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1. 发明专利

TW201707079A 半導體晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201707079A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105122542
申请日：2016-07-18
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：宇佐美佳宏 , USAMI, YOSHIHIRO , 天海史郎 , AMAGAI, SHIRO
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/461
CPC分类号： H01L21/02024 , H01L21/02021
摘要：本發明提供一種半導體晶圓的製造方法，包含：自晶棒切割出複數個晶圓的切割步驟、將經切割出的複數個晶圓之外周部予以倒角的倒角步驟以及將以載體支承外周部的晶圓之雙面予以研磨的雙面研磨步驟，其中在切割步驟後，於倒角步驟前包含將複數個晶圓的翹曲方向排列到一個方向上的翹曲方向調整步驟；在翹曲方向調整步驟之後，在複數個晶圓的翹曲方向經排列到一個方向上的狀態下，實施倒角步驟以及雙面研磨步驟。藉此，即使在雙面研磨步驟之前實施將晶圓的翹曲方向排列到一個方向上的步驟的情況下，也能抑制雙面研磨後的晶圓的平坦度的惡化。
简体摘要：本发明提供一种半导体晶圆的制造方法，包含：自晶棒切割出复数个晶圆的切割步骤、将经切割出的复数个晶圆之外周部予以倒角的倒角步骤以及将以载体支承外周部的晶圆之双面予以研磨的双面研磨步骤，其中在切割步骤后，于倒角步骤前包含将复数个晶圆的翘曲方向排列到一个方向上的翘曲方向调整步骤；在翘曲方向调整步骤之后，在复数个晶圆的翘曲方向经排列到一个方向上的状态下，实施倒角步骤以及双面研磨步骤。借此，即使在双面研磨步骤之前实施将晶圆的翘曲方向排列到一个方向上的步骤的情况下，也能抑制双面研磨后的晶圆的平坦度的恶化。

2. 发明专利

TWI676221B 尺寸量測裝置、研磨裝置以及研磨方法有权
简体标题：尺寸量测设备、研磨设备以及研磨方法
公开(公告)号：TWI676221B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW105108627
申请日：2016-03-21
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：大葉茂 , OBA, SHIGERU , 天海史郎 , AMAGAI, SHIRO
IPC分类号： H01L21/66 , G01B11/08 , H01L21/304

3. 发明专利

TW201743374A 雙面研磨方法及雙面研磨裝置审中-公开
简体标题：双面研磨方法及双面研磨设备
公开(公告)号：TW201743374A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106103867
申请日：2017-02-07
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：田中佑宜 , TANAKA, YUKI , 天海史郎 , AMAGAI, SHIRO
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/28
CPC分类号： H01L21/304
摘要：本發明提供一種雙面研磨方法，係將支承於一載體的一半導體晶圓，由經分別貼附有研磨墊的一上定盤及一下定盤所夾入，使該半導體晶圓的雙面滑接於該研磨墊，而同時研磨該半導體晶圓的雙面，其中經貼附於該上定盤的該研磨墊的厚度A(mm)、及經貼附於該下定盤的該研磨墊的厚度B(mm)，滿足1.0≦A+B≦2.0，且A/B＞1.0的關係。藉此，能夠得到在將GBIR的值抑制在要求值以下的同時，F-ZDD＜0的半導體晶圓。
简体摘要：本发明提供一种双面研磨方法，系将支承于一载体的一半导体晶圆，由经分别贴附有研磨垫的一上定盘及一下定盘所夹入，使该半导体晶圆的双面滑接于该研磨垫，而同时研磨该半导体晶圆的双面，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B＞1.0的关系。借此，能够得到在将GBIR的值抑制在要求值以下的同时，F-ZDD＜0的半导体晶圆。

4. 发明专利

TWI685030B 半導體晶圓的製造方法有权
简体标题：半导体晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI685030B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW105122542
申请日：2016-07-18
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：宇佐美佳宏 , USAMI, YOSHIHIRO , 天海史郎 , AMAGAI, SHIRO
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/461

5. 发明专利

TW201701382A 尺寸量測裝置、研磨裝置以及研磨方法审中-公开
简体标题：尺寸量测设备、研磨设备以及研磨方法
公开(公告)号：TW201701382A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105108627
申请日：2016-03-21
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：大葉茂 , OBA, SHIGERU , 天海史郎 , AMAGAI, SHIRO
IPC分类号： H01L21/66 , G01B11/08 , H01L21/304
CPC分类号： H01L22/26 , B24B37/013 , B24B37/07 , B24B37/08 , B24B37/205 , B24B49/12 , H01L21/02024 , H01L21/30625
摘要：一種尺寸量測裝置，配置於研磨裝置，以雷射光干涉測定研磨中晶圓厚度，包含用於對研磨中晶圓照射雷射光的光源、接受被照射光源之雷射光的研磨中晶圓的反射光的受光件、自受光件受光的反射光計算出照射雷射光的研磨中晶圓的厚度的測定值的計算件，其中計算件基於預先求得的晶圓的電阻率及晶圓的厚度的測定誤差的值的相關關係，自研磨中晶圓的電阻率計算出研磨中晶圓的厚度的測定誤差的值，修正測定誤差而計算出研磨中晶圓厚度。藉此在連續研磨中，即使有研磨基板的批次變更的情況，能防止尺寸量測精密度低下，得到高尺寸量測精密度。
简体摘要：一种尺寸量测设备，配置于研磨设备，以激光光干涉测定研磨中晶圆厚度，包含用于对研磨中晶圆照射激光光的光源、接受被照射光源之激光光的研磨中晶圆的反射光的受光件、自受光件受光的反射光计算出照射激光光的研磨中晶圆的厚度的测定值的计算件，其中计算件基于预先求得的晶圆的电阻率及晶圆的厚度的测定误差的值的相关关系，自研磨中晶圆的电阻率计算出研磨中晶圆的厚度的测定误差的值，修正测定误差而计算出研磨中晶圆厚度。借此在连续研磨中，即使有研磨基板的批次变更的情况，能防止尺寸量测精密度低下，得到高尺寸量测精密度。

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