专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201506992A 疏水化處理裝置、疏水化處理方法、及疏水化處理用記錄媒體审中-公开
简体标题：疏水化处理设备、疏水化处理方法、及疏水化处理用记录媒体
公开(公告)号：TW201506992A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103105858
申请日：2014-02-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：上田健一 , UEDA, KENICHI
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/4583 , C23C16/46 , C23C16/463 , G03F7/16 , H01L21/02304 , H01L21/0231 , H01L21/0276 , H01L21/67109 , H01L21/67115
摘要：提供一種可在短時間將基板的表面疏水化的裝置、方法及記錄媒體。黏著單元(U5)，係具備冷卻部(40) 、光照射部(50)、供氣部(60)、升降部(80)及控制部(90)。冷卻部(40)的冷卻板(41)，係與晶圓(W)的背面(Wb)對向。光照射部(50)的光源(51a)，係與晶圓(W)之表面(Wa)對向而具有空隙，射出輻射加熱用的光。供氣部(60)的氣體收容體(61，係覆蓋光源(51a)的下側且與晶圓(W)之表面(Wa)對向而具有空隙。在氣體收容體(61)的下側設有複數個氣體吐出口(63)。控制部(90)，係在控制升降部(80)使晶圓(W)接近冷卻板(41)的狀態下，控制供氣部(60)並送出疏水化處理氣體。然後，在控制光照射部(50)使光源(51a)發光且控制升降部(80)使晶圓(W)接近光源的狀態下，控制供氣部(60)並送出疏水化處理氣體。
简体摘要：提供一种可在短时间将基板的表面疏水化的设备、方法及记录媒体。黏着单元(U5)，系具备冷却部(40) 、光照射部(50)、供气部(60)、升降部(80)及控制部(90)。冷却部(40)的冷却板(41)，系与晶圆(W)的背面(Wb)对向。光照射部(50)的光源(51a)，系与晶圆(W)之表面(Wa)对向而具有空隙，射出辐射加热用的光。供气部(60)的气体收容体(61，系覆盖光源(51a)的下侧且与晶圆(W)之表面(Wa)对向而具有空隙。在气体收容体(61)的下侧设有复数个气体吐出口(63)。控制部(90)，系在控制升降部(80)使晶圆(W)接近冷却板(41)的状态下，控制供气部(60)并送出疏水化处理气体。然后，在控制光照射部(50)使光源(51a)发光且控制升降部(80)使晶圆(W)接近光源的状态下，控制供气部(60)并送出疏水化处理气体。

2. 发明专利

TW201517297A 塗佈膜之形成方法及電腦記憶媒體审中-公开
简体标题：涂布膜之形成方法及电脑记忆媒体
公开(公告)号：TW201517297A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103121878
申请日：2014-06-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：上田健一 , UEDA, KENICHI
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/324
CPC分类号： H05B1/0233 , G03F7/168 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/02318 , H01L21/02323 , H01L21/02337 , H01L21/0271 , H01L21/3105 , H01L21/67115
摘要：在具有高低差之基板上塗佈塗佈液而形成塗佈膜時，可抑制基板之高低差的影響而形成高低差小的塗佈膜。以塗佈液之溶劑的揮發溫度以上且低於玻璃轉移點的溫度亦即第1溫度，來加熱塗佈有塗佈液的基板。然後，以塗佈液之玻璃轉移點以上且低於塗佈液之交聯開始溫度的第2溫度，來加熱前述基板，接下來，以塗佈液之交聯開始溫度以上且低於塗佈膜之材料分解溫度的第3溫度，來加熱基板而形成塗佈膜。基板之加熱處理，係對基板照射光而予以進行。
简体摘要：在具有高低差之基板上涂布涂布液而形成涂布膜时，可抑制基板之高低差的影响而形成高低差小的涂布膜。以涂布液之溶剂的挥发温度以上且低于玻璃转移点的温度亦即第1温度，来加热涂布有涂布液的基板。然后，以涂布液之玻璃转移点以上且低于涂布液之交联开始温度的第2温度，来加热前述基板，接下来，以涂布液之交联开始温度以上且低于涂布膜之材料分解温度的第3温度，来加热基板而形成涂布膜。基板之加热处理，系对基板照射光而予以进行。

3. 发明专利

TWI625788B 基板處理方法、記憶媒體及加熱裝置有权
简体标题：基板处理方法、记忆媒体及加热设备
公开(公告)号：TWI625788B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW104142305
申请日：2015-12-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：塩澤崇博 , SHIOZAWA, TAKAHIRO , 上田健一 , UEDA, KENICHI
IPC分类号： H01L21/3105 , H05B3/00 , H01L21/027 , H01L21/67

