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1. 发明专利

TWI578378B 基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體有权
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及记忆媒体
公开(公告)号：TWI578378B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW103119439
申请日：2014-06-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宮田雄一郎 , MIYATA, YUICHIRO , 田中啓一 , TANAKA, KEIICHI , 上田健一 , UEDA, KENICHI , 鹽澤崇博 , SHIOZAWA, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/422 , H01L21/02065 , H01L21/31133 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/7684 , H01L2224/11916

2. 发明专利

TW201517116A 基板處理裝置、基板處理方法及基板處理用記憶媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及基板处理用记忆媒体
公开(公告)号：TW201517116A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103124624
申请日：2014-07-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：下青木剛 , SHIMOAOKI, TAKESHI , 宮田雄一郎 , MIYATA, YUICHIRO , 小杉仁 , KOSUGI, HITOSHI
IPC分类号： H01L21/027 , B05C5/02
摘要：本發明提供一種可充分地抑制凹凸圖案的崩塌之基板處理裝置。基板處理裝置U1，具備旋轉保持部20、顯影液供給部23、沖洗液供給部24、充填液供給部25、及控制部27。控制部27，在控制旋轉保持部20及顯影液供給部23，使晶圓W旋轉並對晶圓W之表面供給顯影液後，控制旋轉保持部20及沖洗液供給部24以使晶圓W旋轉並對晶圓W的表面供給沖洗液，藉以形成凹凸圖案。控制部27，在控制旋轉保持部20及充填液供給部25，使晶圓W旋轉並對凹凸圖案上供給充填液，以將沖洗液置換為充填液後，控制旋轉保持部20以使晶圓W旋轉，使充填液乾燥，藉以將較凹凸圖案的凸部更低之充填部形成於凹凸圖案的凹部。
简体摘要：本发明提供一种可充分地抑制凹凸图案的崩塌之基板处理设备。基板处理设备U1，具备旋转保持部20、显影液供给部23、冲洗液供给部24、充填液供给部25、及控制部27。控制部27，在控制旋转保持部20及显影液供给部23，使晶圆W旋转并对晶圆W之表面供给显影液后，控制旋转保持部20及冲洗液供给部24以使晶圆W旋转并对晶圆W的表面供给冲洗液，借以形成凹凸图案。控制部27，在控制旋转保持部20及充填液供给部25，使晶圆W旋转并对凹凸图案上供给充填液，以将冲洗液置换为充填液后，控制旋转保持部20以使晶圆W旋转，使充填液干燥，借以将较凹凸图案的凸部更低之充填部形成于凹凸图案的凹部。

3. 发明专利

TW201513167A 基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體审中-公开
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及记忆媒体
公开(公告)号：TW201513167A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103119439
申请日：2014-06-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宮田雄一郎 , MIYATA, YUICHIRO , 田中啓一 , TANAKA, KEIICHI , 上田健一 , UEDA, KENICHI , 鹽澤崇博 , SHIOZAWA, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/422 , H01L21/02065 , H01L21/31133 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/7684 , H01L2224/11916
摘要：本發明旨在提供一種基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體，該基板處理方法，對經曝光、顯影處理而形成圖案遮罩之基板，進行用來改善該圖案遮罩之粗糙度之處理，其特徵在於包含：第1程序，以氣體之狀態對該基板之表面供給第1溶劑，溶解該圖案遮罩；及第2程序，在該第1程序後，於溶劑對圖案遮罩之浸透性低於該第1程序中溶劑之浸透性之條件下，對該基板之表面供給第2溶劑，溶解該圖案遮罩。
简体摘要：本发明旨在提供一种基板处理方法、基板处理设备及记忆媒体，该基板处理方法，对经曝光、显影处理而形成图案遮罩之基板，进行用来改善该图案遮罩之粗糙度之处理，其特征在于包含：第1进程，以气体之状态对该基板之表面供给第1溶剂，溶解该图案遮罩；及第2进程，在该第1进程后，于溶剂对图案遮罩之浸透性低于该第1进程中溶剂之浸透性之条件下，对该基板之表面供给第2溶剂，溶解该图案遮罩。

4. 发明专利

TWI573176B 基板處理裝置、基板處理方法及基板處理用記憶媒體有权
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及基板处理用记忆媒体
公开(公告)号：TWI573176B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW103124624
申请日：2014-07-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：下青木剛 , SHIMOAOKI, TAKESHI , 宮田雄一郎 , MIYATA, YUICHIRO , 小杉仁 , KOSUGI, HITOSHI
IPC分类号： H01L21/027 , B05C5/02

