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1. 发明专利

TW201834145A 場效應電晶體的氣隙間隙壁审中-公开
简体标题：场效应晶体管的气隙间隙壁
公开(公告)号：TW201834145A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106135332
申请日：2017-10-16
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：朴燦柔 , PARK, CHANRO , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 金勳 , KIM, HOON , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L29/06 , H01L29/66
摘要：本發明揭示場效應電晶體中的氣隙間隙壁的結構以及在場效應電晶體中形成氣隙間隙壁的方法。在半導體本體的頂部表面上形成閘極結構。鄰近該閘極結構的垂直側壁形成介電間隙壁。在該半導體本體的該頂部表面上形成半導體層。該半導體層相對該閘極結構的該垂直側壁佈置，以使該第一介電間隙壁的第一部分位於該半導體層與該閘極結構的該垂直側壁之間的空間。移除位於該半導體層的頂部表面上方的該介電間隙壁的第二部分。在移除該介電間隙壁的該第二部分處的空間中形成氣隙間隙壁。
简体摘要：本发明揭示场效应晶体管中的气隙间隙壁的结构以及在场效应晶体管中形成气隙间隙壁的方法。在半导体本体的顶部表面上形成闸极结构。邻近该闸极结构的垂直侧壁形成介电间隙壁。在该半导体本体的该顶部表面上形成半导体层。该半导体层相对该闸极结构的该垂直侧壁布置，以使该第一介电间隙壁的第一部分位于该半导体层与该闸极结构的该垂直侧壁之间的空间。移除位于该半导体层的顶部表面上方的该介电间隙壁的第二部分。在移除该介电间隙壁的该第二部分处的空间中形成气隙间隙壁。

2. 发明专利

TWI692016B 用於奈米片裝置之取代金屬閘極圖案化有权
简体标题：用于奈米片设备之取代金属闸极图案化
公开(公告)号：TWI692016B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW106141370
申请日：2017-11-28
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 朴燦柔 , PARK, CHANRO , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 金勳 , KIM, HOON , 臧輝 , ZANG, HUI , 許國偉 , XU, GUOWEI
IPC分类号： H01L21/283

3. 发明专利

TW201834245A 在主動區上方具有氣隙間隔件與閘極接觸之基於電晶體的半導體裝置审中-公开
简体标题：在主动区上方具有气隙间隔件与闸极接触之基于晶体管的半导体设备
公开(公告)号：TW201834245A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106120890
申请日：2017-06-22
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 朴燦柔 , PARK, CHANRO , 賴柏曼拉爾斯渥夫岡 , LIEBMANN, LARS WOLFGANG , 金勳 , KIM, HOON
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/772 , H01L21/28 , H01L21/336
摘要：一種半導體結構，包括半導體基板、在該半導體基板上的半導體鰭片、與該半導體鰭片整合在其頂部的電晶體，該電晶體包括主動區，該主動區包括源極、汲極以及在源極與汲極其間的通道區域。該半導體結構進一步包括在該通道區域上方的閘極結構，該閘極結構包括閘極電極、在該閘極電極之相對側壁上的氣隙間隔件對、以及用於該閘極電極的閘極接觸。還提供一種製造這種半導體裝置的方法。
简体摘要：一种半导体结构，包括半导体基板、在该半导体基板上的半导体鳍片、与该半导体鳍片集成在其顶部的晶体管，该晶体管包括主动区，该主动区包括源极、汲极以及在源极与汲极其间的信道区域。该半导体结构进一步包括在该信道区域上方的闸极结构，该闸极结构包括闸极电极、在该闸极电极之相对侧壁上的气隙间隔件对、以及用于该闸极电极的闸极接触。还提供一种制造这种半导体设备的方法。

4. 发明专利

TWI575581B 半導體裝置之取代金屬閘極中功函數金屬之選擇生長有权
简体标题：半导体设备之取代金属闸极中功函数金属之选择生长
公开(公告)号：TWI575581B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW104111897
申请日：2015-04-14
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：蔡秀雨 , CAI, XIUYU , 金勳 , KIM, HOON , 張洵淵 , ZHANG, XUNYUAN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/49 , H01L27/092

5. 发明专利

TWI677096B 在主動區上方具有氣隙間隔件與閘極接觸之基於電晶體的半導體裝置有权
简体标题：在主动区上方具有气隙间隔件与闸极接触之基于晶体管的半导体设备
公开(公告)号：TWI677096B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW106120890
申请日：2017-06-22
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 朴燦柔 , PARK, CHANRO , 賴柏曼拉爾斯渥夫岡 , LIEBMANN, LARS WOLFGANG , 金勳 , KIM, HOON
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/772 , H01L21/28 , H01L21/336

