专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW200821071A 電解研磨用電解液及電解研磨方法 ELECTROLYTIC LIQUID FOR ELECTROLYTIC POLISHING AND ELECTROLYTIC POLISHING METHOD 审中-公开
简体标题：电解研磨用电解液及电解研磨方法 ELECTROLYTIC LIQUID FOR ELECTROLYTIC POLISHING AND ELECTROLYTIC POLISHING METHOD
公开(公告)号：TW200821071A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096132404
申请日：2007-08-31
申请人：荏原製作所股份有限公司 EBARA CORPORATION
发明人：小寺章 KODERA, AKIRA , 當間康 TOMA, YASUSHI , 鈴木作 SUZUKI, TSUKURU , 齋藤孝行 SAITO, TAKAYUKI , 小嚴貴 KOBATA, ITSUKI
IPC分类号： B23H
CPC分类号： C25F3/22
摘要：本發明係提供一種用於電解研磨法的電解液,該電解研磨法可用低外加電壓來提供具有高平坦特性(flattening characteristics)的受加工表面,同時對於導電材料可確保有較高的加工速率(processing rate),而且可移除多餘的導電材料並且暴露阻障膜(barrier film)而不會造成碟形下陷(dishing)、腐蝕、或在阻障膜與金屬(導電材料)之界面處的蝕刻。用於電解研磨工件之表面導電材料的該電解液係包括一水溶液,而該水溶液含有至少一種有機酸或其鹽類、至少一種具有磺酸基的强酸、腐蝕抑制劑、以及水溶性高分子化合物。
简体摘要：本发明系提供一种用于电解研磨法的电解液,该电解研磨法可用低外加电压来提供具有高平坦特性(flattening characteristics)的受加工表面,同时对于导电材料可确保有较高的加工速率(processing rate),而且可移除多余的导电材料并且暴露阻障膜(barrier film)而不会造成碟形下陷(dishing)、腐蚀、或在阻障膜与金属(导电材料)之界面处的蚀刻。用于电解研磨工件之表面导电材料的该电解液系包括一水溶液,而该水溶液含有至少一种有机酸或其盐类、至少一种具有磺酸基的强酸、腐蚀抑制剂、以及水溶性高分子化合物。

2. 发明专利

TWI554183B 金屬殼體成型方法有权
简体标题：金属壳体成型方法
公开(公告)号：TWI554183B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW101112659
申请日：2012-04-10
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：鄒孟諭 , TSOU, MENG YU , 戴偉見 , DAI, WEI-JIAN
IPC分类号： H05K5/04 , C23C22/60 , C25F3/16
CPC分类号： B23P17/00 , B23P15/00 , C25D11/08 , C25D11/16 , C25D11/18 , C25D11/246 , C25D11/30 , C25D11/34 , C25F3/18 , C25F3/20 , C25F3/22 , Y10T29/49888 , Y10T29/49968

3. 发明专利

TW201347915A 外部刀片切削輪之整修及製造审中-公开
简体标题：外部刀片切削轮之整修及制造
公开(公告)号：TW201347915A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102100106
申请日：2013-01-03
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：前川治和 , MAEGAWA, HARUKAZU , 山口隆治 , YAMAGUCHI, TAKAHARU , 島尾正信 , SHIMAO, MASANOBU
IPC分类号： B24B53/007 , C25F3/02
CPC分类号： B24D18/0018 , B23H7/02 , B23H9/00 , B24B53/001 , B24D3/00 , B24D5/12 , C23C18/1603 , C23C18/1651 , C23C18/1662 , C23C18/36 , C25D3/12 , C25D5/006 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/14 , C25D15/00 , C25D17/06 , C25D17/12 , C25F3/22 , C25F7/00
摘要：包含基座及金屬或合金黏合研磨粒子之刀片區(11)的外部刀片切削輪(1)係藉由以下步驟來加以整修：將該切削輪夾在一對圓形夾具(2)之間，使得該刀片區(11)突出超過該等夾具；將該切削輪浸沒在電解拋光液中；相對於該刀片區定位對置電極(4,5,6)；以及產生電解拋光，藉以去除該金屬或合金黏著劑的一部分與接收在切屑袋中之切屑，直到研磨粒子暴露在該刀片區的表面上為止。
简体摘要：包含基座及金属或合金黏合研磨粒子之刀片区(11)的外部刀片切削轮(1)系借由以下步骤来加以整修：将该切削轮夹在一对圆形夹具(2)之间，使得该刀片区(11)突出超过该等夹具；将该切削轮浸没在电解抛光液中；相对于该刀片区定位对置电极(4,5,6)；以及产生电解抛光，借以去除该金属或合金黏着剂的一部分与接收在切屑袋中之切屑，直到研磨粒子暴露在该刀片区的表面上为止。

