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1. 发明专利

TWI663022B 拋光布備出方法以及拋光方法有权
简体标题：抛光布备出方法以及抛光方法
公开(公告)号：TWI663022B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW105100464
申请日：2016-01-08
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：佐佐木拓也 , SASAKI, TAKUYA , 田中佑宜 , TANAKA, YUKI
IPC分类号： B24B37/11 , H01L21/304

2. 发明专利

TW201839837A 矽晶圓的研磨方法审中-公开
简体标题：硅晶圆的研磨方法
公开(公告)号：TW201839837A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107109260
申请日：2018-03-19
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 上濱直紀 , KAMIHAMA, NAOKI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00
摘要：本發明提供一種矽晶圓的研磨方法，包含：一第一研磨步驟，係在貼附於定盤之研磨布上供給含磨粒之鹼性水溶液，並使研磨頭所承載之矽晶圓的表面滑接於該研磨布而研磨；以及一第二研磨步驟，係在該研磨布供給未含磨粒而含有高分子聚合物之鹼性水溶液，並使該矽晶圓的表面滑接於該研磨布而研磨，其中，以使該第二研磨步驟中的該研磨布的表面溫度成為高於該第一研磨步驟中的該研磨布的表面溫度2℃以上的方式，控制該研磨布的表面溫度而進行該矽晶圓的研磨。藉此提供兼顧高平坦度（Flatness）及表面粗糙度減低的矽晶圓的研磨方法。
简体摘要：本发明提供一种硅晶圆的研磨方法，包含：一第一研磨步骤，系在贴附于定盘之研磨布上供给含磨粒之碱性水溶液，并使研磨头所承载之硅晶圆的表面滑接于该研磨布而研磨；以及一第二研磨步骤，系在该研磨布供给未含磨粒而含有高分子聚合物之碱性水溶液，并使该硅晶圆的表面滑接于该研磨布而研磨，其中，以使该第二研磨步骤中的该研磨布的表面温度成为高于该第一研磨步骤中的该研磨布的表面温度2℃以上的方式，控制该研磨布的表面温度而进行该硅晶圆的研磨。借此提供兼顾高平坦度（Flatness）及表面粗糙度减低的硅晶圆的研磨方法。

3. 发明专利

TWI700147B 晶圓的雙面研磨方法有权
简体标题：晶圆的双面研磨方法
公开(公告)号：TWI700147B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105138413
申请日：2016-11-23
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 北爪大地 , KITAZUME, DAICHI , 小林修一 , KOBAYASHI, SYUICHI
IPC分类号： B24B37/08 , B24B37/28 , H01L21/304

4. 发明专利

TW201839836A 晶圓的雙面研磨方法及雙面研磨裝置审中-公开
简体标题：晶圆的双面研磨方法及双面研磨设备
公开(公告)号：TW201839836A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107109258
申请日：2018-03-19
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 北爪大地 , KITAZUME, DAICHI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/28
摘要：本發明提供一種晶圓的雙面研磨方法及雙面研磨裝置，係於雙面研磨裝置中配設複數個雙面研磨用載體而雙面研磨晶圓，在準備配設於上下定盤之間的複數個雙面研磨用載體所構成的載體套組時，自載體套組的所有複數個雙面研磨用載體中，取得自使用形狀測定機所測定出的雙面研磨用載體的形狀的資料所計算的波紋量，選定而準備載體套組內的複數個雙面研磨載體中的波紋量的最大值與最小值的差為在固定值以下的載體套組，將所準備的載體套組的複數個雙面研磨用載體配設於雙面研磨裝置而雙面研磨晶圓。
简体摘要：本发明提供一种晶圆的双面研磨方法及双面研磨设备，系于双面研磨设备中配设复数个双面研磨用载体而双面研磨晶圆，在准备配设于上下定盘之间的复数个双面研磨用载体所构成的载体套组时，自载体套组的所有复数个双面研磨用载体中，取得自使用形状测定机所测定出的双面研磨用载体的形状的数据所计算的波纹量，选定而准备载体套组内的复数个双面研磨载体中的波纹量的最大值与最小值的差为在固定值以下的载体套组，将所准备的载体套组的复数个双面研磨用载体配设于双面研磨设备而双面研磨晶圆。