6. 发明专利

TWI663651B 使用強化閘極蓋體及間隔物部份之自對準接觸部保護有权
简体标题：使用强化闸极盖体及间隔物部份之自对准接触部保护
公开(公告)号：TWI663651B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW106120340
申请日：2017-06-19
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 金勳 , KIM, HOON , 朴燦柔 , PARK, CHANRO
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/3205 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/66

7. 发明专利

TW201830520A 使用強化閘極蓋體及間隔物部份之自對準接觸部保護审中-公开
简体标题：使用强化闸极盖体及间隔物部份之自对准接触部保护
公开(公告)号：TW201830520A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106120340
申请日：2017-06-19
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 金勳 , KIM, HOON , 朴燦柔 , PARK, CHANRO
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/3205 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/66
摘要：一種方法，包括：提供起始結構，該起始結構包含半導體基材、源極與汲極、位在該等源極與汲極上方之硬罩襯墊層、位在該硬罩襯墊層上方之底端介電層、介於該等源極與汲極之間的金屬閘極，其中該等金屬閘極係藉由間隔物所界定、介於對應間隔物之間並且位在該等金屬閘極上面之閘極蓋體開口、以及位在該底端介電層上面並且位在該等閘極蓋體開口中之頂端介電層，從而產生閘極蓋體。該方法更包括移除該頂端介電層之部分，該移除導致接觸開口及位於該等間隔物及/或閘極蓋體之頂端部分處的(多個)凹坑，以及以蝕刻終止材料來填充該(等)凹坑，該蝕刻終止材料具有比該等間隔物與閘極蓋體之材料更佳之蝕刻終止能力。亦揭示所產生之半導體結構。
简体摘要：一种方法，包括：提供起始结构，该起始结构包含半导体基材、源极与汲极、位在该等源极与汲极上方之硬罩衬垫层、位在该硬罩衬垫层上方之底端介电层、介于该等源极与汲极之间的金属闸极，其中该等金属闸极系借由间隔物所界定、介于对应间隔物之间并且位在该等金属闸极上面之闸极盖体开口、以及位在该底端介电层上面并且位在该等闸极盖体开口中之顶端介电层，从而产生闸极盖体。该方法更包括移除该顶端介电层之部分，该移除导致接触开口及位于该等间隔物及/或闸极盖体之顶端部分处的(多个)凹坑，以及以蚀刻终止材料来填充该(等)凹坑，该蚀刻终止材料具有比该等间隔物与闸极盖体之材料更佳之蚀刻终止能力。亦揭示所产生之半导体结构。

8. 发明专利

TW201637080A 半導體裝置之取代金屬閘極中功函數金屬之選擇生長审中-公开
简体标题：半导体设备之取代金属闸极中功函数金属之选择生长
公开(公告)号：TW201637080A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104111897
申请日：2015-04-14
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：蔡秀雨 , CAI, XIUYU , 金勳 , KIM, HOON , 張洵淵 , ZHANG, XUNYUAN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/49 , H01L27/092
摘要：本發明公開一種半導體裝置的取代金屬閘極中的功函數金屬的選擇性生長。具體來說，提供形成於基板上之P通道場效電晶體(p-FET)及n通道場效電晶體(n-FET)，該p通道場效電晶體與該n通道場效電晶體各具有凹口形成於其中，在各凹口內形成高k層與阻擋層，在n通道場效電晶體的凹口內選擇性生長功函數金屬(WFM)，其中該高k層、該阻擋層及該功函數金屬在該凹口內各被凹陷至所需的高度，且在各凹口內形成金屬材料(例如鎢)。通過在製程中早期提供功函數金屬的挖槽，降低遮罩材料填充到各閘極凹口的風險。此外，該選擇性的功函數金屬生長增進該金屬材料的填充，進而降低該裝置中的閘極電阻。
简体摘要：本发明公开一种半导体设备的取代金属闸极中的功函数金属的选择性生长。具体来说，提供形成于基板上之P信道场效应管(p-FET)及n信道场效应管(n-FET)，该p信道场效应管与该n信道场效应管各具有凹口形成于其中，在各凹口内形成高k层与阻挡层，在n信道场效应管的凹口内选择性生长功函数金属(WFM)，其中该高k层、该阻挡层及该功函数金属在该凹口内各被凹陷至所需的高度，且在各凹口内形成金属材料(例如钨)。通过在制程中早期提供功函数金属的挖槽，降低遮罩材料填充到各闸极凹口的风险。此外，该选择性的功函数金属生长增进该金属材料的填充，进而降低该设备中的闸极电阻。

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