4. 发明专利

TW201611210A 波長選擇性熱輻射材料及其製造方法审中-公开
简体标题：波长选择性热辐射材料及其制造方法
公开(公告)号：TW201611210A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104118520
申请日：2015-06-08
申请人：公立大學法人首都大學東京 , TOKYO METROPOLITAN UNIVERSITY , 奧綺斯摩股份有限公司 , OKITSUMO INCORPORATED
发明人：益田秀樹 , MASUDA, HIDEKI , 近藤敏彰 , KONDO, TOSHIAKI , 豊永隆 , TOYONAGA, TAKASHI , 木村直史 , KIMURA, NAOSHI , 吉岡文孝 , YOSHIOKA, FUMITAKA
IPC分类号： H01L23/373 , H05K7/20 , C25F3/04 , C25F3/14 , C25F3/20 , C23F1/20
CPC分类号： H01L23/367 , C23C14/0021 , C23C14/042 , C23C14/165 , C23C14/205 , C23C14/34 , C23C14/5846 , C23C14/5873 , C23C14/5886 , C23F1/20 , C25F3/04 , C25F3/14 , C25F3/20 , C25F3/22 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L2924/0002 , H05K7/20 , H01L2924/00
摘要：本發明的目的在於提供一種波長選擇性熱輻射材料的製造方法，該波長選擇性熱輻射材料的劃分微空腔之空腔壁頂部的表面粗糙度受到抑制、或該波長選擇性熱輻射材料形成有具有大於3.0的深寬比之微空腔。為了解決此問題，本發明是藉由對於基板施以異向性蝕刻來提供一種波長選擇性熱輻射材料，在將對應於樹脂構件的紅外線透射波長區域之熱輻射線光選擇性地加以放射之波長選擇性熱輻射材料中，該波長選擇性熱輻射材料的劃分微空腔之空腔壁頂部的表面粗糙度受到抑制、或該波長選擇性熱輻射材料具有大於3.0的深寬比之微空腔，而該基板是預先使具有特定開口之遮罩密合於其中一面上、或藉由將具有突起之壓模進行按壓而預先在其中一面上形成凹部，該突起是對應於微空腔的位置來排列。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种波长选择性热辐射材料的制造方法，该波长选择性热辐射材料的划分微空腔之空腔壁顶部的表面粗糙度受到抑制、或该波长选择性热辐射材料形成有具有大于3.0的深宽比之微空腔。为了解决此问题，本发明是借由对于基板施以异向性蚀刻来提供一种波长选择性热辐射材料，在将对应于树脂构件的红外线透射波长区域之热辐射线光选择性地加以放射之波长选择性热辐射材料中，该波长选择性热辐射材料的划分微空腔之空腔壁顶部的表面粗糙度受到抑制、或该波长选择性热辐射材料具有大于3.0的深宽比之微空腔，而该基板是预先使具有特定开口之遮罩密合于其中一面上、或借由将具有突起之压模进行按压而预先在其中一面上形成凹部，该突起是对应于微空腔的位置来排列。

5. 发明专利

TWI426157B 剝金組成物以及使用方法有权
简体标题：剥金组成物以及使用方法
公开(公告)号：TWI426157B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW100117510
申请日：2011-05-18
申请人：優勝奈米科技有限公司 , UWIN NANOTECH. CO., LTD.
发明人：許景翔 , HSU, CHING HSIANG
IPC分类号： C25C1/20
CPC分类号： C25F5/00 , C22B11/042 , C25F3/02 , C25F3/22 , Y02P10/214 , Y02W30/54

