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1. 发明专利

TWI700147B 晶圓的雙面研磨方法有权
简体标题：晶圆的双面研磨方法
公开(公告)号：TWI700147B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105138413
申请日：2016-11-23
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 北爪大地 , KITAZUME, DAICHI , 小林修一 , KOBAYASHI, SYUICHI
IPC分类号： B24B37/08 , B24B37/28 , H01L21/304

2. 发明专利

TW201446415A 研磨墊以及研磨方法审中-公开
简体标题：研磨垫以及研磨方法
公开(公告)号：TW201446415A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103111358
申请日：2014-03-27
申请人：富士紡控股股份有限公司 , FUJIBO HOLDINGS, INC. , 信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：糸山光紀 , ITOYAMA, KOHKI , 佐藤一弥 , SATO, KAZUYA , 小林修一 , KOBAYASHI, SHUICHI , 田中佑宜 , TANAKA, YUKI
IPC分类号： B24B37/26
CPC分类号： B24B37/08 , B24B37/26
摘要：本發明提供一種藉由抑制研磨面的堵塞而可抑制研磨墊的研磨率降低、且壽命長的研磨墊。研磨墊7包括圓形的研磨面9，且中心部挖空為圓形的圓環狀。研磨墊7包括形成於該研磨面9的多個環狀槽19，各個環狀槽19呈正圓且以與圓形的研磨面9的圓周相切的方式配置，在將形成研磨面9的圓的半徑設為R、挖空的中心部的圓的半徑設為r、環狀槽19的直徑設為X的情況下，R-r≦X≦R的關係成立。
简体摘要：本发明提供一种借由抑制研磨面的堵塞而可抑制研磨垫的研磨率降低、且寿命长的研磨垫。研磨垫7包括圆形的研磨面9，且中心部挖空为圆形的圆环状。研磨垫7包括形成于该研磨面9的多个环状槽19，各个环状槽19呈正圆且以与圆形的研磨面9的圆周相切的方式配置，在将形成研磨面9的圆的半径设为R、挖空的中心部的圆的半径设为r、环状槽19的直径设为X的情况下，R-r≦X≦R的关系成立。

3. 发明专利

TW201341115A 雙面研磨裝置用載具、使用此載具之雙面研磨裝置及雙面研磨方法审中-公开
简体标题：双面研磨设备用载具、使用此载具之双面研磨设备及双面研磨方法
公开(公告)号：TW201341115A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101144175
申请日：2012-11-26
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：佐藤一彌 , SATO, KAZUYA , 小林修一 , KOBAYASHI, SYUICHI , 田中佑宜 , TANAKA, YUKI
IPC分类号： B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/28
摘要：本發明是一種雙面研磨裝置用載具，其特徵在於，具備：載具母體，其被配置於黏貼有研磨布之上平板與下平板之間，且形成有保持孔，該保持孔是於研磨之際保持上平板與下平板之間所夾持的晶圓；及，環狀樹脂環，其沿著該載具母體的保持孔的內周配置，且該環狀樹脂環的內周面形成為錐狀，該內周面與被保持的晶圓的倒角部接觸並保護該倒角部；並且，樹脂環的錐狀內周面與上下主面所夾的角度θ(°)滿足76°≦θ≦89°或91°≦θ≦104°，且樹脂環的厚度大於載具母體的厚度，藉此使樹脂環與載具母體之間具有段差。藉此，於周邊具有倒角部之晶圓的雙面研磨中，可充分抑制平坦度的惡化，並且抑制晶圓的周邊部的變形。
简体摘要：本发明是一种双面研磨设备用载具，其特征在于，具备：载具母体，其被配置于黏贴有研磨布之上平板与下平板之间，且形成有保持孔，该保持孔是于研磨之际保持上平板与下平板之间所夹持的晶圆；及，环状树脂环，其沿着该载具母体的保持孔的内周配置，且该环状树脂环的内周面形成为锥状，该内周面与被保持的晶圆的倒角部接触并保护该倒角部；并且，树脂环的锥状内周面与上下主面所夹的角度θ(°)满足76°≦θ≦89°或91°≦θ≦104°，且树脂环的厚度大于载具母体的厚度，借此使树脂环与载具母体之间具有段差。借此，于周边具有倒角部之晶圆的双面研磨中，可充分抑制平坦度的恶化，并且抑制晶圆的周边部的变形。

