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1. 发明专利

TW201802890A 藉由功函數材料層凹陷形成自對準接觸結構之方法及其產生裝置审中-公开
简体标题：借由功函数材料层凹陷形成自对准接触结构之方法及其产生设备
公开(公告)号：TW201802890A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106105896
申请日：2017-02-22
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：朴燦柔 , PARK, CHANRO , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 金勳 , KIM, HOON , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , H01L29/49 , H01L29/66
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L21/28088 , H01L21/76805 , H01L21/76834 , H01L21/76883 , H01L21/823456 , H01L21/823475 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/823871 , H01L23/535 , H01L27/0924 , H01L29/4966 , H01L29/66545
摘要：本發明涉及藉由功函數材料層凹陷形成自對準接觸結構之方法及其產生裝置，所揭示的一種方法除了別的以外，還包括在第一介電層中形成第一多個柵極凹穴。在第一多個柵極凹穴中形成功函數材料層。在第一多個柵極凹穴於功函數材料層上方的至少一子集中形成第一導電材料以界定第一多個柵極結構。在兩個第一多個柵極結構之間的第一介電層中形成第一接觸凹陷。在第一接觸凹陷中形成第二導電材料。使功函數材料層選擇性凹陷至第一導電材料與第二導電材料以界定多個覆蓋凹陷。在多個覆蓋凹陷中形成覆蓋層。
简体摘要：本发明涉及借由功函数材料层凹陷形成自对准接触结构之方法及其产生设备，所揭示的一种方法除了别的以外，还包括在第一介电层中形成第一多个栅极凹穴。在第一多个栅极凹穴中形成功函数材料层。在第一多个栅极凹穴于功函数材料层上方的至少一子集中形成第一导电材料以界定第一多个栅极结构。在两个第一多个栅极结构之间的第一介电层中形成第一接触凹陷。在第一接触凹陷中形成第二导电材料。使功函数材料层选择性凹陷至第一导电材料与第二导电材料以界定多个覆盖凹陷。在多个覆盖凹陷中形成覆盖层。

2. 发明专利

TWI677029B 在包括ＦＩＮＦＥＴ裝置的ＩＣ產品的隔離區上形成保護層的方法有权
简体标题：在包括ＦＩＮＦＥＴ设备的ＩＣ产品的隔离区上形成保护层的方法
公开(公告)号：TWI677029B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW106113770
申请日：2017-04-25
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 比瑞德克里斯多夫M , PRINDLE, CHRISTOPHER M. , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 李特克波瑞恩斯 , LEE, TEK PO RINUS
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/762 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/78

3. 发明专利

TW201812912A 在包括ＦＩＮＦＥＴ裝置的ＩＣ產品的隔離區上形成保護層的方法审中-公开
简体标题：在包括ＦＩＮＦＥＴ设备的ＩＣ产品的隔离区上形成保护层的方法
公开(公告)号：TW201812912A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106113770
申请日：2017-04-25
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 比瑞德克里斯多夫M , PRINDLE, CHRISTOPHER M. , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 李特克波瑞恩斯 , LEE, TEK PO RINUS
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/762 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/76224 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要：本申請所揭示的一種示例方法包括：除其它以外，在半導體基板中形成多個溝槽，以定義多個鰭片；形成凹入絕緣材料層，該凹入絕緣材料層包括位於該溝槽中的第一絕緣材料，其中，該多個鰭片各者的一部分暴露於該凹入絕緣材料層的上表面上方；以及遮蔽第一鰭片的第一部分並執行至少一個第一蝕刻製程，以移除未被遮蔽的第二鰭片的至少一部分。在此例子中，該方法還包括形成該FinFET裝置的裝置隔離區，其包括第二絕緣材料；以及在該裝置隔離區上方形成隔離保護層。
简体摘要：本申请所揭示的一种示例方法包括：除其它以外，在半导体基板中形成多个沟槽，以定义多个鳍片；形成凹入绝缘材料层，该凹入绝缘材料层包括位于该沟槽中的第一绝缘材料，其中，该多个鳍片各者的一部分暴露于该凹入绝缘材料层的上表面上方；以及屏蔽第一鳍片的第一部分并运行至少一个第一蚀刻制程，以移除未被屏蔽的第二鳍片的至少一部分。在此例子中，该方法还包括形成该FinFET设备的设备隔离区，其包括第二绝缘材料；以及在该设备隔离区上方形成隔离保护层。

4. 发明专利

TWI636498B 藉由功函數材料層凹陷形成自對準接觸結構之方法及其產生裝置有权
简体标题：借由功函数材料层凹陷形成自对准接触结构之方法及其产生设备
公开(公告)号：TWI636498B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW106105896
申请日：2017-02-22
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：朴燦柔 , PARK, CHANRO , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 金勳 , KIM, HOON , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , H01L29/49 , H01L29/66

5. 发明专利

TWI608529B 形成用於鰭式場效電晶體半導體裝置之鰭片的方法以及其半導體裝置有权
简体标题：形成用于鳍式场效应管半导体设备之鳍片的方法以及其半导体设备
公开(公告)号：TWI608529B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW105105405
申请日：2016-02-24
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/762 , H01L21/76224 , H01L21/764 , H01L21/823821 , H01L29/66795 , H01L29/6681

