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1. 发明专利

TWI700147B 晶圓的雙面研磨方法有权
简体标题：晶圆的双面研磨方法
公开(公告)号：TWI700147B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105138413
申请日：2016-11-23
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 北爪大地 , KITAZUME, DAICHI , 小林修一 , KOBAYASHI, SYUICHI
IPC分类号： B24B37/08 , B24B37/28 , H01L21/304

2. 发明专利

TW201839836A 晶圓的雙面研磨方法及雙面研磨裝置审中-公开
简体标题：晶圆的双面研磨方法及双面研磨设备
公开(公告)号：TW201839836A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107109258
申请日：2018-03-19
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 北爪大地 , KITAZUME, DAICHI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/28
摘要：本發明提供一種晶圓的雙面研磨方法及雙面研磨裝置，係於雙面研磨裝置中配設複數個雙面研磨用載體而雙面研磨晶圓，在準備配設於上下定盤之間的複數個雙面研磨用載體所構成的載體套組時，自載體套組的所有複數個雙面研磨用載體中，取得自使用形狀測定機所測定出的雙面研磨用載體的形狀的資料所計算的波紋量，選定而準備載體套組內的複數個雙面研磨載體中的波紋量的最大值與最小值的差為在固定值以下的載體套組，將所準備的載體套組的複數個雙面研磨用載體配設於雙面研磨裝置而雙面研磨晶圓。
简体摘要：本发明提供一种晶圆的双面研磨方法及双面研磨设备，系于双面研磨设备中配设复数个双面研磨用载体而双面研磨晶圆，在准备配设于上下定盘之间的复数个双面研磨用载体所构成的载体套组时，自载体套组的所有复数个双面研磨用载体中，取得自使用形状测定机所测定出的双面研磨用载体的形状的数据所计算的波纹量，选定而准备载体套组内的复数个双面研磨载体中的波纹量的最大值与最小值的差为在固定值以下的载体套组，将所准备的载体套组的复数个双面研磨用载体配设于双面研磨设备而双面研磨晶圆。

3. 发明专利

TW201832868A 雙面研磨裝置用載體审中-公开
简体标题：双面研磨设备用载体
公开(公告)号：TW201832868A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107105866
申请日：2018-02-22
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：北爪大地 , KITAZUME, DAICHI , 田中佑宜 , TANAKA, YUKI
IPC分类号： B24B37/28 , B24B37/04
摘要：本發明提供一種雙面研磨裝置用載體，包含形成有於研磨時用以支承晶圓的支承孔的載體母件、及沿著支承孔的內周而配置的插入件，其中，載體母件為沿著支承孔的內周週期性地形成有凹凸部，凹凸部中鄰接的凹部的中心彼此的距離在10mm以上60mm以下，凹凸部中的凸部的面積較凹部的切口部分的面積為大，插入件於外周部週期性地形成有一凹凸部，而載體母件的形成於支承孔的內周的凹凸部與形成於插入件的外周部的凹凸部嵌合，藉此，提供載體母件的支承孔周邊部分(嵌合部分)的扭曲被減少的雙面研磨裝置用載體。
简体摘要：本发明提供一种双面研磨设备用载体，包含形成有于研磨时用以支承晶圆的支承孔的载体母件、及沿着支承孔的内周而配置的插入件，其中，载体母件为沿着支承孔的内周周期性地形成有凹凸部，凹凸部中邻接的凹部的中心彼此的距离在10mm以上60mm以下，凹凸部中的凸部的面积较凹部的切口部分的面积为大，插入件于外周部周期性地形成有一凹凸部，而载体母件的形成于支承孔的内周的凹凸部与形成于插入件的外周部的凹凸部嵌合，借此，提供载体母件的支承孔周边部分(嵌合部分)的扭曲被减少的双面研磨设备用载体。

4. 发明专利

TW201822271A 雙面研磨裝置用之載體、雙面研磨裝置及雙面研磨方法审中-公开
简体标题：双面研磨设备用之载体、双面研磨设备及双面研磨方法
公开(公告)号：TW201822271A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106139381
申请日：2017-11-15
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 北爪大地 , KITAZUME, DAICHI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/08 , B24B37/28
摘要：本發明提供一種雙面研磨裝置用之載體，係在將半導體矽晶圓雙面研磨的雙面研磨裝置中將該雙面研磨裝置用之載體設置於各別貼附有研磨布的上下定盤之間，且該雙面研磨裝置用之載體形成有用於在研磨之際將被夾在該上下定盤之間的該半導體矽晶圓予以支承的支承孔，其中該雙面研磨裝置用之載體為樹脂製，與該研磨布接觸的表背面的相對於純水的接觸角度的平均值為45°以上60°以下，且表面與背面的接觸角度的平均值的差為5°以內。藉此提供使用樹脂製載體的能提升半導體矽晶圓的研磨率的雙面研磨裝置用之載體，以及使用此物的雙面研磨裝置及雙面研磨方法。
简体摘要：本发明提供一种双面研磨设备用之载体，系在将半导体硅晶圆双面研磨的双面研磨设备中将该双面研磨设备用之载体设置于各别贴附有研磨布的上下定盘之间，且该双面研磨设备用之载体形成有用于在研磨之际将被夹在该上下定盘之间的该半导体硅晶圆予以支承的支承孔，其中该双面研磨设备用之载体为树脂制，与该研磨布接触的表背面的相对于纯水的接触角度的平均值为45°以上60°以下，且表面与背面的接触角度的平均值的差为5°以内。借此提供使用树脂制载体的能提升半导体硅晶圆的研磨率的双面研磨设备用之载体，以及使用此物的双面研磨设备及双面研磨方法。