4. 发明专利

TW201635376A 基板處理方法、記憶媒體及加熱裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法、记忆媒体及加热设备
公开(公告)号：TW201635376A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104142305
申请日：2015-12-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：塩澤崇博 , SHIOZAWA, TAKAHIRO , 上田健一 , UEDA, KENICHI
IPC分类号： H01L21/3105 , H05B3/00 , H01L21/027 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/31058 , B05D3/0254 , B05D3/0281 , H01L21/02115 , H01L21/02126 , H01L21/02282 , H01L21/02318 , H01L21/02337 , H01L21/0273 , H01L21/3105 , H01L21/31053 , H01L21/31144 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/6875 , H05B3/0047
摘要：藉由簡易構成的裝置，於基板之面內，高均勻性地進行朝在表面形成有圖案的基板之塗佈膜的形成與該塗佈膜之表面的去除。具備有：塗佈工程，對在表面形成有圖案的基板塗佈塗佈液而形成塗佈膜；膜去除工程，為了使塗佈膜的成分汽化並使膜厚減小，而加熱基板；及膜硬化工程，為了在與前述膜去除工程同時或前述膜去除工程後，藉由交聯反應使該塗佈膜硬化，而加熱基板，以使前述膜硬化後之塗佈膜的平均膜厚成為前述膜去除工程之前之塗佈膜的平均膜厚之80%以下的方式，進行前述膜去除工程，藉此進行處理。
简体摘要：借由简易构成的设备，于基板之面内，高均匀性地进行朝在表面形成有图案的基板之涂布膜的形成与该涂布膜之表面的去除。具备有：涂布工程，对在表面形成有图案的基板涂布涂布液而形成涂布膜；膜去除工程，为了使涂布膜的成分汽化并使膜厚减小，而加热基板；及膜硬化工程，为了在与前述膜去除工程同时或前述膜去除工程后，借由交联反应使该涂布膜硬化，而加热基板，以使前述膜硬化后之涂布膜的平均膜厚成为前述膜去除工程之前之涂布膜的平均膜厚之80%以下的方式，进行前述膜去除工程，借此进行处理。

5. 发明专利

TWI559368B 疏水化處理裝置、疏水化處理方法、及疏水化處理用記錄媒體有权
简体标题：疏水化处理设备、疏水化处理方法、及疏水化处理用记录媒体
公开(公告)号：TWI559368B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW103105858
申请日：2014-02-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：上田健一 , UEDA, KENICHI
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/4583 , C23C16/46 , C23C16/463 , G03F7/16 , H01L21/02304 , H01L21/0231 , H01L21/0276 , H01L21/67109 , H01L21/67115

6. 发明专利

TW201513167A 基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體审中-公开
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及记忆媒体
公开(公告)号：TW201513167A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103119439
申请日：2014-06-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宮田雄一郎 , MIYATA, YUICHIRO , 田中啓一 , TANAKA, KEIICHI , 上田健一 , UEDA, KENICHI , 鹽澤崇博 , SHIOZAWA, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/422 , H01L21/02065 , H01L21/31133 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/7684 , H01L2224/11916
摘要：本發明旨在提供一種基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體，該基板處理方法，對經曝光、顯影處理而形成圖案遮罩之基板，進行用來改善該圖案遮罩之粗糙度之處理，其特徵在於包含：第1程序，以氣體之狀態對該基板之表面供給第1溶劑，溶解該圖案遮罩；及第2程序，在該第1程序後，於溶劑對圖案遮罩之浸透性低於該第1程序中溶劑之浸透性之條件下，對該基板之表面供給第2溶劑，溶解該圖案遮罩。
简体摘要：本发明旨在提供一种基板处理方法、基板处理设备及记忆媒体，该基板处理方法，对经曝光、显影处理而形成图案遮罩之基板，进行用来改善该图案遮罩之粗糙度之处理，其特征在于包含：第1进程，以气体之状态对该基板之表面供给第1溶剂，溶解该图案遮罩；及第2进程，在该第1进程后，于溶剂对图案遮罩之浸透性低于该第1进程中溶剂之浸透性之条件下，对该基板之表面供给第2溶剂，溶解该图案遮罩。

7. 发明专利

TWI578378B 基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體有权
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及记忆媒体
公开(公告)号：TWI578378B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW103119439
申请日：2014-06-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宮田雄一郎 , MIYATA, YUICHIRO , 田中啓一 , TANAKA, KEIICHI , 上田健一 , UEDA, KENICHI , 鹽澤崇博 , SHIOZAWA, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/422 , H01L21/02065 , H01L21/31133 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/7684 , H01L2224/11916

8. 发明专利

TWI569463B 塗佈膜之形成方法及電腦記憶媒體有权
简体标题：涂布膜之形成方法及电脑记忆媒体
公开(公告)号：TWI569463B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW103121878
申请日：2014-06-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：上田健一 , UEDA, KENICHI
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/324
CPC分类号： H05B1/0233 , G03F7/168 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/02318 , H01L21/02323 , H01L21/02337 , H01L21/0271 , H01L21/3105 , H01L21/67115

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式