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1. 发明专利

TW201832314A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201832314A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106140562
申请日：2017-11-22
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉冨大地 , YOSHITOMI, DAICHI , 井上一樹 , INOUE, KAZUKI , 安藤幸嗣 , ANDO, KOJI , 藤井定 , FUJII, SADAMU , 石井弘晃 , ISHII, HIROAKI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687
摘要：本發明提供一種基板處理裝置以及基板處理方法，能夠將被供給至基板W的旋轉基座11側之面的處理液附著於基板W之相反側之面的情形予以減輕。複數個夾持銷12的各個係具備：基板握持部20，藉由基板的周端面被按壓而握持前述基板；支柱部18，設置於旋轉基座11，將基板握持部20由旋轉基座11向上側分離並支撐；下游側簷部21，係由基板握持部20延伸至旋轉方向DRr的下游側的部分，係具備朝向旋轉基座11內側的內向表面210S以及朝向作為旋轉基座11側的下側的簷下表面211S。下游側簷部21的簷下表面211S配置於比基板握持部20所握持的基板W的上表面更下側。
简体摘要：本发明提供一种基板处理设备以及基板处理方法，能够将被供给至基板W的旋转基座11侧之面的处理液附着于基板W之相反侧之面的情形予以减轻。复数个夹持销12的各个系具备：基板握持部20，借由基板的周端面被按压而握持前述基板；支柱部18，设置于旋转基座11，将基板握持部20由旋转基座11向上侧分离并支撑；下游侧檐部21，系由基板握持部20延伸至旋转方向DRr的下游侧的部分，系具备朝向旋转基座11内侧的内向表面210S以及朝向作为旋转基座11侧的下侧的檐下表面211S。下游侧檐部21的檐下表面211S配置于比基板握持部20所握持的基板W的上表面更下侧。

2. 发明专利

TW202030787A 基板乾燥方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板干燥方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW202030787A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108138350
申请日：2019-10-24
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI , 髙橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 加藤雅彦 , KATO, MASAHIKO , 井上一樹 , INOUE, KAZUKI , 藤原直澄 , FUJIWARA, NAOZUMI , 奥谷学 , OKUTANI, MANABU , 山口佑 , YAMAGUCHI, YU , 佐佐木悠太 , SASAKI, YUTA
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/302 , F26B5/04
摘要：本發明確認至少基於圖案之高度設定之表示昇華性物質之濃度之範圍之設定濃度範圍。將包含昇華性物質與溶劑之原液貯存於原液貯槽內。將包含溶劑且昇華性物質之濃度低於原液中之昇華性物質之濃度之稀釋液於原液貯槽之外與原液混合，藉此，製作昇華性物質之濃度為設定濃度範圍內之乾燥前處理液。於基板之正面形成包含昇華性物質之固化膜。藉由使固化膜昇華而自基板之正面將固化膜去除。
简体摘要：本发明确认至少基于图案之高度设置之表示升华性物质之浓度之范围之设置浓度范围。将包含升华性物质与溶剂之原液贮存于原液贮槽内。将包含溶剂且升华性物质之浓度低于原液中之升华性物质之浓度之稀释液于原液贮槽之外与原液混合，借此，制作升华性物质之浓度为设置浓度范围内之干燥前处理液。于基板之正面形成包含升华性物质之固化膜。借由使固化膜升华而自基板之正面将固化膜去除。

3. 发明专利

TWI652763B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI652763B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW106140562
申请日：2017-11-22
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉冨大地 , YOSHITOMI, DAICHI , 井上一樹 , INOUE, KAZUKI , 安藤幸嗣 , ANDO, KOJI , 藤井定 , FUJII, SADAMU , 石井弘晃 , ISHII, HIROAKI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687

4. 发明专利

TWI569350B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI569350B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104109341
申请日：2015-03-24
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉田武司 , YOSHIDA, TAKESHI , 高橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 井上一樹 , INOUE, KAZUKI
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67023 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/6719 , H01L21/68742

