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1. 发明专利

TW202030787A 基板乾燥方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板干燥方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW202030787A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108138350
申请日：2019-10-24
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI , 髙橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 加藤雅彦 , KATO, MASAHIKO , 井上一樹 , INOUE, KAZUKI , 藤原直澄 , FUJIWARA, NAOZUMI , 奥谷学 , OKUTANI, MANABU , 山口佑 , YAMAGUCHI, YU , 佐佐木悠太 , SASAKI, YUTA
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/302 , F26B5/04
摘要：本發明確認至少基於圖案之高度設定之表示昇華性物質之濃度之範圍之設定濃度範圍。將包含昇華性物質與溶劑之原液貯存於原液貯槽內。將包含溶劑且昇華性物質之濃度低於原液中之昇華性物質之濃度之稀釋液於原液貯槽之外與原液混合，藉此，製作昇華性物質之濃度為設定濃度範圍內之乾燥前處理液。於基板之正面形成包含昇華性物質之固化膜。藉由使固化膜昇華而自基板之正面將固化膜去除。
简体摘要：本发明确认至少基于图案之高度设置之表示升华性物质之浓度之范围之设置浓度范围。将包含升华性物质与溶剂之原液贮存于原液贮槽内。将包含溶剂且升华性物质之浓度低于原液中之升华性物质之浓度之稀释液于原液贮槽之外与原液混合，借此，制作升华性物质之浓度为设置浓度范围内之干燥前处理液。于基板之正面形成包含升华性物质之固化膜。借由使固化膜升华而自基板之正面将固化膜去除。

2. 发明专利

TWI693639B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI693639B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW108112236
申请日：2019-04-09
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿部博史 , ABE, HIROSHI , 奥谷学 , OKUTANI, MANABU , 金松泰範 , KANEMATSU, YASUNORI
IPC分类号： H01L21/3065

3. 发明专利

TWI686890B 基板處理方法以及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法以及基板处理设备
公开(公告)号：TWI686890B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW107128988
申请日：2018-08-20
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿部博史 , ABE, HIROSHI , 奥谷学 , OKUTANI, MANABU , 太田喬 , OTA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L23/34 , H01L21/02 , H01L21/324 , B05C9/14

4. 发明专利

TW201841694A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201841694A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106146206
申请日：2017-12-28
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿部博史 , ABE, HIROSHI , 奧谷学 , OKUTANI, MANABU , 吉原直彦 , YOSHIHARA, NAOHIKO
IPC分类号： B08B3/08 , B08B3/10 , B08B7/00 , H01L21/67
摘要：本發明之基板處理方法包含：基板保持製程，其使水平地保持基板之基板保持單元保持前述基板；密閉製程，其在將保持有前述基板之基板保持單元收容於腔室之內部空間之狀態下，密閉前述內部空間；液膜形成製程，其藉由將處理前述基板之上表面之處理液供給至前述被水平地保持之基板之上表面，而在前述基板上形成前述處理液之液膜；加壓製程，其藉由朝前述內部空間供給氣體而將前述內部空間加壓至前述內部空間之壓力成為高於大氣壓之第1壓力；加熱製程，其以在前述內部空間之壓力成為前述第1壓力之狀態下在前述液膜與前述基板之間形成前述處理液之蒸汽層之方式，加熱前述基板；及液膜排除製程，其藉由一邊維持在前述液膜與前述基板之間形成有前述處理液之蒸汽層之狀態，一邊將前述內部空間減壓至前述內部空間之壓力成為小於前述第1壓力之第2壓力，使前述處理液蒸發而自前述基板上排除前述液膜。
简体摘要：本发明之基板处理方法包含：基板保持制程，其使水平地保持基板之基板保持单元保持前述基板；密闭制程，其在将保持有前述基板之基板保持单元收容于腔室之内部空间之状态下，密闭前述内部空间；液膜形成制程，其借由将处理前述基板之上表面之处理液供给至前述被水平地保持之基板之上表面，而在前述基板上形成前述处理液之液膜；加压制程，其借由朝前述内部空间供给气体而将前述内部空间加压至前述内部空间之压力成为高于大气压之第1压力；加热制程，其以在前述内部空间之压力成为前述第1压力之状态下在前述液膜与前述基板之间形成前述处理液之蒸汽层之方式，加热前述基板；及液膜排除制程，其借由一边维持在前述液膜与前述基板之间形成有前述处理液之蒸汽层之状态，一边将前述内部空间减压至前述内部空间之压力成为小于前述第1压力之第2压力，使前述处理液蒸发而自前述基板上排除前述液膜。