6. 发明专利

TW201247941A 剝金組成物以及使用方法 THE STRIPPING GOLD COMPONENTS AND THE METHOD OF STRIPPING GOLD 审中-公开
简体标题：剥金组成物以及使用方法 THE STRIPPING GOLD COMPONENTS AND THE METHOD OF STRIPPING GOLD
公开(公告)号：TW201247941A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW100117510
申请日：2011-05-18
申请人：優勝奈米科技有限公司
发明人：許景翔
IPC分类号： C25C
CPC分类号： C25F5/00 , C22B11/042 , C25F3/02 , C25F3/22 , Y02P10/214 , Y02W30/54
摘要：本發明係關於從基材上將金剝除的剝金組成物，組成物包括一或多種剝金化合物，以及助導電化合物；其中該剝金化合物可與金形成共價鍵結，從而將基材上的金剝除下來，藉由該助導電化合物的作用，可降低電壓且不傷基材的完成剝金，其中該組成物不包括任何氰化物。
简体摘要：本发明系关于从基材上将金剥除的剥金组成物，组成物包括一或多种剥金化合物，以及助导电化合物；其中该剥金化合物可与金形成共价键结，从而将基材上的金剥除下来，借由该助导电化合物的作用，可降低电压且不伤基材的完成剥金，其中该组成物不包括任何氰化物。

7. 发明专利

TW567545B 電解拋光液配方有权
简体标题：电解抛光液配方
公开(公告)号：TW567545B
公开(公告)日：2003-12-21
申请号：TW091111935
申请日：2002-06-04
申请人：伊默克化學科技股份有限公司
发明人：謝嘉民 , 張世杰 , 戴寶通 , 李盈壕 , 沈國宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C25F3/16 , B23H3/08 , C25F3/22
摘要：一種電解拋光液配方，此電解拋光液配方至少是由一酸溶液與一有機添加劑所構成。上述酸溶液為磷酸或磷酸與硫酸之混合溶液，可於金屬層表面形成鈍化層。上述添加劑至少具有酸基，且此添加劑具有擴散控制能力可於金屬層之一開口中形成濃度梯度，以使開口頂部之金屬層之電解速度大於開口底部之金屬層之電解速度。其中，有機添加劑係為一元羧酸、二元羧酸、三元羧酸、雜環羧酸化合物或磺酸化合物。
简体摘要：一种电解抛光液配方，此电解抛光液配方至少是由一酸溶液与一有机添加剂所构成。上述酸溶液为磷酸或磷酸与硫酸之混合溶液，可于金属层表面形成钝化层。上述添加剂至少具有酸基，且此添加剂具有扩散控制能力可于金属层之一开口中形成浓度梯度，以使开口顶部之金属层之电解速度大于开口底部之金属层之电解速度。其中，有机添加剂系为一元羧酸、二元羧酸、三元羧酸、杂环羧酸化合物或磺酸化合物。

8. 发明专利

TW201425650A 表面處理銅箔及使用其之積層板审中-公开
简体标题：表面处理铜箔及使用其之积层板
公开(公告)号：TW201425650A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102132730
申请日：2013-09-10
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：新井英太 , ARAI, HIDETA , 三木敦史 , MIKI, ATSUSHI , 新井康修 , ARAI, KOHSUKE , 中室嘉一郎 , NAKAMURO, KAICHIRO
IPC分类号： C25D1/04 , C25D7/06 , B21B1/40 , B21B3/00 , H05K1/09 , H05K3/02 , H05K1/14 , G06T7/00
CPC分类号： C25F3/22 , B21B1/40 , B21B2003/005 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/281 , B32B2307/412 , B32B2457/00 , B32B2457/08 , C25D1/04 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D3/562 , C25D3/58 , C25D7/0614 , H05K3/022 , H05K3/382
摘要：本發明提供一種利用蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性優異的表面處理銅箔及使用其之積層板。本發明之表面處理銅箔係自經表面處理之表面側貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，利用蝕刻去除兩面之銅箔，對印刷有線狀標記之印刷物進行攝影時，於獲得之觀察地點-亮度圖表中，將自標記之端部至未描繪標記之部分產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差設為△B(△B=Bt-Bb)，且於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上。Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
简体摘要：本发明提供一种利用蚀刻去除铜箔后之树脂之透明性优异的表面处理铜箔及使用其之积层板。本发明之表面处理铜箔系自经表面处理之表面侧贴合于聚酰亚胺树脂基板之两面后，利用蚀刻去除两面之铜箔，对印刷有线状标记之印刷物进行摄影时，于获得之观察地点-亮度图表中，将自标记之端部至未描绘标记之部分产生之亮度曲线之顶部平均值Bt与底部平均值Bb之差设为△B(△B=Bt-Bb)，且于观察地点-亮度图表中，将表示亮度曲线与Bt之交点内最接近上述线状标记之交点之位置的值设为t1，将自亮度曲线与Bt之交点至以Bt为基准之0.1△B深度范围内表示亮度曲线与0.1△B之交点内最接近上述线状标记之交点之位置的值设为t2，此时，下述(1)式定义之Sv为3.5以上。Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)

