE AND RECYCLABLE STAMP PROCESS FOR WAFER BOND 审中-公开
简体标题：晶圆接合之可循环压印设备及可循环压印制程 RECYCLABLE STAMP DEVICE AND RECYCLABLE STAMP PROCESS FOR WAFER BOND
公开(公告)号：TW200828522A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW095149530
申请日：2006-12-28
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：陳駿 CHEN, JIUNN , 王盟仁 WANG, MENG JEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/50 , B81C1/00269 , B81C2201/0191 , H01L21/6835 , H01L23/10 , H01L23/544 , H01L2221/68359 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/16152 , H01L2924/16235 , H01L2924/00
摘要：一種可循環壓印裝置及可循環壓印製程。可循環壓印裝置包括一基底、一保護層、一堆疊結構及一封蓋。保護層係設置於基底上。一封蓋開口係位於保護層及基底,且封蓋開口係暴露出基底。堆疊結構包括一附著層、一應力控制層及一晶圓接合對準記號層。附著層係設置於保護層上及暴露之基底上。應力控制層係設置於附著層上。晶圓接合對準記號層係設置於應力控制層上。晶圓接合對準記號層具有一對準記號,且其係位於封蓋開口之一側。封蓋具有一覆蓋部,其係設置於對應封蓋開口之晶圓接合對準記號層上。
简体摘要：一种可循环压印设备及可循环压印制程。可循环压印设备包括一基底、一保护层、一堆栈结构及一封盖。保护层系设置于基底上。一封盖开口系位于保护层及基底,且封盖开口系暴露出基底。堆栈结构包括一附着层、一应力控制层及一晶圆接合对准记号层。附着层系设置于保护层上及暴露之基底上。应力控制层系设置于附着层上。晶圆接合对准记号层系设置于应力控制层上。晶圆接合对准记号层具有一对准记号,且其系位于封盖开口之一侧。封盖具有一覆盖部,其系设置于对应封盖开口之晶圆接合对准记号层上。

9. 发明专利

TW201534561A 奈米結構的轉移方法审中-公开
简体标题：奈米结构的转移方法
公开(公告)号：TW201534561A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103110590
申请日：2014-03-21
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：何宇俊 , HE, YU-JUN , 李東琦 , LI, DONG-QI , 李天一 , LI, TIAN-YI , 魏洋 , WEI, YANG , 姜開利 , JIANG, KAI-LI , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： B82Y40/00
CPC分类号： B32B37/025 , B32B37/12 , B32B37/30 , B32B38/08 , B32B38/10 , B32B2305/22 , B32B2309/16 , B32B2309/66 , B32B2311/04 , B32B2311/18 , B32B2311/24 , B32B2333/12 , B81B2207/056 , B81C1/00031 , B81C2201/0191 , B81C2201/0194 , B82B3/0014 , B82B3/0076
摘要：一種奈米結構的轉移方法，包括以下步驟：提供一生長基底，該生長基底表面具有複數個奈米結構；提供一黏膠層，使所述複數個奈米結構與所述生長基底分離，並設置在一目標基底上，並使所述複數個奈米結構與所述目標基底的表面接觸；在所述黏膠層遠離目標基底的表面設置一金屬層，形成一奈米複合結構；提供一有機溶劑和外力，將所述奈米複合結構放入該有機溶劑中，利用所述外力去除所述黏膠層和金屬層。
简体摘要：一种奈米结构的转移方法，包括以下步骤：提供一生长基底，该生长基底表面具有复数个奈米结构；提供一黏胶层，使所述复数个奈米结构与所述生长基底分离，并设置在一目标基底上，并使所述复数个奈米结构与所述目标基底的表面接触；在所述黏胶层远离目标基底的表面设置一金属层，形成一奈米复合结构；提供一有机溶剂和外力，将所述奈米复合结构放入该有机溶剂中，利用所述外力去除所述黏胶层和金属层。

10. 发明专利

TWI337375B 用於受應力系統之基材及於該基材上長晶之方法 A SUBSTRATE FOR STRESSED SYSTEMS AND A METHOD OF CRYSTAL GROWTH ON SAID SUBSTRATE 失效
简体标题：用于受应力系统之基材及于该基材上长晶之方法 A SUBSTRATE FOR STRESSED SYSTEMS AND A METHOD OF CRYSTAL GROWTH ON SAID SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI337375B
公开(公告)日：2011-02-11
申请号：TW093115427
申请日：2004-05-28
申请人： S.O.I.矽科技絕緣體工業公司
发明人：法伯瑞思里特崔 , 布魯諾蓋斯林 , 奧立佛雷莎克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/187 , B81C1/00365 , B81C2201/0191 , C30B25/183 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02439 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L21/76254
摘要：本發明提供一種用於晶體生長之載體，其包括：．成核層(2)；．多晶或多孔性緩衝層(4)；及．基材載體(6)。
简体摘要：本发明提供一种用于晶体生长之载体，其包括：．成核层(2)；．多晶或多孔性缓冲层(4)；及．基材载体(6)。

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