6. 发明专利

TW201640570A 形成用於鰭式場效電晶體半導體裝置之鰭片的方法以及其半導體裝置审中-公开
简体标题：形成用于鳍式场效应管半导体设备之鳍片的方法以及其半导体设备
公开(公告)号：TW201640570A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105105405
申请日：2016-02-24
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/762 , H01L21/76224 , H01L21/764 , H01L21/823821 , H01L29/66795 , H01L29/6681
摘要：一種方法，包括在基材上面形成複數個鰭片，在複數個鰭片上面及之間形成至少一個介電材料，以及在介電材料上面形成遮罩層。遮罩層中界定有開口。進行至少一個蝕刻程序以移除至少一個介電材料中被開口所曝露之一部分，以便曝露複數個鰭片中至少一個鰭片之頂端表面部分及側壁表面部分。至少一個介電材料留在基材上面與至少一個鰭片相鄰。進行蝕刻程序以移除至少一個鰭片。
简体摘要：一种方法，包括在基材上面形成复数个鳍片，在复数个鳍片上面及之间形成至少一个介电材料，以及在介电材料上面形成遮罩层。遮罩层中界定有开口。进行至少一个蚀刻进程以移除至少一个介电材料中被开口所曝露之一部分，以便曝露复数个鳍片中至少一个鳍片之顶端表面部分及侧壁表面部分。至少一个介电材料留在基材上面与至少一个鳍片相邻。进行蚀刻进程以移除至少一个鳍片。

7. 发明专利

TW201842580A 實現可變鰭片間距的雙芯軸审中-公开
简体标题：实现可变鳍片间距的双芯轴
公开(公告)号：TW201842580A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107103427
申请日：2018-01-31
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 朴燦柔 , PARK, CHANRO
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/8234
摘要：本發明使用雙遮罩製程以形成在不同陣列內具有受控的且可變的鰭片間距的半導體鰭片陣列。在該製程期間，頂部芯軸層位於半導體基板上方的底部芯軸層上方。形成於該基板的第一區域內的第一芯軸上的側壁結構定義圖案化硬遮罩，其與位於該基板的第二區域上方的圖案化光阻層配合以在該基板的第一區域及第二區域內形成第二芯軸。將形成於該第二芯軸上的側壁結構用作遮罩層，以在該基板上方形成多個鰭片。
简体摘要：本发明使用双遮罩制程以形成在不同数组内具有受控的且可变的鳍片间距的半导体鳍片数组。在该制程期间，顶部芯轴层位于半导体基板上方的底部芯轴层上方。形成于该基板的第一区域内的第一芯轴上的侧壁结构定义图案化硬遮罩，其与位于该基板的第二区域上方的图案化光阻层配合以在该基板的第一区域及第二区域内形成第二芯轴。将形成于该第二芯轴上的侧壁结构用作遮罩层，以在该基板上方形成多个鳍片。

8. 发明专利

TWI697998B 具不同驅動電流的環閘場效電晶體的積體電路結構及方法有权
简体标题：具不同驱动电流的环闸场效应管的集成电路结构及方法
公开(公告)号：TWI697998B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW107114779
申请日：2018-05-01
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 保羅畢爾C , PAUL, BIPUL C.
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/088 , H01L27/11

9. 发明专利

TWI692016B 用於奈米片裝置之取代金屬閘極圖案化有权
简体标题：用于奈米片设备之取代金属闸极图案化
公开(公告)号：TWI692016B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW106141370
申请日：2017-11-28
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 朴燦柔 , PARK, CHANRO , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 金勳 , KIM, HOON , 臧輝 , ZANG, HUI , 許國偉 , XU, GUOWEI
IPC分类号： H01L21/283

10. 发明专利

TW201911424A 在ＶＦＥＴ結構之處理期間在閘極區中長度的控制审中-公开
简体标题：在ＶＦＥＴ结构之处理期间在闸极区中长度的控制
公开(公告)号：TW201911424A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107105274
申请日：2018-02-13
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：朴燦柔 , PARK, CHANRO , 本利史帝文 , BENTLEY, STEVEN , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/306
摘要：形成垂直FinFET包括在基板上形成半導體鰭片，並且在半導體鰭片之上表面上具有鰭片遮罩；使造成該鰭片遮罩之該半導體鰭片側向凹陷；在該已凹陷半導體鰭片及該鰭片遮罩上形成保形閘極襯墊，其中，該保形閘極襯墊包括圍繞該鰭片遮罩之第一部分、及圍繞該等已凹陷鰭片並且以該保形閘極襯墊之厚度與該鰭片遮罩分開之第二部分；形成與該保形閘極襯墊之該第二部分側向相鄰之閘極遮罩；移除該保形閘極襯墊之該第一部分；移除該閘極遮罩以使該保形閘極襯墊之剩餘第二部分曝露；以及形成與該保形閘極襯墊之該第二部分相連之閘極接觸部，該保形閘極襯墊之該剩餘第二部分界定閘極長度。
简体摘要：形成垂直FinFET包括在基板上形成半导体鳍片，并且在半导体鳍片之上表面上具有鳍片遮罩；使造成该鳍片遮罩之该半导体鳍片侧向凹陷；在该已凹陷半导体鳍片及该鳍片遮罩上形成保形闸极衬垫，其中，该保形闸极衬垫包括围绕该鳍片遮罩之第一部分、及围绕该等已凹陷鳍片并且以该保形闸极衬垫之厚度与该鳍片遮罩分开之第二部分；形成与该保形闸极衬垫之该第二部分侧向相邻之闸极遮罩；移除该保形闸极衬垫之该第一部分；移除该闸极遮罩以使该保形闸极衬垫之剩余第二部分曝露；以及形成与该保形闸极衬垫之该第二部分相连之闸极接触部，该保形闸极衬垫之该剩余第二部分界定闸极长度。

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