基本信息:
- 专利标题： 基板處理方法、記憶媒體及加熱裝置
- 专利标题（英）：Substrate processing method, storage medium and heating apparatus
- 专利标题（中）：基板处理方法、记忆媒体及加热设备
- 申请号：TW104142305 申请日：2015-12-16
- 公开(公告)号：TW201635376A 公开(公告)日：2016-10-01
- 发明人： 塩澤崇博 , SHIOZAWA, TAKAHIRO , 上田健一 , UEDA, KENICHI
- 申请人： 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
- 专利权人： 東京威力科創股份有限公司,TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人： 東京威力科創股份有限公司,TOKYO ELECTRON LIMITED
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 2014-265051 20141226
- 主分类号： H01L21/3105
- IPC分类号： H01L21/3105 ; H05B3/00 ; H01L21/027 ; H01L21/67
摘要：
藉由簡易構成的裝置，於基板之面內，高均勻性地進行朝在表面形成有圖案的基板之塗佈膜的形成與該塗佈膜之表面的去除。 具備有：塗佈工程，對在表面形成有圖案的基板塗佈塗佈液而形成塗佈膜；膜去除工程，為了使塗佈膜的成分汽化並使膜厚減小，而加熱基板；及膜硬化工程，為了在與前述膜去除工程同時或前述膜去除工程後，藉由交聯反應使該塗佈膜硬化，而加熱基板，以使前述膜硬化後之塗佈膜的平均膜厚成為前述膜去除工程之前之塗佈膜的平均膜厚之80%以下的方式，進行前述膜去除工程，藉此進行處理。
摘要（中）：
借由简易构成的设备，于基板之面内，高均匀性地进行朝在表面形成有图案的基板之涂布膜的形成与该涂布膜之表面的去除。 具备有：涂布工程，对在表面形成有图案的基板涂布涂布液而形成涂布膜；膜去除工程，为了使涂布膜的成分汽化并使膜厚减小，而加热基板；及膜硬化工程，为了在与前述膜去除工程同时或前述膜去除工程后，借由交联反应使该涂布膜硬化，而加热基板，以使前述膜硬化后之涂布膜的平均膜厚成为前述膜去除工程之前之涂布膜的平均膜厚之80%以下的方式，进行前述膜去除工程，借此进行处理。
摘要（英）：
A substrate processing method includes a coating step that applies a coating liquid to a substrate having a front surface on which a pattern is formed, thereby forming a coating film on the substrate, a film removing step that heats the substrate to gasify components of the coating film thereby to reduce a thickness of the film, and a film curing step that is performed after or simultaneously with the film removing step and that heats the substrate to cure the coating film through crosslinking reaction. The film removing step is performed under conditions ensuring that an average thickness of the cured coating film is not greater than 80% of an average thickness of the coating film before being subjected to the film removing step.
公开/授权文献:
- TWI625788B 基板處理方法、記憶媒體及加熱裝置 公开/授权日：2018-06-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/3105 | ......后处理 |