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1. 发明专利

TWI681462B 在ＶＦＥＴ結構之處理期間在閘極區中長度的控制有权
简体标题：在ＶＦＥＴ结构之处理期间在闸极区中长度的控制
公开(公告)号：TWI681462B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW107105274
申请日：2018-02-13
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：朴燦柔 , PARK, CHANRO , 本利史帝文 , BENTLEY, STEVEN , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/306

2. 发明专利

TWI690985B 閘極電極結構中的負電容匹配及其製造方法有权
简体标题：闸极电极结构中的负电容匹配及其制造方法
公开(公告)号：TWI690985B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW107136194
申请日：2018-10-15
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：蓋拉特吉羅希特 , GALATAGE, ROHIT , 賓利史蒂芬 , BENTLEY, STEVEN , 蘇瓦納帕尼特哈瑞漢德拉 , SUVARNA, PUNEET HARISCHANDRA , 克里佛卡皮茨佐蘭 , KRIVOKAPIC, ZORAN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/66

3. 发明专利

TWI684280B 形成具有源極-汲極區之介電隔離之奈米片電晶體的方法及相關結構有权
简体标题：形成具有源极-汲极区之介电隔离之奈米片晶体管的方法及相关结构
公开(公告)号：TWI684280B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW107109075
申请日：2018-03-16
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：弗羅吉爾朱利安 , FROUGIER, JULIEN , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 朴燦柔 , PARK, CHANRO , 本利史帝文 , BENTLEY, STEVEN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8232

4. 发明专利

TW202011605A 具有自對準接觸之垂直傳輸場效電晶體审中-公开
简体标题：具有自对准接触之垂直传输场效应管
公开(公告)号：TW202011605A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108107853
申请日：2019-03-08
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：柏爾羅特艾米莉 , BOURJOT, EMILIE , 恰尼莫蓋姆丹尼爾 , CHANEMOUGAME, DANIEL , 本利史帝文 , BENTLEY, STEVEN
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
摘要：本發明揭示用於形成垂直傳輸場效電晶體之接觸的方法與用於垂直傳輸場效電晶體及接觸的結構。沉積層間電介質層於閘極堆疊上方，且形成第一開口於該層間電介質層中且貫穿該閘極堆疊以將該閘極堆疊切成第一區段與第二區段。形成電介質柱體於該第一開口中且配置於該閘極堆疊之該第一區段與該閘極堆疊之該第二區段之間。在該層間電介質層中形成穿到該閘極堆疊且被該電介質柱體分隔的第二及第三開口。在該第二開口中的第一接觸與該閘極堆疊的該第一區段耦合，且在該第三開口中的第二接觸與該閘極堆疊的該第二區段耦合。
简体摘要：本发明揭示用于形成垂直传输场效应管之接触的方法与用于垂直传输场效应管及接触的结构。沉积层间电介质层于闸极堆栈上方，且形成第一开口于该层间电介质层中且贯穿该闸极堆栈以将该闸极堆栈切成第一区段与第二区段。形成电介质柱体于该第一开口中且配置于该闸极堆栈之该第一区段与该闸极堆栈之该第二区段之间。在该层间电介质层中形成穿到该闸极堆栈且被该电介质柱体分隔的第二及第三开口。在该第二开口中的第一接触与该闸极堆栈的该第一区段耦合，且在该第三开口中的第二接触与该闸极堆栈的该第二区段耦合。

5. 发明专利

TWI685967B 在互補場效電晶體中之磊晶結構有权
简体标题：在互补场效应管中之磊晶结构
公开(公告)号：TWI685967B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW107121702
申请日：2018-06-25
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：弗羅吉爾朱利安 , FROUGIER, JULIEN , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 本利史帝文 , BENTLEY, STEVEN , 蘇瓦納帕尼特H , SUVARNA, PUNEET H.
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/76 , H01L21/8238

6. 发明专利

TW202008596A 在片之間具有間隔件之奈米片場效電晶體审中-公开
简体标题：在片之间具有间隔件之奈米片场效应管
公开(公告)号：TW202008596A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108122133
申请日：2019-06-25
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 弗羅吉爾朱利安 , FROUGIER, JULIEN , 凱夫尼格爾G , CAVE, NIGEL G. , 索斯史蒂芬R , SOSS, STEVEN R. , 恰尼莫蓋姆丹尼爾 , CHANEMOUGAME, DANIEL , 本利史帝文 , BENTLEY, STEVEN , 喀拉悌居羅伊特 , GALATAGE, ROHIT , 文範基 , MOON, BUM KI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要：方法藉由創造開口在犧牲閘極中介於奈米片堆疊(第一材料的交替層和通道結構)之間、形成間隔件在該開口中、以及移除該犧牲閘極以留下該間隔件，來形成裝置。該第一材料接著從該通道結構之間移除。形成圍繞並在該通道結構之間的第一工作函數金屬。接著，以遮罩保護(該堆疊)的第一堆疊，以留下(該堆疊)的第二堆疊被暴露。之後，從該第二堆疊移除該第一工作函數金屬，而由該遮罩和該間隔件保護該第一堆疊。接續地，形成圍繞並在該第二堆疊的該通道結構之間的第二工作函數金屬。之後形成閘極材料在該第一工作函數金屬和該第二工作函數金屬上方。
简体摘要：方法借由创造开口在牺牲闸极中介于奈米片堆栈(第一材料的交替层和信道结构)之间、形成间隔件在该开口中、以及移除该牺牲闸极以留下该间隔件，来形成设备。该第一材料接着从该信道结构之间移除。形成围绕并在该信道结构之间的第一工作函数金属。接着，以遮罩保护(该堆栈)的第一堆栈，以留下(该堆栈)的第二堆栈被暴露。之后，从该第二堆栈移除该第一工作函数金属，而由该遮罩和该间隔件保护该第一堆栈。接续地，形成围绕并在该第二堆栈的该信道结构之间的第二工作函数金属。之后形成闸极材料在该第一工作函数金属和该第二工作函数金属上方。

