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3. 发明专利

TW201128734A 化學氣相沉積設備 CVD APPARATUS 审中-公开
简体标题：化学气相沉积设备 CVD APPARATUS
公开(公告)号：TW201128734A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099126122
申请日：2010-08-05
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：伯洛斯布萊恩H , 史帝文斯羅納德 , 葛瑞松嘉寇伯 , 波德斯塔約書亞J , 奈哈萬山迪普 , 華盛頓羅莉D , 譚亞歷山大 , 阿佳亞史蘇美德
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/4412 , C23C16/4584 , C23C16/481 , H01L21/68742 , H01L21/68792
摘要：本發明之實施例一般係涉及在一基板上進行化學氣相沉積(CVD)的方法及設備，且特別是涉及在金屬有機化學氣相沉積中所使用的製程腔室及部件。該設備包括界定一製程容積的一腔室主體。在第一平面中的噴灑頭係界定製程容積的頂部部分。承載板在第二平面中延伸跨越製程容積，並在噴灑頭與基座板之間形成一上方製程容積。在第三平面中的透明材料界定製程容積的底部部分，並在承載板與透明材料之間形成一下方製程容積。複數個燈在透明材料的下方形成一或多個區。該設備提供均一的前驅物流及混合，並同時維持在較大基板上的均一溫度，因而造成生產率的相應增加。
简体摘要：本发明之实施例一般系涉及在一基板上进行化学气相沉积(CVD)的方法及设备，且特别是涉及在金属有机化学气相沉积中所使用的制程腔室及部件。该设备包括界定一制程容积的一腔室主体。在第一平面中的喷洒头系界定制程容积的顶部部分。承载板在第二平面中延伸跨越制程容积，并在喷洒头与基座板之间形成一上方制程容积。在第三平面中的透明材料界定制程容积的底部部分，并在承载板与透明材料之间形成一下方制程容积。复数个灯在透明材料的下方形成一或多个区。该设备提供均一的前驱物流及混合，并同时维持在较大基板上的均一温度，因而造成生产率的相应增加。

4. 发明专利

TWI372442B 具有可調式舉升與旋轉底座的基板支撐件 SUBSTRATE SUPPORT WITH ADJUSTABLE LIFT AND ROTATION MOUNT 有权
简体标题：具有可调式举升与旋转底座的基板支撑件 SUBSTRATE SUPPORT WITH ADJUSTABLE LIFT AND ROTATION MOUNT
公开(公告)号：TWI372442B
公开(公告)日：2012-09-11
申请号：TW096126235
申请日：2007-07-18
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：肯貝爾傑佛瑞 , 伯洛斯布萊恩H
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C14/505 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01L21/68792
摘要：本發明提供一種用以在處理室中定位基板支撐件之方法及裝置。在一實施例中，一種用以定位基板支撐件之裝置包括：一第一部件，係設置以裝載至一處理室之一底部；以及一第二部件，係設置以支撐一基板支撐件。第一部件係可釋放地耦接至第二部件。第二部件包括一下外罩，其係耦接至一下軸環。下軸環係可相對於第一部件而橫向定位。下外罩具有一平面定向，其係可相對於下軸環之一平面定向而調整。
简体摘要：本发明提供一种用以在处理室中定位基板支撑件之方法及设备。在一实施例中，一种用以定位基板支撑件之设备包括：一第一部件，系设置以装载至一处理室之一底部；以及一第二部件，系设置以支撑一基板支撑件。第一部件系可释放地耦接至第二部件。第二部件包括一下外罩，其系耦接至一下轴环。下轴环系可相对于第一部件而横向定位。下外罩具有一平面定向，其系可相对于下轴环之一平面定向而调整。

