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1. 发明专利

TW201834245A 在主動區上方具有氣隙間隔件與閘極接觸之基於電晶體的半導體裝置审中-公开
简体标题：在主动区上方具有气隙间隔件与闸极接触之基于晶体管的半导体设备
公开(公告)号：TW201834245A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106120890
申请日：2017-06-22
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 朴燦柔 , PARK, CHANRO , 賴柏曼拉爾斯渥夫岡 , LIEBMANN, LARS WOLFGANG , 金勳 , KIM, HOON
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/772 , H01L21/28 , H01L21/336
摘要：一種半導體結構，包括半導體基板、在該半導體基板上的半導體鰭片、與該半導體鰭片整合在其頂部的電晶體，該電晶體包括主動區，該主動區包括源極、汲極以及在源極與汲極其間的通道區域。該半導體結構進一步包括在該通道區域上方的閘極結構，該閘極結構包括閘極電極、在該閘極電極之相對側壁上的氣隙間隔件對、以及用於該閘極電極的閘極接觸。還提供一種製造這種半導體裝置的方法。
简体摘要：一种半导体结构，包括半导体基板、在该半导体基板上的半导体鳍片、与该半导体鳍片集成在其顶部的晶体管，该晶体管包括主动区，该主动区包括源极、汲极以及在源极与汲极其间的信道区域。该半导体结构进一步包括在该信道区域上方的闸极结构，该闸极结构包括闸极电极、在该闸极电极之相对侧壁上的气隙间隔件对、以及用于该闸极电极的闸极接触。还提供一种制造这种半导体设备的方法。

2. 发明专利

TWI677029B 在包括ＦＩＮＦＥＴ裝置的ＩＣ產品的隔離區上形成保護層的方法有权
简体标题：在包括ＦＩＮＦＥＴ设备的ＩＣ产品的隔离区上形成保护层的方法
公开(公告)号：TWI677029B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW106113770
申请日：2017-04-25
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 比瑞德克里斯多夫M , PRINDLE, CHRISTOPHER M. , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 李特克波瑞恩斯 , LEE, TEK PO RINUS
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/762 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/78

3. 发明专利

TWI632618B 在主動區中具有閘極接觸之三維半導體電晶體有权
简体标题：在主动区中具有闸极接触之三维半导体晶体管
公开(公告)号：TWI632618B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW105118529
申请日：2016-06-14
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 拉伯特恩德 , LABONTE, ANDRE , 科諾爾安德魯 , KNORR, ANDREAS
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

4. 发明专利

TWI677096B 在主動區上方具有氣隙間隔件與閘極接觸之基於電晶體的半導體裝置有权
简体标题：在主动区上方具有气隙间隔件与闸极接触之基于晶体管的半导体设备
公开(公告)号：TWI677096B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW106120890
申请日：2017-06-22
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 朴燦柔 , PARK, CHANRO , 賴柏曼拉爾斯渥夫岡 , LIEBMANN, LARS WOLFGANG , 金勳 , KIM, HOON
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/772 , H01L21/28 , H01L21/336

5. 发明专利

TWI647815B 在垂直電晶體替代閘極流程中控制自對準閘極長度有权
简体标题：在垂直晶体管替代闸极流程中控制自对准闸极长度
公开(公告)号：TWI647815B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106120889
申请日：2017-06-22
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 山下天孝 , YAMASHITA, TENKO , 程慷果 , CHENG, KANGGUO , 葉俊呈 , YEH, CHUN CHEN
IPC分类号： H01L27/098 , H01L29/06

6. 发明专利

TWI636498B 藉由功函數材料層凹陷形成自對準接觸結構之方法及其產生裝置有权
简体标题：借由功函数材料层凹陷形成自对准接触结构之方法及其产生设备
公开(公告)号：TWI636498B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW106105896
申请日：2017-02-22
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：朴燦柔 , PARK, CHANRO , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 金勳 , KIM, HOON , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , H01L29/49 , H01L29/66

7. 发明专利

TW201814884A 在垂直電晶體替代閘極流程中控制自對準閘極長度审中-公开
简体标题：在垂直晶体管替代闸极流程中控制自对准闸极长度
公开(公告)号：TW201814884A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106120889
申请日：2017-06-22
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 山下天孝 , YAMASHITA, TENKO , 程慷果 , CHENG, KANGGUO , 葉俊呈 , YEH, CHUN CHEN
IPC分类号： H01L27/098 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/41741 , H01L29/66545 , H01L29/7827
摘要：一種半導體結構，包括半導體基板，位於該半導體基板上方的第一垂直電晶體的底部源/汲層，位於該源/汲層上方的垂直溝道，以及包覆該垂直溝道的金屬閘極，該垂直溝道在與該金屬閘極之間的介面處相對該金屬閘極具有固定高度。該半導體結構還包括位於該垂直溝道上方的頂部源/汲層，以及至各該頂部及底部源/汲層及該閘極的自對準接觸。該半導體結構可通過以下步驟實現：提供上方具有底部源/汲層的半導體基板，在該底部源/汲層上方形成垂直溝道，形成包覆該垂直溝道的偽閘極，以及分別圍繞該垂直溝道的頂部及底部形成底部間隙壁層及頂部間隙壁層，該垂直溝道的剩餘中心部分定義固定垂直溝道高度。該方法還包括在該垂直溝道上方形成頂部源/汲層，用金屬閘極替代該偽閘極，以及形成自對準源、汲及閘極接觸。
简体摘要：一种半导体结构，包括半导体基板，位于该半导体基板上方的第一垂直晶体管的底部源/汲层，位于该源/汲层上方的垂直沟道，以及包覆该垂直沟道的金属闸极，该垂直沟道在与该金属闸极之间的界面处相对该金属闸极具有固定高度。该半导体结构还包括位于该垂直沟道上方的顶部源/汲层，以及至各该顶部及底部源/汲层及该闸极的自对准接触。该半导体结构可通过以下步骤实现：提供上方具有底部源/汲层的半导体基板，在该底部源/汲层上方形成垂直沟道，形成包覆该垂直沟道的伪闸极，以及分别围绕该垂直沟道的顶部及底部形成底部间隙壁层及顶部间隙壁层，该垂直沟道的剩余中心部分定义固定垂直沟道高度。该方法还包括在该垂直沟道上方形成顶部源/汲层，用金属闸极替代该伪闸极，以及形成自对准源、汲及闸极接触。

8. 发明专利

TWI689974B 形成垂直電晶體裝置之方法有权
简体标题：形成垂直晶体管设备之方法
公开(公告)号：TWI689974B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW106120888
申请日：2017-06-22
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 本利史帝文J , BENTLEY, STEVEN J. , 佛羅霍海瑟喬迪A , FRONHEISER, JODY A.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/732

9. 发明专利

TWI681462B 在ＶＦＥＴ結構之處理期間在閘極區中長度的控制有权
简体标题：在ＶＦＥＴ结构之处理期间在闸极区中长度的控制
公开(公告)号：TWI681462B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW107105274
申请日：2018-02-13
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：朴燦柔 , PARK, CHANRO , 本利史帝文 , BENTLEY, STEVEN , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/306

10. 发明专利

TWI675417B 實現可變鰭片間距的雙芯軸有权
简体标题：实现可变鳍片间距的双芯轴
公开(公告)号：TWI675417B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW107103427
申请日：2018-01-31
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 朴燦柔 , PARK, CHANRO
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/8234

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