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1. 发明专利

TW201602384A 碳氮化鈦膜形成方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：碳氮化钛膜形成方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201602384A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104108249
申请日：2015-03-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 島裕巳 , SHIMA, HIROMI , 立野雄亮 , TACHINO, YUSUKE
IPC分类号： C23C16/36 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： C23C16/45525 , C23C16/36
摘要：本發明係一種碳氮化鈦膜形成方法，包含用以形成該碳氮化鈦膜而執行多次的循環；執行多次的該循環，分別包含：將鈦之原料氣體供給至收納被處理體之處理容器內的步驟；及將含碳及氫之第1氣體與含氮之第2氣體同時供給至該處理容器內的步驟。
简体摘要：本发明系一种碳氮化钛膜形成方法，包含用以形成该碳氮化钛膜而运行多次的循环；运行多次的该循环，分别包含：将钛之原料气体供给至收纳被处理体之处理容器内的步骤；及将含碳及氢之第1气体与含氮之第2气体同时供给至该处理容器内的步骤。

2. 发明专利

TWI701737B 氣體噴射器及立式熱處理裝置有权
简体标题：气体喷射器及立式热处理设备
公开(公告)号：TWI701737B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW106138554
申请日：2017-11-08
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI , 島裕巳 , SHIMA, HIROMI , 鈴木啓介 , SUZUKI, KEISUKE
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316 , C23C16/455 , C23C16/46

3. 发明专利

TWI561669B 氣體供給裝置之控制方法及基板處理系統有权
简体标题：气体供给设备之控制方法及基板处理系统
公开(公告)号：TWI561669B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW103111565
申请日：2014-03-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 島裕巳 , SHIMA, HIROMI , 立野雄亮 , TACHINO, YUSUKE
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/52

4. 发明专利

TWI603400B 立式熱處理裝置、熱處理方法及非暫時性記錄媒體有权
简体标题：立式热处理设备、热处理方法及非暂时性记录媒体
公开(公告)号：TWI603400B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW104101614
申请日：2015-01-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 島裕巳 , SHIMA, HIROMI , 立野雄亮 , TACHINO, YUSUKE
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： C23C16/4402 , C23C16/45546 , C23C16/45572 , C23C16/45578

5. 发明专利

TW201541521A 立式熱處理裝置、熱處理方法及非暫時性記錄媒體审中-公开
简体标题：立式热处理设备、热处理方法及非暂时性记录媒体
公开(公告)号：TW201541521A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104101614
申请日：2015-01-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 島裕巳 , SHIMA, HIROMI , 立野雄亮 , TACHINO, YUSUKE
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： C23C16/4402 , C23C16/45546 , C23C16/45572 , C23C16/45578
摘要：本發明旨在提供一種立式熱處理裝置、熱處理方法及非暫時性記錄媒體，其中，該立式熱處理裝置，將呈棚架狀固持有複數之基板之基板固持具，送入由加熱機構包圍之立式之反應管內，進行熱處理，其特徵在於包含：氣體噴嘴，於該反應管內沿該基板固持具之鉛直方向延伸設置，噴吐處理氣體；及流路形成構件，於該反應管內包圍該氣體噴嘴設置，形成用來施行該氣體噴嘴內該處理氣體之溫度調節的溫度調節流體之流通空間，且具有該溫度調節流體之供給口與排出口。
简体摘要：本发明旨在提供一种立式热处理设备、热处理方法及非暂时性记录媒体，其中，该立式热处理设备，将呈棚架状固持有复数之基板之基板固持具，送入由加热机构包围之立式之反应管内，进行热处理，其特征在于包含：气体喷嘴，于该反应管内沿该基板固持具之铅直方向延伸设置，喷吐处理气体；及流路形成构件，于该反应管内包围该气体喷嘴设置，形成用来施行该气体喷嘴内该处理气体之温度调节的温度调节流体之流通空间，且具有该温度调节流体之供给口与排出口。

6. 发明专利

TW201834062A 氣體噴射器及立式熱處理裝置审中-公开
简体标题：气体喷射器及立式热处理设备
公开(公告)号：TW201834062A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106138554
申请日：2017-11-08
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI , 島裕巳 , SHIMA, HIROMI , 鈴木啓介 , SUZUKI, KEISUKE
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316 , C23C16/455 , C23C16/46
摘要： [課題]提供氣體噴射器等，可抑制噴嘴之大型化，同時適於在立式熱處理裝置進行成膜氣體之供給。[解決手段] 本發明之氣體噴射器3，設於立式熱處理裝置，該立式熱處理裝置係使用在上下方向上棚架狀地排列複數片基板W並加以保持的基板保持具2，而在立式之反應容器1內進行熱處理；用以向該反應容器1內供給成膜氣體的該氣體噴射器3內，有筒狀的噴射器本體32，其配置成在反應容器1內於上下方向上延伸，並沿著該上下方向而形成有複數個氣體供給孔31。筒狀的氣體導入管33，則係與該噴射器本體32設置成一體，並具備用以接收成膜氣體的下部側之氣體接收口、以及對噴射器本體32的內部空間321導入成膜氣體的氣體導入口331。
简体摘要： [课题]提供气体喷射器等，可抑制喷嘴之大型化，同时适于在立式热处理设备进行成膜气体之供给。[解决手段] 本发明之气体喷射器3，设于立式热处理设备，该立式热处理设备系使用在上下方向上棚架状地排列复数片基板W并加以保持的基板保持具2，而在立式之反应容器1内进行热处理；用以向该反应容器1内供给成膜气体的该气体喷射器3内，有筒状的喷射器本体32，其配置成在反应容器1内于上下方向上延伸，并沿着该上下方向而形成有复数个气体供给孔31。筒状的气体导入管33，则系与该喷射器本体32设置成一体，并具备用以接收成膜气体的下部侧之气体接收口、以及对喷射器本体32的内部空间321导入成膜气体的气体导入口331。