5. 发明专利

TW201733738A 雙面研磨裝置用的載體的製造方法及晶圓的雙面研磨方法审中-公开
简体标题：双面研磨设备用的载体的制造方法及晶圆的双面研磨方法
公开(公告)号：TW201733738A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106106014
申请日：2017-02-23
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：北爪大地 , KITAZUME, DAICHI , 田中佑宜 , TANAKA, YUKI
IPC分类号： B24B37/28 , B24B37/08 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/08 , B24B37/28 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種雙面研磨裝置用的載體的製造方法，包含準備載體基材及比該載體基材更厚的插入材的準備步驟、將插入材嵌入支承孔而使插入材自載體基材的表面側及背面側兩者表面突出的嵌入步驟、各別測定自載體基材的表面側突出的插入材的表面側突出量及自載體基材的背面側突出的插入材的背面側突出量的測定步驟、設定啟用研磨載體時的上定盤及下定盤的轉速而降低表面側突出量及背面側突出量的差值的設定步驟及以經設定的上定盤及下定盤的各別的轉速而啟用研磨載體的啟用研磨步驟。藉此能提高雙面研磨後的晶圓的邊緣部的平坦度。
简体摘要：本发明提供一种双面研磨设备用的载体的制造方法，包含准备载体基材及比该载体基材更厚的插入材的准备步骤、将插入材嵌入支承孔而使插入材自载体基材的表面侧及背面侧两者表面突出的嵌入步骤、各别测定自载体基材的表面侧突出的插入材的表面侧突出量及自载体基材的背面侧突出的插入材的背面侧突出量的测定步骤、设置激活研磨载体时的上定盘及下定盘的转速而降低表面侧突出量及背面侧突出量的差值的设置步骤及以经设置的上定盘及下定盘的各别的转速而激活研磨载体的激活研磨步骤。借此能提高双面研磨后的晶圆的边缘部的平坦度。

6. 发明专利

TW201708632A 磊晶晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：磊晶晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201708632A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105106854
申请日：2016-03-07
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 北爪大地 , KITAZUME, DAICHI , 須田一成 , SUDA, KAZUNARI , 小林修一 , KOBAYASHI, SYUICHI
IPC分类号： C30B25/20 , C30B29/06 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： C30B25/20 , C30B29/06 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/306
摘要：本發明提供一種磊晶晶圓的製造方法，包含下列步驟：一次研磨進行步驟，係使用雙面研磨裝置，雙面研磨裝置具備有貼附有研磨布的上下定盤以及將矽晶圓支承於上下定盤之間的載體，並在供給包含有第一磨粒的漿的同時，進行矽晶圓的雙面研磨；二次研磨進行步驟，係使用雙面研磨裝置，在供給包含有平均粒徑較第一磨粒為小的第二磨粒的漿的同時，進行對於經一次研磨後的矽晶圓的雙面研磨；以及對於二次研磨後的矽晶圓的表面以不進行單面CMP研磨的方式而使磊晶層成長。藉此，能夠穩定而製造缺陷少，平坦度良好的磊晶晶圓。
简体摘要：本发明提供一种磊晶晶圆的制造方法，包含下列步骤：一次研磨进行步骤，系使用双面研磨设备，双面研磨设备具备有贴附有研磨布的上下定盘以及将硅晶圆支承于上下定盘之间的载体，并在供给包含有第一磨粒的浆的同时，进行硅晶圆的双面研磨；二次研磨进行步骤，系使用双面研磨设备，在供给包含有平均粒径较第一磨粒为小的第二磨粒的浆的同时，进行对于经一次研磨后的硅晶圆的双面研磨；以及对于二次研磨后的硅晶圆的表面以不进行单面CMP研磨的方式而使磊晶层成长。借此，能够稳定而制造缺陷少，平坦度良好的磊晶晶圆。

7. 发明专利

TW201729938A 晶圓的雙面研磨方法审中-公开
简体标题：晶圆的双面研磨方法
公开(公告)号：TW201729938A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105138413
申请日：2016-11-23
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 北爪大地 , KITAZUME, DAICHI , 小林修一 , KOBAYASHI, SYUICHI
IPC分类号： B24B37/04 , B24B37/08 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , B24B37/04 , B24B37/28 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種晶圓的雙面研磨方法，係於雙面研磨機中，在貼附有研磨布的上下定盤間配設載體，形成於載體的支承孔係支承晶圓，並將晶圓夾在上下定盤間而進行雙面研磨，其中載體再被配設於雙面研磨機之前，預先使用與用於雙面研磨晶圓的雙面研磨機相異的雙面研磨機而予以進行以一次研磨及二次研磨所構成的兩階段雙面研磨，一次研磨使用含有磨粒的泥漿，二次研磨使用不含磨粒的無機鹼溶液，並將進行兩階段雙面研磨的載體配設於用於雙面研磨晶圓的雙面研磨機而進行晶圓的雙面研磨。藉此能夠抑制載體配設於上下定盤間後研磨晶圓的傷痕的產生。
简体摘要：本发明提供一种晶圆的双面研磨方法，系于双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘间配设载体，形成于载体的支承孔系支承晶圆，并将晶圆夹在上下定盘间而进行双面研磨，其中载体再被配设于双面研磨机之前，预先使用与用于双面研磨晶圆的双面研磨机相异的双面研磨机而予以进行以一次研磨及二次研磨所构成的两阶段双面研磨，一次研磨使用含有磨粒的泥浆，二次研磨使用不含磨粒的无机碱溶液，并将进行两阶段双面研磨的载体配设于用于双面研磨晶圆的双面研磨机而进行晶圆的双面研磨。借此能够抑制载体配设于上下定盘间后研磨晶圆的伤痕的产生。

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