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1. 发明专利

TW201731596A 清洗半導體襯底的方法和裝置审中-公开
简体标题：清洗半导体衬底的方法和设备
公开(公告)号：TW201731596A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105106141
申请日：2016-03-01
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , HUI WANG , 陳福發 , FU-FA CHEN , 陳福平 , FU-PING CHEN , 王堅 , JIAN WANG , 王希 , XI WANG , 張曉燕 , XIAO-YAN ZHANG , 金一諾 , YI-NUO JIN , 賈照偉 , ZHAO-WEI JIA , 謝良智 , LIANG-ZHI XIE , 王俊 , JUN WANG , 李學軍 , XUE-JUN LI
IPC分类号： B08B3/12
摘要：一種使用超/兆聲波裝置清洗半導體襯底且不損傷半導體襯底上的圖案化結構的方法包括將液體噴射到半導體襯底和超/兆聲波裝置之間的間隙中；設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1以驅動超/兆聲波裝置；在液體中的氣穴振盪損傷半導體襯底上的圖案化結構之前，設置超/兆聲波電源的頻率為f2，功率為P2以驅動超/兆聲波裝置；待氣泡內的溫度冷卻到設定溫度後，再次設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1；重復上述步驟直到半導體襯底洗淨。通常，如果f1=f2，那麽P2等於0或遠小於P1；如果P1=P2，那麽f2大於f1；如果f1
简体摘要：一种使用超/兆声波设备清洗半导体衬底且不损伤半导体衬底上的图案化结构的方法包括将液体喷射到半导体衬底和超/兆声波设备之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波设备；在液体中的气穴振荡损伤半导体衬底上的图案化结构之前，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波设备；待气泡内的温度冷却到设置温度后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复上述步骤直到半导体衬底洗净。通常，如果f1=f2，那么P2等于0或远小于P1；如果P1=P2，那么f2大于f1；如果f1

2. 发明专利

TW201736646A 阻擋層的去除方法和半導體結構的形成方法审中-公开
简体标题：阻挡层的去除方法和半导体结构的形成方法
公开(公告)号：TW201736646A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105111507
申请日：2016-04-13
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：金一諾 , YI-NUO JIN , 代迎偉 , YING-WEI DAI , 王堅 , JIAN WANG , 王暉 , HUI WANG
IPC分类号： C25F3/30 , H01L21/321
摘要：本發明提供了一種阻擋層的去除方法，該阻擋層包括至少一層鈷或釕層，該方法包括：採用電抛光方法去除形成在半導體結構的非凹進區域上的鈷或釕層。本發明還進一步提供了一種半導體結構的形成方法，包括：提供一半導體結構，該半導體結構包括介質層、形成在介質層上的硬掩膜層、形成在硬掩膜層和介質層上的凹進區、阻擋層及金屬層，阻擋層形成在硬掩膜層以及凹進區的側壁和底部上，該阻擋層包括至少一層鈷或釕層，金屬層形成在鈷或釕層上並填滿凹進區；採用電抛光方法去除非凹進區域上的金屬層和鈷或釕層；採用熱流蝕刻方法去除硬掩膜層。
简体摘要：本发明提供了一种阻挡层的去除方法，该阻挡层包括至少一层钴或钌层，该方法包括：采用电抛光方法去除形成在半导体结构的非凹进区域上的钴或钌层。本发明还进一步提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供一半导体结构，该半导体结构包括介质层、形成在介质层上的硬掩膜层、形成在硬掩膜层和介质层上的凹进区、阻挡层及金属层，阻挡层形成在硬掩膜层以及凹进区的侧壁和底部上，该阻挡层包括至少一层钴或钌层，金属层形成在钴或钌层上并填满凹进区；采用电抛光方法去除非凹进区域上的金属层和钴或钌层；采用热流蚀刻方法去除硬掩膜层。

3. 发明专利

TW201725655A 形成金屬互連結構的方法审中-公开
简体标题：形成金属互链接构的方法
公开(公告)号：TW201725655A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105100198
申请日：2016-01-05
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , JIAN WANG , 賈照偉 , ZHAO-WEI JIA , 金一諾 , YI-NUO JIN , 肖東風 , DONG-FENG XIAO , 楊貴璞 , GUI-PU YANG , 代迎偉 , YING-WEI DAI , 王暉 , HUI WANG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/311
摘要：本發明提供了一種形成金屬互連結構的方法，以避免凹進區域側壁上的阻擋層被過刻蝕。該方法包括以下步驟：在硬掩膜層和介質層上形成凹進區域；在硬掩膜層上、凹進區域的側壁和凹進區域的底部沈積阻擋層；在阻擋層上沈積金屬並使凹進區域填滿金屬；使用電抛光工藝去除非凹進區域上的金屬，並將凹進區域內的金屬過抛光形成凹陷，在電抛光過程中，阻擋層上形成氧化膜；去除硬掩膜層上阻擋層上的氧化膜，並留下一定厚度的凹進區域側壁上阻擋層上的氧化膜；透過刻蝕去除阻擋層和硬掩膜層，該刻蝕對氧化膜具有高選擇比，留下來的氧化膜阻止凹進區域側壁上的阻擋層被過刻蝕。
简体摘要：本发明提供了一种形成金属互链接构的方法，以避免凹进区域侧壁上的阻挡层被过刻蚀。该方法包括以下步骤：在硬掩膜层和介质层上形成凹进区域；在硬掩膜层上、凹进区域的侧壁和凹进区域的底部沉积阻挡层；在阻挡层上沉积金属并使凹进区域填满金属；使用电抛光工艺去除非凹进区域上的金属，并将凹进区域内的金属过抛光形成凹陷，在电抛光过程中，阻挡层上形成氧化膜；去除硬掩膜层上阻挡层上的氧化膜，并留下一定厚度的凹进区域侧壁上阻挡层上的氧化膜；透过刻蚀去除阻挡层和硬掩膜层，该刻蚀对氧化膜具有高选择比，留下来的氧化膜阻止凹进区域侧壁上的阻挡层被过刻蚀。

4. 发明专利

TWI697983B 形成金屬互連結構的方法有权
简体标题：形成金属互链接构的方法
公开(公告)号：TWI697983B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW105100198
申请日：2016-01-05
申请人：大陸商盛美半導體設備(上海)股份有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , JIAN WANG , 賈照偉 , ZHAO-WEI JIA , 金一諾 , YI-NUO JIN , 肖東風 , DONG-FENG XIAO , 楊貴璞 , GUI-PU YANG , 代迎偉 , YING-WEI DAI , 王暉 , HUI WANG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/311

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