5. 发明专利

TW200946713A 化學氣相沈積設備 CVD APPARATUS 审中-公开
简体标题：化学气相沉积设备 CVD APPARATUS
公开(公告)号：TW200946713A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098102538
申请日：2009-01-22
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：伯洛斯布萊恩H , 史帝文斯羅納德 , 葛瑞松嘉寇伯 , 波德斯塔約書亞J , 奈哈萬山迪普 , 華盛頓羅莉D , 譚亞歷山大 , 阿佳亞史蘇美德
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/452 , C23C16/481 , C23C16/52 , H01L21/67248 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：本發明之實施例一般係涉及用於在基材上進行化學氣相沉積（CVD）的方法及設備，更特定的是涉及用於金屬有機化學氣相沉積的製程腔室及部件。該設備包括：一腔室主體，界定一製程容積；一噴氣頭，位於一第一平面，並界定該製程容積的一頂端部分；一承載板，在一第二平面而延伸跨越該製程容積，並在該噴氣頭與該基座板之間形成一上方製程容積；一透明材料，位於一第三平面，並界定該製程容積的一底端部分，而在該承載板與該透明材料之間形成一下方製程容積；以及複數個燈，係在該透明材料下方形成一或多個區域。該設備提供均一的前驅物流動及混合，並同時維持較大基材上方之均一溫度，因而使生產率有相應的增長。
简体摘要：本发明之实施例一般系涉及用于在基材上进行化学气相沉积（CVD）的方法及设备，更特定的是涉及用于金属有机化学气相沉积的制程腔室及部件。该设备包括：一腔室主体，界定一制程容积；一喷气头，位于一第一平面，并界定该制程容积的一顶端部分；一承载板，在一第二平面而延伸跨越该制程容积，并在该喷气头与该基座板之间形成一上方制程容积；一透明材料，位于一第三平面，并界定该制程容积的一底端部分，而在该承载板与该透明材料之间形成一下方制程容积；以及复数个灯，系在该透明材料下方形成一或多个区域。该设备提供均一的前驱物流动及混合，并同时维持较大基材上方之均一温度，因而使生产率有相应的增长。

6. 发明专利

TW201112313A 氫化物氣相磊晶（ＨＶＰＥ）噴氣頭設計 HVPE SHOWERHEAD DESIGN 审中-公开
简体标题：氢化物气相磊晶（ＨＶＰＥ）喷气头设计 HVPE SHOWERHEAD DESIGN
公开(公告)号：TW201112313A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099112567
申请日：2007-10-25
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：伯洛斯布萊恩H , 譚亞歷山大 , 史帝文斯羅納德 , 葛瑞松嘉寇伯 , 崔肯瑞克T , 阿佳亞史蘇美德 , 奈哈萬山迪普 , 克瑞勞可歐嘉 , 美林克尤瑞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4488 , C23C16/45502 , C23C16/45512 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C30B25/14 , C30B29/403 , Y10T117/10
摘要：本發明提供一種可以用於沈積製程(例如金屬氮化物膜的氫化物氣相磊晶法(HVPE)沈積)中的方法和裝置,。第一組通路可引入含金屬前驅物氣體。第二組通路可提供含氮前驅物氣體。散佈所述第一和第二組通路,以分開所述含金屬前驅物氣體和所述含氮前驅物氣體,直到它們到達基板。惰性氣體還可流經所述通道,以幫助保持間距和限制所述通路處或其附近的反應,從而防止所述通路上的不需要的沈積。
简体摘要：本发明提供一种可以用于沉积制程(例如金属氮化物膜的氢化物气相磊晶法(HVPE)沉积)中的方法和设备,。第一组通路可引入含金属前驱物气体。第二组通路可提供含氮前驱物气体。散布所述第一和第二组通路,以分开所述含金属前驱物气体和所述含氮前驱物气体,直到它们到达基板。惰性气体还可流经所述信道,以帮助保持间距和限制所述通路处或其附近的反应,从而防止所述通路上的不需要的沉积。

7. 发明专利

TW201106502A ＬＥＤＳ的群集工具 CLUSTER TOOL FOR LEDS 审中-公开
公开(公告)号：TW201106502A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW099113540
申请日：2010-04-28
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：奈哈萬山迪普 , 伯洛斯布萊恩H , 石川哲也 , 克瑞勞可歐嘉 , 法蘇德夫安納德 , 蘇金 , 考區大衛H , 張恩中 , 美林克尤瑞 , 拉提亞哈蘇迪普S , 蓋葉頌T , 潘莉莉
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/67109 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L33/007
摘要：本發明大體而言提供用於形成LED結構之裝置及方法。本發明之一實施例提供一種用於製造一複合氮化物結構之方法,其包含以下步驟:在一第一處理腔室中,藉由一氫化物氣相磊晶(HVPE)製程或一金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)製程在基板上形成包含一第一第III族元素及氮之一第一層;在一第二處理腔室中,藉由一MOCVD製程在該第一層上形成包含一第二第III族元素及氮之一第二層;及藉由一MOCVD製程在該第二層上形成包含一第三第III族元素及氮之一第三層。
简体摘要：本发明大体而言提供用于形成LED结构之设备及方法。本发明之一实施例提供一种用于制造一复合氮化物结构之方法,其包含以下步骤:在一第一处理腔室中,借由一氢化物气相磊晶(HVPE)制程或一金属有机化学气相沉积(MOCVD)制程在基板上形成包含一第一第III族元素及氮之一第一层;在一第二处理腔室中,借由一MOCVD制程在该第一层上形成包含一第二第III族元素及氮之一第二层;及借由一MOCVD制程在该第二层上形成包含一第三第III族元素及氮之一第三层。

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