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1. 发明专利

TWI456659B 含矽絕緣膜之膜形成方法與設備有权
简体标题：含硅绝缘膜之膜形成方法与设备
公开(公告)号：TWI456659B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW098102852
申请日：2009-01-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 小川淳 , OGAWA, JUN
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/42 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/452 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45536 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/0228 , H01L21/31612

2. 发明专利

TW201346060A 形成鍺薄膜之方法审中-公开
简体标题：形成锗薄膜之方法
公开(公告)号：TW201346060A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102107327
申请日：2013-03-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/06
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02636
摘要：一種在底層膜上形成鍺薄膜之方法，包含：使用胺基鍺烷基氣體藉由在底層膜的表面上吸收鍺而形成鍺晶種層、以及使用鍺烷基氣體在該鍺晶種層上形成鍺薄膜。
简体摘要：一种在底层膜上形成锗薄膜之方法，包含：使用胺基锗烷基气体借由在底层膜的表面上吸收锗而形成锗晶种层、以及使用锗烷基气体在该锗晶种层上形成锗薄膜。

3. 发明专利

TWI561669B 氣體供給裝置之控制方法及基板處理系統有权
简体标题：气体供给设备之控制方法及基板处理系统
公开(公告)号：TWI561669B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW103111565
申请日：2014-03-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 島裕巳 , SHIMA, HIROMI , 立野雄亮 , TACHINO, YUSUKE
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/52

4. 发明专利

TWI517215B 薄膜形成方法及膜形成設備有权
简体标题：薄膜形成方法及膜形成设备
公开(公告)号：TWI517215B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW101135631
申请日：2012-09-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 遠藤篤史 , ENDO, ATSUSHI , 宮原孝廣 , MIYAHARA, TAKAHIRO , 中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 五十嵐一將 , IGARASHI, KAZUMASA
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/42
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109

5. 发明专利

TWI422994B 光罩圖案之形成方法、微細圖案之形成方法及成膜裝置有权
简体标题：光罩图案之形成方法、微细图案之形成方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI422994B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW098132629
申请日：2009-09-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 小川淳 , OGAWA, JUN , 村上博紀 , MURAKAMI, HIROKI
IPC分类号： G03F7/40
CPC分类号： H01L21/027 , C23C16/02 , C23C16/402 , C23C16/403 , C23C16/45536 , G03F7/40 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/31608 , H01L21/31616 , H01L21/32139 , H01L21/76816

6. 发明专利

TW201840894A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201840894A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106144307
申请日：2017-12-18
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：竹澤由裕 , TAKEZAWA, YOSHIHIRO , 坂下訓康 , SAKASHITA, KUNIYASU , 中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L21/316
摘要：本發明於對沿垂直方向呈多層配置之狀態下之複數之基板進行成膜處理之際，使膜厚的面內均勻性及覆蓋（coverage）性能優良。成膜裝置100包括：基板固持構件5，將複數之被處理基板以既定間隔而沿垂直方向呈多層固持；處理容器1，收納將被處理基板W加以固持之基板固持構件5；處理氣體導入構件19、22，具有對於處理容器1內的被處理基板W平行噴吐處理氣體之複數之氣體噴吐孔19a、22a，將處理氣體導入至處理容器1內；排氣機構41，將處理容器1內加以排氣；以及複數之氣體流調整構件65，與被處理基板W各自相向設置；且氣體流調整構件65將自噴吐孔19a、22a對於被處理基板W平行噴吐之處理氣體的氣體流，調整成自位在其下方之被處理基板W的上方朝向其表面之氣體流。
简体摘要：本发明于对沿垂直方向呈多层配置之状态下之复数之基板进行成膜处理之际，使膜厚的面内均匀性及覆盖（coverage）性能优良。成膜设备100包括：基板固持构件5，将复数之被处理基板以既定间隔而沿垂直方向呈多层固持；处理容器1，收纳将被处理基板W加以固持之基板固持构件5；处理气体导入构件19、22，具有对于处理容器1内的被处理基板W平行喷吐处理气体之复数之气体喷吐孔19a、22a，将处理气体导入至处理容器1内；排气机构41，将处理容器1内加以排气；以及复数之气体流调整构件65，与被处理基板W各自相向设置；且气体流调整构件65将自喷吐孔19a、22a对于被处理基板W平行喷吐之处理气体的气体流，调整成自位在其下方之被处理基板W的上方朝向其表面之气体流。