5. 发明专利

TW201921549A 基板處理方法以及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法以及基板处理设备
公开(公告)号：TW201921549A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128988
申请日：2018-08-20
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿部博史 , ABE, HIROSHI , 奥谷学 , OKUTANI, MANABU , 太田喬 , OTA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L23/34 , H01L21/02 , H01L21/324 , B05C9/14
摘要：本發明之課題在於提供一種能夠提高使基板之表面的化學性質變化之改質處理液的反應性之技術。本發明係一種用以處理基板W之表面的基板處理方法，包含：步驟(a)之第一溶劑供給步驟S4，係一邊使基板W旋轉一邊對該基板W的表面供給IPA並進行處理；步驟(b)之改質處理液供給步驟S5，係在第一溶劑供給步驟S4之後供給矽烷化液而形成液膜；以及(c)步驟，係在第一溶劑供給步驟S4以及改質處理液供給步驟S5中加熱基板W。前述步驟(c)中，在改質處理液供給步驟S5中給予基板W之每單位時間的熱量H2係大於在第一溶劑供給步驟S4中給予基板W之每單位時間的熱量H1。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种能够提高使基板之表面的化学性质变化之改质处理液的反应性之技术。本发明系一种用以处理基板W之表面的基板处理方法，包含：步骤(a)之第一溶剂供给步骤S4，系一边使基板W旋转一边对该基板W的表面供给IPA并进行处理；步骤(b)之改质处理液供给步骤S5，系在第一溶剂供给步骤S4之后供给硅烷化液而形成液膜；以及(c)步骤，系在第一溶剂供给步骤S4以及改质处理液供给步骤S5中加热基板W。前述步骤(c)中，在改质处理液供给步骤S5中给予基板W之每单位时间的热量H2系大于在第一溶剂供给步骤S4中给予基板W之每单位时间的热量H1。

6. 发明专利

TWI646596B 基板處理方法以及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法以及基板处理设备
公开(公告)号：TWI646596B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106130998
申请日：2017-09-11
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉原直彦 , YOSHIHARA, NAOHIKO , 奥谷学 , OKUTANI, MANABU , 太田喬 , OTA, TAKASHI , 阿部博史 , ABE, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/306 , B05D1/02 , B05D3/12

7. 发明专利

TW202015198A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW202015198A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108122100
申请日：2019-06-25
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿部博史 , ABE, HIROSHI , 奧谷学 , OKUTANI, MANABU , 尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI , 吉田幸史 , YOSHIDA, YUKIFUMI
IPC分类号： H01L23/42 , H01L21/67
摘要：將包含待吸附至形成於基板之圖案之表面之吸附物質的乾燥前處理液供給至保持水平之基板之表面，而使吸附物質吸附於圖案之表面。將保持水平之基板之表面上之一部分乾燥前處理液藉由基板繞鉛直之旋轉軸線旋轉而去除，藉此，沿著圖案之表面形成包含吸附於圖案之表面之吸附物質之吸附膜。藉由使吸附膜變化為氣體而自基板之表面去除吸附膜。
简体摘要：将包含待吸附至形成于基板之图案之表面之吸附物质的干燥前处理液供给至保持水平之基板之表面，而使吸附物质吸附于图案之表面。将保持水平之基板之表面上之一部分干燥前处理液借由基板绕铅直之旋转轴线旋转而去除，借此，沿着图案之表面形成包含吸附于图案之表面之吸附物质之吸附膜。借由使吸附膜变化为气体而自基板之表面去除吸附膜。

8. 发明专利

TW202004893A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW202004893A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118479
申请日：2019-05-29
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD. , 德商馬克專利公司 , MERCK PATENT GMBH
发明人：吉田幸史 , YOSHIDA, YUKIFUMI , 奧谷学 , OKUTANI, MANABU , 安田周一 , YASUDA, SHUICHI , 金松泰範 , KANEMATSU, YASUNORI , 上田大 , UEDA, DAI , 張松 , ZHANG, SONG , 長原達郎 , NAGAHARA, TATSURO , 絹田貴史 , KINUTA, TAKAFUMI
IPC分类号： H01L21/306 , B08B3/04
摘要：本發明之基板處理方法包含：處理液供給步驟，其係對具有存在凹凸之圖案面之基板之上述圖案面供給處理液；處理膜形成步驟，其係使供給至上述圖案面之上述處理液固化或硬化，以追隨該圖案面之凹凸之方式形成保持上述圖案面上存在之去除對象物之處理膜；及去除步驟，其係對上述圖案面供給剝離液，將上述去除對象物與上述處理膜一併自上述圖案面剝離，邊維持上述去除對象物被上述處理膜保持之狀態邊將上述處理膜自上述基板去除。
简体摘要：本发明之基板处理方法包含：处理液供给步骤，其系对具有存在凹凸之图案面之基板之上述图案面供给处理液；处理膜形成步骤，其系使供给至上述图案面之上述处理液固化或硬化，以追随该图案面之凹凸之方式形成保持上述图案面上存在之去除对象物之处理膜；及去除步骤，其系对上述图案面供给剥离液，将上述去除对象物与上述处理膜一并自上述图案面剥离，边维持上述去除对象物被上述处理膜保持之状态边将上述处理膜自上述基板去除。

9. 发明专利

TWI668757B 基板乾燥方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板干燥方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI668757B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW107126092
申请日：2018-07-27
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：奥谷学 , OKUTANI, MANABU , 菊本憲幸 , KIKUMOTO, NORIYUKI , 吉原直彦 , YOSHIHARA, NAOHIKO , 阿部博史 , ABE, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/304 , F26B5/04

10. 发明专利

TWI700741B 基板乾燥方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板干燥方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI700741B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW108123144
申请日：2018-07-27
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：奥谷学 , OKUTANI, MANABU , 菊本憲幸 , KIKUMOTO, NORIYUKI , 吉原直彦 , YOSHIHARA, NAOHIKO , 阿部博史 , ABE, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/304 , F26B5/04

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