7. 发明专利

TW201911424A 在ＶＦＥＴ結構之處理期間在閘極區中長度的控制审中-公开
简体标题：在ＶＦＥＴ结构之处理期间在闸极区中长度的控制
公开(公告)号：TW201911424A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107105274
申请日：2018-02-13
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：朴燦柔 , PARK, CHANRO , 本利史帝文 , BENTLEY, STEVEN , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/306
摘要：形成垂直FinFET包括在基板上形成半導體鰭片，並且在半導體鰭片之上表面上具有鰭片遮罩；使造成該鰭片遮罩之該半導體鰭片側向凹陷；在該已凹陷半導體鰭片及該鰭片遮罩上形成保形閘極襯墊，其中，該保形閘極襯墊包括圍繞該鰭片遮罩之第一部分、及圍繞該等已凹陷鰭片並且以該保形閘極襯墊之厚度與該鰭片遮罩分開之第二部分；形成與該保形閘極襯墊之該第二部分側向相鄰之閘極遮罩；移除該保形閘極襯墊之該第一部分；移除該閘極遮罩以使該保形閘極襯墊之剩餘第二部分曝露；以及形成與該保形閘極襯墊之該第二部分相連之閘極接觸部，該保形閘極襯墊之該剩餘第二部分界定閘極長度。
简体摘要：形成垂直FinFET包括在基板上形成半导体鳍片，并且在半导体鳍片之上表面上具有鳍片遮罩；使造成该鳍片遮罩之该半导体鳍片侧向凹陷；在该已凹陷半导体鳍片及该鳍片遮罩上形成保形闸极衬垫，其中，该保形闸极衬垫包括围绕该鳍片遮罩之第一部分、及围绕该等已凹陷鳍片并且以该保形闸极衬垫之厚度与该鳍片遮罩分开之第二部分；形成与该保形闸极衬垫之该第二部分侧向相邻之闸极遮罩；移除该保形闸极衬垫之该第一部分；移除该闸极遮罩以使该保形闸极衬垫之剩余第二部分曝露；以及形成与该保形闸极衬垫之该第二部分相连之闸极接触部，该保形闸极衬垫之该剩余第二部分界定闸极长度。

8. 发明专利

TWI624057B 具有多層ＩＩＩ－Ｖ族異質結構之半導體結構有权
简体标题：具有多层ＩＩＩ－Ｖ族异质结构之半导体结构
公开(公告)号：TWI624057B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW105117714
申请日：2016-06-04
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：本利史帝文 , BENTLEY, STEVEN , 喀拉悌居羅伊特 , GALATAGE, ROHIT
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20

9. 发明专利

TW201834204A 用於垂直ＦＥＴ　ＳＲＡＭ以及邏輯胞元縮放的金屬層佈線層級审中-公开
简体标题：用于垂直ＦＥＴ　ＳＲＡＭ以及逻辑胞元缩放的金属层布线层级
公开(公告)号：TW201834204A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106122578
申请日：2017-07-05
申请人：格羅方德美國公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：賓利史蒂芬 , BENTLEY, STEVEN , 保羅必普C , PAUL, BIPUL C.
IPC分类号： H01L27/088
摘要：本發明揭示一種形成一VFET SRAM或邏輯裝置之方法，該裝置具有連接至一電晶體配對的一閘極以及另一電晶體配對的該底部S/D之副鰭片級金屬佈線層。具體實施例包括：鰭片配對，其形成於一基材上；一底部S/D層，其該基材上圍繞該等鰭片而形成圖案；順應襯墊層，其形成於該基材之上；一ILD，其形成於一襯墊層之上；一金屬佈線層，其形成於該第一配對之間該襯墊層上以及至少該第二配對之間該底部S/D層上該等鰭片配對之間，其中一上方表面形成於該活性鰭片部分之下；一GAA，其形成於該介電隔板上圍繞該第一配對的每一鰭片；以及一底部S/D接點xc或一專屬xc，其分別形成於與該GAA相鄰或穿透該GAA的該金屬佈線層上。
简体摘要：本发明揭示一种形成一VFET SRAM或逻辑设备之方法，该设备具有连接至一晶体管配对的一闸极以及另一晶体管配对的该底部S/D之副鳍片级金属布线层。具体实施例包括：鳍片配对，其形成于一基材上；一底部S/D层，其该基材上围绕该等鳍片而形成图案；顺应衬垫层，其形成于该基材之上；一ILD，其形成于一衬垫层之上；一金属布线层，其形成于该第一配对之间该衬垫层上以及至少该第二配对之间该底部S/D层上该等鳍片配对之间，其中一上方表面形成于该活性鳍片部分之下；一GAA，其形成于该介电隔板上围绕该第一配对的每一鳍片；以及一底部S/D接点xc或一专属xc，其分别形成于与该GAA相邻或穿透该GAA的该金属布线层上。

10. 发明专利

TWI511197B 使用心軸氧化製程形成鰭式場效電晶體半導體設備之鰭部的方法有权
简体标题：使用心轴氧化制程形成鳍式场效应管半导体设备之鳍部的方法
公开(公告)号：TWI511197B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW102140842
申请日：2013-11-11
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：保雷克伯羅米傑真 , PAWLAK, BARTLOMIEJ JAN , 班特利史帝芬 , BENTLEY, STEVEN , 雅各布阿喬伊 , JACOB, AJEY
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L29/66795

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