7. 发明专利

TWI618810B 碳氮化鈦膜形成方法及成膜裝置有权
简体标题：碳氮化钛膜形成方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI618810B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW104108249
申请日：2015-03-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 島裕巳 , SHIMA, HIROMI , 立野雄亮 , TACHINO, YUSUKE
IPC分类号： C23C16/36 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： C23C16/45525 , C23C16/36

8. 发明专利

TWI499689B 氣體供給裝置、熱處理裝置、氣體供給方法及熱處理方法有权
简体标题：气体供给设备、热处理设备、气体供给方法及热处理方法
公开(公告)号：TWI499689B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW101115636
申请日：2012-05-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：古屋治彥 , FURUYA, HARUHIKO , 島裕巳 , SHIMA, HIROMI , 立野雄亮 , TACHINO, YUSUKE
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C16/4482 , C23C16/455 , C23C16/45557 , G05D16/00 , H01L21/02189 , H01L21/0228 , H01L21/67115 , Y10T137/0324 , Y10T137/0396 , Y10T137/7722

9. 发明专利

TW201447026A 氣體供給裝置之控制方法及基板處理系統审中-公开
简体标题：气体供给设备之控制方法及基板处理系统
公开(公告)号：TW201447026A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103111565
申请日：2014-03-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 島裕巳 , SHIMA, HIROMI , 立野雄亮 , TACHINO, YUSUKE
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/52
摘要：本發明旨在提供一種氣體供給裝置之控制方法及基板處理系統。其中，該氣體供給裝置之控制方法內，該氣體供給裝置包含氣化器、載持氣體供給源及氣體供給通道，該氣體供給裝置之控制方法之特徵在於包含下列程序：對該氣化器之原料容器之內部，供給液體或是固體之原料；於該原料容器之內部使該原料氣化，產生原料氣體；使收納該液體或是固體之原料之該原料容器之內部排氣；自該載持氣體供給源對該原料容器之內部，供給載持氣體；及藉由該載持氣體，自該原料容器，經由該氣體供給通道，朝對被處理基板施行處理之處理室搬運該原料氣體。
简体摘要：本发明旨在提供一种气体供给设备之控制方法及基板处理系统。其中，该气体供给设备之控制方法内，该气体供给设备包含气化器、载持气体供给源及气体供给信道，该气体供给设备之控制方法之特征在于包含下列进程：对该气化器之原料容器之内部，供给液体或是固体之原料；于该原料容器之内部使该原料气化，产生原料气体；使收纳该液体或是固体之原料之该原料容器之内部排气；自该载持气体供给源对该原料容器之内部，供给载持气体；及借由该载持气体，自该原料容器，经由该气体供给信道，朝对被处理基板施行处理之处理室搬运该原料气体。

10. 发明专利

TW201402888A 氣體供給裝置及熱處理裝置审中-公开
简体标题：气体供给设备及热处理设备
公开(公告)号：TW201402888A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102104646
申请日：2013-02-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：和村有 , WAMURA, YU , 立野雄亮 , TACHINO, YUSUKE , 島裕巳 , SHIMA, HIROMI
IPC分类号： C30B33/02 , C30B35/00 , H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： F26B19/00 , C23C16/4401 , C23C16/4481 , C23C16/45525 , C23C16/45563 , C23C16/45587 , Y10T137/2931
摘要：提供一種具有來源氣體供給系統的氣體供給裝置，該氣體供給裝置配置成利用載運氣體供給來源氣體至處理容器，其中該來源氣體係產生自由有機金屬材料組成的液體原料。該氣體供給裝置包含：配置成儲存液體原料於其中的原料儲存槽；安裝至原料儲存槽、且連接至載運氣體通道的氣體供給部，其中該載運氣體通道容許載運氣體流通；安裝至原料儲存槽、且連接至來源氣體通道的氣體流出部，其中該來源氣體通道容許來源氣體流通；及配置成預防從氣體供給部注入的載運氣體與原料的液體表面直接接觸之擋板。
简体摘要：提供一种具有来源气体供给系统的气体供给设备，该气体供给设备配置成利用载运气体供给来源气体至处理容器，其中该来源气体系产生自由有机金属材料组成的液体原料。该气体供给设备包含：配置成存储液体原料于其中的原料存储槽；安装至原料存储槽、且连接至载运气体信道的气体供给部，其中该载运气体信道容许载运气体流通；安装至原料存储槽、且连接至来源气体信道的气体流出部，其中该来源气体信道容许来源气体流通；及配置成预防从气体供给部注入的载运气体与原料的液体表面直接接触之挡板。

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