4. 发明专利

TW200707571A 晶圓之兩面研磨方法失效
简体标题：晶圆之两面研磨方法
公开(公告)号：TW200707571A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095125111
申请日：2006-07-10
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：上野淳一 , 小林修一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B24B37/08 , H01L21/02024
摘要：一種晶圓之兩面研磨方法,係以貼付研磨布之一上定盤與一下定盤包夾保持於載具之一晶圓,從位於該上定盤之複數個研磨劑供給孔供給研磨劑至該上定盤與該下定盤間,同時研磨該晶圓之兩面,研磨該晶圓之兩面時,相對於該上定盤迴轉中心之外側的研磨劑供給孔供給之研磨劑量,大於內側的研磨劑供給孔供給之研磨劑量,以調整該晶圓外緣部的研磨量,抑制晶圓的外緣缺陷。藉此,進行晶圓之兩面研磨加工時,抑制晶圓的外緣缺陷的發生。
简体摘要：一种晶圆之两面研磨方法,系以贴付研磨布之一上定盘与一下定盘包夹保持于载具之一晶圆,从位于该上定盘之复数个研磨剂供给孔供给研磨剂至该上定盘与该下定盘间,同时研磨该晶圆之两面,研磨该晶圆之两面时,相对于该上定盘回转中心之外侧的研磨剂供给孔供给之研磨剂量,大于内侧的研磨剂供给孔供给之研磨剂量,以调整该晶圆外缘部的研磨量,抑制晶圆的外缘缺陷。借此,进行晶圆之两面研磨加工时,抑制晶圆的外缘缺陷的发生。

5. 发明专利

TWI560762B 晶圓的雙面硏磨方法有权
简体标题：晶圆的双面研磨方法
公开(公告)号：TWI560762B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW102104619
申请日：2013-02-06
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：佐藤一彌 , SATO, KAZUYA , 田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 小林修一 , KOBAYASHI, SYUICHI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/08 , B24B53/017 , H01L21/02024 , H01L21/304

6. 发明专利

TW201527044A 晶圓的雙面硏磨方法审中-公开
简体标题：晶圆的双面研磨方法
公开(公告)号：TW201527044A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103126049
申请日：2014-07-30
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：佐藤一彌 , SATO, KAZUYA , 田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 小林修一 , KOBAYASHI, SYUICHI
IPC分类号： B24B53/12 , B24B55/02 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/044 , B24B37/08 , B24B53/017 , C09K3/1436 , C09K3/1463
摘要：本發明是一種晶圓的雙面研磨方法，其包含下述步驟：修整步驟，其使用修整板，對已貼附在上平台和下平台上的研磨布實行修整；及，研磨步驟，其同時地研磨晶圓的雙面；並且，在研磨步驟中，相對於修整時的修整板的公轉方向，一邊使載具朝反方向公轉一邊進行研磨，將研磨漿調製成懸浮有膠體二氧化矽之pH10~12的鹼性基質的漿液，並將膠體二氧化矽設成是平均二次粒徑為170nm~230nm、標準偏差為41nm以下的第一磨粒與平均二次粒徑為68.7nm~115.5nm、標準偏差為12nm以下的第二磨粒混合而成，且將研磨漿設成含有0.5~1.4質量%的第一磨粒且含有1.4~2.5質量%的第二磨粒。藉此，可提供一種晶圓的雙面研磨方法，其能夠同時達成無殘骸化與防止由於晶圓的外周塌邊所導致的平坦性惡化。
简体摘要：本发明是一种晶圆的双面研磨方法，其包含下述步骤：修整步骤，其使用修整板，对已贴附在上平台和下平台上的研磨布实行修整；及，研磨步骤，其同时地研磨晶圆的双面；并且，在研磨步骤中，相对于修整时的修整板的公转方向，一边使载具朝反方向公转一边进行研磨，将研磨浆调制成悬浮有胶体二氧化硅之pH10~12的碱性基质的浆液，并将胶体二氧化硅设成是平均二次粒径为170nm~230nm、标准偏差为41nm以下的第一磨粒与平均二次粒径为68.7nm~115.5nm、标准偏差为12nm以下的第二磨粒混合而成，且将研磨浆设成含有0.5~1.4质量%的第一磨粒且含有1.4~2.5质量%的第二磨粒。借此，可提供一种晶圆的双面研磨方法，其能够同时达成无残骸化与防止由于晶圆的外周塌边所导致的平坦性恶化。

