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    • 7. 发明专利
    • 使用強化閘極蓋體及間隔物部份之自對準接觸部保護
    • 使用强化闸极盖体及间隔物部份之自对准接触部保护
    • TW201830520A
    • 2018-08-16
    • TW106120340
    • 2017-06-19
    • 格羅方德半導體公司GLOBALFOUNDRIES US INC.
    • 謝瑞龍XIE, RUILONG成 敏圭SUNG, MIN GYU金 勳KIM, HOON朴燦柔PARK, CHANRO
    • H01L21/3105H01L21/3205H01L21/8234H01L27/088H01L29/417H01L29/45H01L29/66
    • 一種方法,包括:提供起始結構,該起始結構包含半導體基材、源極與汲極、位在該等源極與汲極上方之硬罩襯墊層、位在該硬罩襯墊層上方之底端介電層、介於該等源極與汲極之間的金屬閘極,其中該等金屬閘極係藉由間隔物所界定、介於對應間隔物之間並且位在該等金屬閘極上面之閘極蓋體開口、以及位在該底端介電層上面並且位在該等閘極蓋體開口中之頂端介電層,從而產生閘極蓋體。該方法更包括移除該頂端介電層之部分,該移除導致接觸開口及位於該等間隔物及/或閘極蓋體之頂端部分處的(多個)凹坑,以及以蝕刻終止材料來填充該(等)凹坑,該蝕刻終止材料具有比該等間隔物與閘極蓋體之材料更佳之蝕刻終止能力。亦揭示所產生之半導體結構。
    • 一种方法,包括:提供起始结构,该起始结构包含半导体基材、源极与汲极、位在该等源极与汲极上方之硬罩衬垫层、位在该硬罩衬垫层上方之底端介电层、介于该等源极与汲极之间的金属闸极,其中该等金属闸极系借由间隔物所界定、介于对应间隔物之间并且位在该等金属闸极上面之闸极盖体开口、以及位在该底端介电层上面并且位在该等闸极盖体开口中之顶端介电层,从而产生闸极盖体。该方法更包括移除该顶端介电层之部分,该移除导致接触开口及位于该等间隔物及/或闸极盖体之顶端部分处的(多个)凹坑,以及以蚀刻终止材料来填充该(等)凹坑,该蚀刻终止材料具有比该等间隔物与闸极盖体之材料更佳之蚀刻终止能力。亦揭示所产生之半导体结构。