7. 发明专利

TWI618810B 碳氮化鈦膜形成方法及成膜裝置有权
简体标题：碳氮化钛膜形成方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI618810B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW104108249
申请日：2015-03-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 島裕巳 , SHIMA, HIROMI , 立野雄亮 , TACHINO, YUSUKE
IPC分类号： C23C16/36 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： C23C16/45525 , C23C16/36

8. 发明专利

TW201447026A 氣體供給裝置之控制方法及基板處理系統审中-公开
简体标题：气体供给设备之控制方法及基板处理系统
公开(公告)号：TW201447026A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103111565
申请日：2014-03-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 島裕巳 , SHIMA, HIROMI , 立野雄亮 , TACHINO, YUSUKE
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/52
摘要：本發明旨在提供一種氣體供給裝置之控制方法及基板處理系統。其中，該氣體供給裝置之控制方法內，該氣體供給裝置包含氣化器、載持氣體供給源及氣體供給通道，該氣體供給裝置之控制方法之特徵在於包含下列程序：對該氣化器之原料容器之內部，供給液體或是固體之原料；於該原料容器之內部使該原料氣化，產生原料氣體；使收納該液體或是固體之原料之該原料容器之內部排氣；自該載持氣體供給源對該原料容器之內部，供給載持氣體；及藉由該載持氣體，自該原料容器，經由該氣體供給通道，朝對被處理基板施行處理之處理室搬運該原料氣體。
简体摘要：本发明旨在提供一种气体供给设备之控制方法及基板处理系统。其中，该气体供给设备之控制方法内，该气体供给设备包含气化器、载持气体供给源及气体供给信道，该气体供给设备之控制方法之特征在于包含下列进程：对该气化器之原料容器之内部，供给液体或是固体之原料；于该原料容器之内部使该原料气化，产生原料气体；使收纳该液体或是固体之原料之该原料容器之内部排气；自该载持气体供给源对该原料容器之内部，供给载持气体；及借由该载持气体，自该原料容器，经由该气体供给信道，朝对被处理基板施行处理之处理室搬运该原料气体。

9. 发明专利

TWI436423B 半導體處理用之氧化裝置及方法有权
简体标题：半导体处理用之氧化设备及方法
公开(公告)号：TWI436423B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW096139387
申请日：2007-10-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 藤田武彥 , FUJITA, TAKEHIKO , 中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 小川淳 , OGAWA, JUN
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31662

10. 发明专利

TW201828367A 硼膜及其成膜方法與硬式遮罩及其製造方法审中-公开
简体标题：硼膜及其成膜方法与硬式遮罩及其制造方法
公开(公告)号：TW201828367A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106132336
申请日：2017-09-21
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宮原孝廣 , MIYAHARA, TAKAHIRO , 矢部和雄 , YABE, KAZUO , 中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU
IPC分类号： H01L21/365 , H01L21/475 , H01L21/471
摘要：本發明旨在提供能應用於半導體裝置的硼膜及其成膜方法、與其實用的用途。本發明提供用於半導體裝置的硼膜，該硼膜由硼及不可避免的雜質所構成。該硼膜可以如下方式形成：於將被處理基板加熱至既定溫度的同時，對該被處理基板供給含硼氣體作為成膜原料氣體，藉由CVD而形成於被處理基板。如此的硼膜，可用作為於蝕刻含SiO2膜的膜而形成凹部時的硬式遮罩。
简体摘要：本发明旨在提供能应用于半导体设备的硼膜及其成膜方法、与其实用的用途。本发明提供用于半导体设备的硼膜，该硼膜由硼及不可避免的杂质所构成。该硼膜可以如下方式形成：于将被处理基板加热至既定温度的同时，对该被处理基板供给含硼气体作为成膜原料气体，借由CVD而形成于被处理基板。如此的硼膜，可用作为于蚀刻含SiO2膜的膜而形成凹部时的硬式遮罩。

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