5. 发明专利

TWI454318B 液體處理裝置，液體處理方法及記憶媒體有权
简体标题：液体处理设备，液体处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI454318B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW099104432
申请日：2010-02-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：瀧口靖史 , TAKIGUCHI, YASUSHI , 吉村好貴 , YOSHIMURA, KOKI , 宮田雄一郎 , MIYATA, YUICHIRO , 山本裕介 , YAMAMOTO, YUSUKE
IPC分类号： B05C11/10 , G03F7/16 , G06F9/44

6. 外观设计

TWD133327S 塗敷用杯蓋 COATER CUP 有权
简体标题：涂敷用杯盖 COATER CUP
公开(公告)号：TWD133327S
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：TW098300682
申请日：2009-02-23
申请人：東京威力科創股份有限公司
设计人：長峰秀一 , 木下尚文 , 高柳康治 , 宮田雄一郎 , 瀧口靖史
摘要：【物品用途】本創作的物品是塗敷用杯蓋，本物品係如使用狀態參考圖所示，嵌裝於包圍著用來保持半導體晶圓之旋轉吸盤之下部側的杯體基部的上端開口部，防止從塗敷噴嘴吐出到旋轉中的半導體晶圓的塗敷液往外部飛濺的塗敷用杯蓋。【創作特點】本物品係如A-A線放大參考斷面部所示，係以具有利用環狀起立片形成在中心部的開口部的圓形上部；和自圓形上部的外周緣垂下，在外周面設置能與杯體基部之上端開口部嵌合的段差部，且在下端部具有向下方變狹窄之錐形面的圓筒狀腹部；和從圓形上部的裏面垂下，用來阻止已飛濺的塗敷液濺回到半導體晶圓的圓筒狀遮蔽部所構成的。
简体摘要：【物品用途】本创作的物品是涂敷用杯盖，本物品系如使用状态参考图所示，嵌装于包围着用来保持半导体晶圆之旋转吸盘之下部侧的杯体基部的上端开口部，防止从涂敷喷嘴吐出到旋转中的半导体晶圆的涂敷液往外部飞溅的涂敷用杯盖。【创作特点】本物品系如A-A线放大参考断面部所示，系以具有利用环状起立片形成在中心部的开口部的圆形上部；和自圆形上部的外周缘垂下，在外周面设置能与杯体基部之上端开口部嵌合的段差部，且在下端部具有向下方变狭窄之锥形面的圆筒状腹部；和从圆形上部的里面垂下，用来阻止已飞溅的涂敷液溅回到半导体晶圆的圆筒状屏蔽部所构成的。

7. 发明专利

TW201100177A 液處理裝置，液處理方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：液处理设备，液处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201100177A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099104432
申请日：2010-02-11
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：瀧口靖史 , 吉村好貴 , 宮田雄一郎 , 山本裕介
IPC分类号： B05C , G03F , G06F
摘要：本發明之課題為:於具備有:具於橫方向被配置為一列之基板保持部的複數個液體處理部、及對於此等液體處理部被共用化之處理液體噴嘴的液體處理裝置中,抑制從前述處理液體噴嘴對基板之處理液體的落下,來防止良率的降低。本發明之解決手段為:於橫方向被排列為一列之複數個杯體的開口部間,於處理液體噴嘴的移動路徑的下方側設置有:與從藉由移動手段被移動的處理液體噴嘴垂下之前述處理液體的液滴接觸,將該液滴從處理液體噴嘴予以去除用之液體去除部。因此,處理液體噴嘴在為了對基板進行處理而移動於待機部和各液體處理部時,可以防止從處理液體噴嘴對基板上之前述液滴的落下。其結果,可以抑制良率的降低。
简体摘要：本发明之课题为:于具备有:具于横方向被配置为一列之基板保持部的复数个液体处理部、及对于此等液体处理部被共享化之处理液体喷嘴的液体处理设备中,抑制从前述处理液体喷嘴对基板之处理液体的落下,来防止良率的降低。本发明之解决手段为:于横方向被排列为一列之复数个杯体的开口部间,于处理液体喷嘴的移动路径的下方侧设置有:与从借由移动手段被移动的处理液体喷嘴垂下之前述处理液体的液滴接触,将该液滴从处理液体喷嘴予以去除用之液体去除部。因此,处理液体喷嘴在为了对基板进行处理而移动于待机部和各液体处理部时,可以防止从处理液体喷嘴对基板上之前述液滴的落下。其结果,可以抑制良率的降低。

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