9. 发明专利

TW201343044A 金屬殼體成型方法审中-公开
简体标题：金属壳体成型方法
公开(公告)号：TW201343044A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101112659
申请日：2012-04-10
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：鄒孟諭 , TSOU, MENG YU , 戴偉見 , DAI, WEI-JIAN
IPC分类号： H05K5/04 , C23C22/60 , C25F3/16
CPC分类号： B23P17/00 , B23P15/00 , C25D11/08 , C25D11/16 , C25D11/18 , C25D11/246 , C25D11/30 , C25D11/34 , C25F3/18 , C25F3/20 , C25F3/22 , Y10T29/49888 , Y10T29/49968
摘要：一種金屬殼體成型方法，其包括以下步驟：對金屬件進行攪拌摩擦焊以形成金屬殼體；對該金屬殼體進行鹼咬處理以消除其表面殘留物；對該金屬殼體進行剝黑膜處理，以去除鹼咬過程中形成之黑膜；對該金屬殼體進行電拋處理以改善金屬殼體外觀；對該金屬殼體進行陽極氧化處理；以及對該金屬殼體進行封孔及烘乾處理。
简体摘要：一种金属壳体成型方法，其包括以下步骤：对金属件进行搅拌摩擦焊以形成金属壳体；对该金属壳体进行碱咬处理以消除其表面残留物；对该金属壳体进行剥黑膜处理，以去除碱咬过程中形成之黑膜；对该金属壳体进行电抛处理以改善金属壳体外观；对该金属壳体进行阳极氧化处理；以及对该金属壳体进行封孔及烘干处理。

10. 发明专利

TW201323633A 石墨烯製造用銅箔及其製造方法、以及石墨烯之製造方法审中-公开
简体标题：石墨烯制造用铜箔及其制造方法、以及石墨烯之制造方法
公开(公告)号：TW201323633A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101140271
申请日：2012-10-31
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：千葉喜寬 , CHIBA, YOSHIHIRO
IPC分类号： C22F1/08 , C01B31/04 , C25F3/22
CPC分类号： B32B38/10 , B21B1/227 , B21B1/40 , B21B3/00 , B21B27/005 , B21B2003/005 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0453 , C01B32/186 , C22C9/00 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C16/0254 , C23C16/26 , C25F3/22 , Y10T428/12431
摘要：本發明提供一種能夠以低成本生產大面積之石墨烯的石墨烯製造用銅箔及其製造方法，以及石墨烯之製造方法。該石墨烯製造用銅箔其壓延平行方向之算術平均粗糙度Ra1與壓延垂直方向之算術平均粗糙度Ra2之比(Ra1/Ra2)為0.7≦(Ra1/Ra2)≦1.3。
简体摘要：本发明提供一种能够以低成本生产大面积之石墨烯的石墨烯制造用铜箔及其制造方法，以及石墨烯之制造方法。该石墨烯制造用铜箔其压延平行方向之算术平均粗糙度Ra1与压延垂直方向之算术平均粗糙度Ra2之比(Ra1/Ra2)为0.7≦(Ra1/Ra2)≦1.3。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式