5. 发明专利

TW201832868A 雙面研磨裝置用載體审中-公开
简体标题：双面研磨设备用载体
公开(公告)号：TW201832868A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107105866
申请日：2018-02-22
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：北爪大地 , KITAZUME, DAICHI , 田中佑宜 , TANAKA, YUKI
IPC分类号： B24B37/28 , B24B37/04
摘要：本發明提供一種雙面研磨裝置用載體，包含形成有於研磨時用以支承晶圓的支承孔的載體母件、及沿著支承孔的內周而配置的插入件，其中，載體母件為沿著支承孔的內周週期性地形成有凹凸部，凹凸部中鄰接的凹部的中心彼此的距離在10mm以上60mm以下，凹凸部中的凸部的面積較凹部的切口部分的面積為大，插入件於外周部週期性地形成有一凹凸部，而載體母件的形成於支承孔的內周的凹凸部與形成於插入件的外周部的凹凸部嵌合，藉此，提供載體母件的支承孔周邊部分(嵌合部分)的扭曲被減少的雙面研磨裝置用載體。
简体摘要：本发明提供一种双面研磨设备用载体，包含形成有于研磨时用以支承晶圆的支承孔的载体母件、及沿着支承孔的内周而配置的插入件，其中，载体母件为沿着支承孔的内周周期性地形成有凹凸部，凹凸部中邻接的凹部的中心彼此的距离在10mm以上60mm以下，凹凸部中的凸部的面积较凹部的切口部分的面积为大，插入件于外周部周期性地形成有一凹凸部，而载体母件的形成于支承孔的内周的凹凸部与形成于插入件的外周部的凹凸部嵌合，借此，提供载体母件的支承孔周边部分(嵌合部分)的扭曲被减少的双面研磨设备用载体。

6. 发明专利

TW201822271A 雙面研磨裝置用之載體、雙面研磨裝置及雙面研磨方法审中-公开
简体标题：双面研磨设备用之载体、双面研磨设备及双面研磨方法
公开(公告)号：TW201822271A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106139381
申请日：2017-11-15
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 北爪大地 , KITAZUME, DAICHI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/08 , B24B37/28
摘要：本發明提供一種雙面研磨裝置用之載體，係在將半導體矽晶圓雙面研磨的雙面研磨裝置中將該雙面研磨裝置用之載體設置於各別貼附有研磨布的上下定盤之間，且該雙面研磨裝置用之載體形成有用於在研磨之際將被夾在該上下定盤之間的該半導體矽晶圓予以支承的支承孔，其中該雙面研磨裝置用之載體為樹脂製，與該研磨布接觸的表背面的相對於純水的接觸角度的平均值為45°以上60°以下，且表面與背面的接觸角度的平均值的差為5°以內。藉此提供使用樹脂製載體的能提升半導體矽晶圓的研磨率的雙面研磨裝置用之載體，以及使用此物的雙面研磨裝置及雙面研磨方法。
简体摘要：本发明提供一种双面研磨设备用之载体，系在将半导体硅晶圆双面研磨的双面研磨设备中将该双面研磨设备用之载体设置于各别贴附有研磨布的上下定盘之间，且该双面研磨设备用之载体形成有用于在研磨之际将被夹在该上下定盘之间的该半导体硅晶圆予以支承的支承孔，其中该双面研磨设备用之载体为树脂制，与该研磨布接触的表背面的相对于纯水的接触角度的平均值为45°以上60°以下，且表面与背面的接触角度的平均值的差为5°以内。借此提供使用树脂制载体的能提升半导体硅晶圆的研磨率的双面研磨设备用之载体，以及使用此物的双面研磨设备及双面研磨方法。

7. 发明专利

TW201743374A 雙面研磨方法及雙面研磨裝置审中-公开
简体标题：双面研磨方法及双面研磨设备
公开(公告)号：TW201743374A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106103867
申请日：2017-02-07
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 天海史郎 , AMAGAI, SHIRO
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/28
CPC分类号： H01L21/304
摘要：本發明提供一種雙面研磨方法，係將支承於一載體的一半導體晶圓，由經分別貼附有研磨墊的一上定盤及一下定盤所夾入，使該半導體晶圓的雙面滑接於該研磨墊，而同時研磨該半導體晶圓的雙面，其中經貼附於該上定盤的該研磨墊的厚度A(mm)、及經貼附於該下定盤的該研磨墊的厚度B(mm)，滿足1.0≦A+B≦2.0，且A/B＞1.0的關係。藉此，能夠得到在將GBIR的值抑制在要求值以下的同時，F-ZDD＜0的半導體晶圓。
简体摘要：本发明提供一种双面研磨方法，系将支承于一载体的一半导体晶圆，由经分别贴附有研磨垫的一上定盘及一下定盘所夹入，使该半导体晶圆的双面滑接于该研磨垫，而同时研磨该半导体晶圆的双面，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B＞1.0的关系。借此，能够得到在将GBIR的值抑制在要求值以下的同时，F-ZDD＜0的半导体晶圆。