7. 发明专利

TWI432286B 研磨墊、其製造方法及研磨加工方法有权
简体标题：研磨垫、其制造方法及研磨加工方法
公开(公告)号：TWI432286B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW099120186
申请日：2010-06-22
申请人：富士紡控股公司 , FUJIBO HOLDINGS INC. , 信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：糸山光紀 , ITOYAMA, KOHKI , 高橋大介 , TAKAHASHI, DAISUKE , 上野淳一 , UENO, JUNICHI , 小林修一 , KOBAYASHI, SYUICHI
IPC分类号： B24B37/24 , B24D3/32 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/24 , B24D3/32 , H01L21/02024

8. 发明专利

TWI644351B 硏磨墊的評價方法及晶圓的硏磨方法有权
简体标题：研磨垫的评价方法及晶圆的研磨方法
公开(公告)号：TWI644351B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW103129732
申请日：2014-08-28
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 佐藤一彌 , SATO, KAZUYA , 小林修一 , KOBAYASHI, SYUICHI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/11

9. 发明专利

TW201729938A 晶圓的雙面研磨方法审中-公开
简体标题：晶圆的双面研磨方法
公开(公告)号：TW201729938A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105138413
申请日：2016-11-23
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 北爪大地 , KITAZUME, DAICHI , 小林修一 , KOBAYASHI, SYUICHI
IPC分类号： B24B37/04 , B24B37/08 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , B24B37/04 , B24B37/28 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種晶圓的雙面研磨方法，係於雙面研磨機中，在貼附有研磨布的上下定盤間配設載體，形成於載體的支承孔係支承晶圓，並將晶圓夾在上下定盤間而進行雙面研磨，其中載體再被配設於雙面研磨機之前，預先使用與用於雙面研磨晶圓的雙面研磨機相異的雙面研磨機而予以進行以一次研磨及二次研磨所構成的兩階段雙面研磨，一次研磨使用含有磨粒的泥漿，二次研磨使用不含磨粒的無機鹼溶液，並將進行兩階段雙面研磨的載體配設於用於雙面研磨晶圓的雙面研磨機而進行晶圓的雙面研磨。藉此能夠抑制載體配設於上下定盤間後研磨晶圓的傷痕的產生。
简体摘要：本发明提供一种晶圆的双面研磨方法，系于双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘间配设载体，形成于载体的支承孔系支承晶圆，并将晶圆夹在上下定盘间而进行双面研磨，其中载体再被配设于双面研磨机之前，预先使用与用于双面研磨晶圆的双面研磨机相异的双面研磨机而予以进行以一次研磨及二次研磨所构成的两阶段双面研磨，一次研磨使用含有磨粒的泥浆，二次研磨使用不含磨粒的无机碱溶液，并将进行两阶段双面研磨的载体配设于用于双面研磨晶圆的双面研磨机而进行晶圆的双面研磨。借此能够抑制载体配设于上下定盘间后研磨晶圆的伤痕的产生。

10. 发明专利

TWI593512B 雙面研磨裝置用載體之製造方法及雙面研磨裝置用載體以及雙面研磨方法有权
简体标题：双面研磨设备用载体之制造方法及双面研磨设备用载体以及双面研磨方法
公开(公告)号：TWI593512B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW104104984
申请日：2015-02-13
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：佐藤一彌 , SATO, KAZUYA , 田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 小林修一 , KOBAYASHI, SYUICHI
IPC分类号： B24B37/28 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/304 , B24B37/08 , B24B37/20 , B24B37/28 , H01L21/02024 , H01L21/67092 , H01L21/6835

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