5. 发明专利

TW201643954A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201643954A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105107763
申请日：2016-03-14
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO,. LTD.
发明人：吉冨大地 , YOSHITOMI, DAICHI , 井上一樹 , INOUE, KAZUKI , 岩見優樹 , IWAMI, MASAKI , 石井弘晃 , ISHII, HIROAKI
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/68728 , H01L21/68785
摘要：本發明的課題在於抑制處理液附著至基板的非處理面。本發明的解決手段在於，基板處理裝置係具備有：保持構件，係從下方略水平地保持基板；以及對向構件，係具備有：本體部，係隔著間隙與該基板的上表面相對向；以及延伸設置部，係從本體部的周緣部中的至少一部分朝保持構件的側方延伸。於延伸設置部的前端側部分與保持構件的側面部分中的一者的部分設置有突出部，於另一者的部分設置有限制構造，該限制構造係在以旋轉軸作為中心之周方向中，從突出部的前後與突出部相對向配置，並限制突出部之朝周方向的相對性的動作。保持構件與對向構件係限制朝周方向的相對性的動作；該基板處理裝置係進一步具備有：旋轉機構，係使保持構件與對向構件中的至少一者以旋轉軸作為中心旋轉；以及噴嘴，係將處理液噴出至基板的處理面；突出部與限制構造係配置於比保持構件的上表面還下方。
简体摘要：本发明的课题在于抑制处理液附着至基板的非处理面。本发明的解决手段在于，基板处理设备系具备有：保持构件，系从下方略水平地保持基板；以及对向构件，系具备有：本体部，系隔着间隙与该基板的上表面相对向；以及延伸设置部，系从本体部的周缘部中的至少一部分朝保持构件的侧方延伸。于延伸设置部的前端侧部分与保持构件的侧面部分中的一者的部分设置有突出部，于另一者的部分设置有限制构造，该限制构造系在以旋转轴作为中心之周方向中，从突出部的前后与突出部相对向配置，并限制突出部之朝周方向的相对性的动作。保持构件与对向构件系限制朝周方向的相对性的动作；该基板处理设备系进一步具备有：旋转机构，系使保持构件与对向构件中的至少一者以旋转轴作为中心旋转；以及喷嘴，系将处理液喷出至基板的处理面；突出部与限制构造系配置于比保持构件的上表面还下方。

6. 发明专利

TWI627670B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI627670B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW105107763
申请日：2016-03-14
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO,. LTD.
发明人：吉冨大地 , YOSHITOMI, DAICHI , 井上一樹 , INOUE, KAZUKI , 岩見優樹 , IWAMI, MASAKI , 石井弘晃 , ISHII, HIROAKI
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/304

7. 发明专利

TW201541542A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201541542A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104109341
申请日：2015-03-24
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉田武司 , YOSHIDA, TAKESHI , 高橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 井上一樹 , INOUE, KAZUKI
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67023 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/6719 , H01L21/68742
摘要：基板處理裝置(1)係具備有：腔室本體(22)，其具有上部開口(222)；腔室蓋部(23)，其具有下部開口(232)；以及遮蔽板(51)，其配置在腔室蓋部之蓋內部空間(231)。藉由腔室蓋部而將腔室本體之上部開口加以覆蓋，藉此形成腔室(21)。在蓋內部空間，配置有作為吐出部而朝向基板(9)將處理液加以吐出之掃描噴嘴(186)。頭旋轉機構(863)係以選擇性之方式將吐出部配置在下部開口之上方的吐出位置及於徑向上遠離下部開口的待機位置。在蓋內部空間中，進行惰性氣體之供給及內部氣體之排出。在對基板供給處理液之時，吐出部配置在吐出位置，在對基板非供給處理液之期間中之吐出部之乾燥時，吐出部配置在待機位置，且藉由遮蔽板將下部開口加以封閉。其結果，可有效率地對吐出部進行乾燥。
简体摘要：基板处理设备(1)系具备有：腔室本体(22)，其具有上部开口(222)；腔室盖部(23)，其具有下部开口(232)；以及屏蔽板(51)，其配置在腔室盖部之盖内部空间(231)。借由腔室盖部而将腔室本体之上部开口加以覆盖，借此形成腔室(21)。在盖内部空间，配置有作为吐出部而朝向基板(9)将处理液加以吐出之扫描喷嘴(186)。头旋转机构(863)系以选择性之方式将吐出部配置在下部开口之上方的吐出位置及于径向上远离下部开口的待机位置。在盖内部空间中，进行惰性气体之供给及内部气体之排出。在对基板供给处理液之时，吐出部配置在吐出位置，在对基板非供给处理液之期间中之吐出部之干燥时，吐出部配置在待机位置，且借由屏蔽板将下部开口加以封闭。其结果，可有效率地对吐出部进行干燥。

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