8. 发明专利

TWI560762B 晶圓的雙面硏磨方法有权
简体标题：晶圆的双面研磨方法
公开(公告)号：TWI560762B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW102104619
申请日：2013-02-06
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：佐藤一彌 , SATO, KAZUYA , 田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 小林修一 , KOBAYASHI, SYUICHI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/08 , B24B53/017 , H01L21/02024 , H01L21/304

9. 发明专利

TW201527044A 晶圓的雙面硏磨方法审中-公开
简体标题：晶圆的双面研磨方法
公开(公告)号：TW201527044A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103126049
申请日：2014-07-30
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：佐藤一彌 , SATO, KAZUYA , 田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 小林修一 , KOBAYASHI, SYUICHI
IPC分类号： B24B53/12 , B24B55/02 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/044 , B24B37/08 , B24B53/017 , C09K3/1436 , C09K3/1463
摘要：本發明是一種晶圓的雙面研磨方法，其包含下述步驟：修整步驟，其使用修整板，對已貼附在上平台和下平台上的研磨布實行修整；及，研磨步驟，其同時地研磨晶圓的雙面；並且，在研磨步驟中，相對於修整時的修整板的公轉方向，一邊使載具朝反方向公轉一邊進行研磨，將研磨漿調製成懸浮有膠體二氧化矽之pH10~12的鹼性基質的漿液，並將膠體二氧化矽設成是平均二次粒徑為170nm~230nm、標準偏差為41nm以下的第一磨粒與平均二次粒徑為68.7nm~115.5nm、標準偏差為12nm以下的第二磨粒混合而成，且將研磨漿設成含有0.5~1.4質量%的第一磨粒且含有1.4~2.5質量%的第二磨粒。藉此，可提供一種晶圓的雙面研磨方法，其能夠同時達成無殘骸化與防止由於晶圓的外周塌邊所導致的平坦性惡化。
简体摘要：本发明是一种晶圆的双面研磨方法，其包含下述步骤：修整步骤，其使用修整板，对已贴附在上平台和下平台上的研磨布实行修整；及，研磨步骤，其同时地研磨晶圆的双面；并且，在研磨步骤中，相对于修整时的修整板的公转方向，一边使载具朝反方向公转一边进行研磨，将研磨浆调制成悬浮有胶体二氧化硅之pH10~12的碱性基质的浆液，并将胶体二氧化硅设成是平均二次粒径为170nm~230nm、标准偏差为41nm以下的第一磨粒与平均二次粒径为68.7nm~115.5nm、标准偏差为12nm以下的第二磨粒混合而成，且将研磨浆设成含有0.5~1.4质量%的第一磨粒且含有1.4~2.5质量%的第二磨粒。借此，可提供一种晶圆的双面研磨方法，其能够同时达成无残骸化与防止由于晶圆的外周塌边所导致的平坦性恶化。

10. 发明专利

TW201733738A 雙面研磨裝置用的載體的製造方法及晶圓的雙面研磨方法审中-公开
简体标题：双面研磨设备用的载体的制造方法及晶圆的双面研磨方法
公开(公告)号：TW201733738A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106106014
申请日：2017-02-23
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：北爪大地 , KITAZUME, DAICHI , 田中佑宜 , TANAKA, YUKI
IPC分类号： B24B37/28 , B24B37/08 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/08 , B24B37/28 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種雙面研磨裝置用的載體的製造方法，包含準備載體基材及比該載體基材更厚的插入材的準備步驟、將插入材嵌入支承孔而使插入材自載體基材的表面側及背面側兩者表面突出的嵌入步驟、各別測定自載體基材的表面側突出的插入材的表面側突出量及自載體基材的背面側突出的插入材的背面側突出量的測定步驟、設定啟用研磨載體時的上定盤及下定盤的轉速而降低表面側突出量及背面側突出量的差值的設定步驟及以經設定的上定盤及下定盤的各別的轉速而啟用研磨載體的啟用研磨步驟。藉此能提高雙面研磨後的晶圓的邊緣部的平坦度。
简体摘要：本发明提供一种双面研磨设备用的载体的制造方法，包含准备载体基材及比该载体基材更厚的插入材的准备步骤、将插入材嵌入支承孔而使插入材自载体基材的表面侧及背面侧两者表面突出的嵌入步骤、各别测定自载体基材的表面侧突出的插入材的表面侧突出量及自载体基材的背面侧突出的插入材的背面侧突出量的测定步骤、设置激活研磨载体时的上定盘及下定盘的转速而降低表面侧突出量及背面侧突出量的差值的设置步骤及以经设置的上定盘及下定盘的各别的转速而激活研磨载体的激活研磨步骤。借此能提高双面研磨后的晶圆的边缘部的平坦度。

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