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1. 发明专利

TW201947704A 倒角置換閘極結構审中-公开
简体标题：倒角置换闸极结构
公开(公告)号：TW201947704A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108111942
申请日：2019-04-03
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：王海艇 , WANG, HAITING , 路榮濤 , LU, RONGTAO , 張志強 , CHANG, CHIH CHIANG , 許國偉 , XU, GUOWEI , 臧輝 , ZANG, HUI , 畢瑟史考特 , BEASOR, SCOTT , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/28
摘要：本揭露係關於一種半導體結構，特別係關於一種倒角置換閘極結構及其製造方法。該倒角置換閘極結構，包括：一溝槽結構中的一凹入閘極介電材料；在該凹入閘極介電材料上之溝槽結構內的複數個凹入功函數材料；在該溝槽結構內且位於該凹入閘極介電材料及該等複數個凹入功函數材料上的複數個額外功函數材料；在該溝槽結構內及在該等複數個額外功函數材料上方的一閘極金屬，該閘極金屬及該等複數個額外功函數材料具有低於該溝槽結構之頂表面之一平面表面；以及在該閘極金屬及該等複數個額外功函數材料上方之一覆蓋材料。
简体摘要：本揭露系关于一种半导体结构，特别系关于一种倒角置换闸极结构及其制造方法。该倒角置换闸极结构，包括：一沟槽结构中的一凹入闸极介电材料；在该凹入闸极介电材料上之沟槽结构内的复数个凹入功函数材料；在该沟槽结构内且位于该凹入闸极介电材料及该等复数个凹入功函数材料上的复数个额外功函数材料；在该沟槽结构内及在该等复数个额外功函数材料上方的一闸极金属，该闸极金属及该等复数个额外功函数材料具有低于该沟槽结构之顶表面之一平面表面；以及在该闸极金属及该等复数个额外功函数材料上方之一覆盖材料。

2. 发明专利

TWI699865B 中段製程結構有权
简体标题：中段制程结构
公开(公告)号：TWI699865B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW107117560
申请日：2018-05-23
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：臧輝 , ZANG, HUI , 許國偉 , XU, GUOWEI , 陶巴克曼凱斯 , TABAKMAN, KEITH , 薩德塞維拉傑 , SARDESAI, VIRAJ
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/60

3. 发明专利

TWI692016B 用於奈米片裝置之取代金屬閘極圖案化有权
简体标题：用于奈米片设备之取代金属闸极图案化
公开(公告)号：TWI692016B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW106141370
申请日：2017-11-28
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 朴燦柔 , PARK, CHANRO , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 金勳 , KIM, HOON , 臧輝 , ZANG, HUI , 許國偉 , XU, GUOWEI
IPC分类号： H01L21/283

4. 发明专利

TW202011608A 用於接觸件之不同上部與下部間隔件审中-公开
简体标题：用于接触件之不同上部与下部间隔件
公开(公告)号：TW202011608A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108117518
申请日：2019-05-21
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：許國偉 , XU, GUOWEI , 臧輝 , ZANG, HUI , 王海艇 , WANG, HAITING , 畢索爾史考特 , BEASOR, SCOTT
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12
摘要：本發明之各種程序形成包含範例設備的不同結構，該設備包括(但還有其它組件)具有通道區域的第一層、在第一層中通道區域的相對側面上的源極/汲極結構、在通道區域上的閘極絕緣體、以及在閘極絕緣體上的閘極堆疊。閘極堆疊可包括閘極導體、以及在閘極導體上的堆疊絕緣體或閘極接觸件。閘極堆疊具有鄰近源極/汲極結構的下部側壁和遠離源極/汲極結構的上部側壁。進一步地，下部間隔件是在源極/汲極接觸件與閘極堆疊的下部側壁之間；而上部間隔件在源極/汲極接觸件與閘極堆疊的上部側壁之間。在一些結構中，上部間隔件可部分地與下部間隔件重疊。
简体摘要：本发明之各种进程形成包含范例设备的不同结构，该设备包括(但还有其它组件)具有信道区域的第一层、在第一层中信道区域的相对侧面上的源极/汲极结构、在信道区域上的闸极绝缘体、以及在闸极绝缘体上的闸极堆栈。闸极堆栈可包括闸极导体、以及在闸极导体上的堆栈绝缘体或闸极接触件。闸极堆栈具有邻近源极/汲极结构的下部侧壁和远离源极/汲极结构的上部侧壁。进一步地，下部间隔件是在源极/汲极接触件与闸极堆栈的下部侧壁之间；而上部间隔件在源极/汲极接触件与闸极堆栈的上部侧壁之间。在一些结构中，上部间隔件可部分地与下部间隔件重叠。

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