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1. 外观设计

TWD142477S 沉積腔室之圓頂室組件 DOME ASSEMBLY FOR A DEPOSITION CHAMBER 有权
简体标题：沉积腔室之圆顶室组件 DOME ASSEMBLY FOR A DEPOSITION CHAMBER
公开(公告)号：TWD142477S
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099301936
申请日：2010-04-16
申请人：應用材料股份有限公司
设计人：石川哲也 , 考區大衛H , 張恩中 , 克瑞勞可歐嘉 , 美林克尤瑞 , 拉提亞哈蘇迪普S , 蓋葉頌T , 潘莉莉
摘要：【物品用途】
本創作係一種用於化學機械拋光用沈積腔室之圓頂室組件。
【創作特點】
本創作為沈積腔室之圓頂室組件之新式樣設計，主要係由具有透明側壁的一處理腔室主體、一管線通道及二前驅物源容器四部分所構成。由立體圖、前視圖及俯視圖觀之，該處理腔室主體為一較大口徑之直立圓柱形腔室，其上、下兩端開口處分別具有一上環及一下環，該等上環及下環自腔室側壁延伸向外突出，且該腔室主體內配置有數個管線延著該腔室側壁遊走；處理腔室主體前方連接管線通道之一端，另一端自該處理腔室主體之側壁向前延伸，且此管線通道之左、右側另配置有副通道；該等二前驅物源容器為較小口徑之直立圓柱形容器，其具有上蓋及下蓋，該下蓋配置有自側壁延伸向外突出之環。
整體而言，本創作造形獨特美觀、且式樣新穎具獨創性，實為一特殊且實用之新式樣設計。
简体摘要：【物品用途】本创作系一种用于化学机械抛光用沉积腔室之圆顶室组件。【创作特点】本创作为沉积腔室之圆顶室组件之新式样设计，主要系由具有透明侧壁的一处理腔室主体、一管线信道及二前驱物源容器四部分所构成。由三維图、前视图及俯视图观之，该处理腔室主体为一较大口径之直立圆柱形腔室，其上、下两端开口处分别具有一上环及一下环，该等上环及下环自腔室侧壁延伸向外突出，且该腔室主体内配置有数个管线延着该腔室侧壁游走；处理腔室主体前方连接管线信道之一端，另一端自该处理腔室主体之侧壁向前延伸，且此管线信道之左、右侧另配置有副信道；该等二前驱物源容器为较小口径之直立圆柱形容器，其具有上盖及下盖，该下盖配置有自侧壁延伸向外突出之环。整体而言，本创作造形独特美观、且式样新颖具独创性，实为一特殊且实用之新式样设计。

2. 发明专利

TWI480432B ＨＶＰＥ前驅物源硬體有权
简体标题：ＨＶＰＥ前驱物源硬件
公开(公告)号：TWI480432B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW099111314
申请日：2010-04-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：石川哲也 , ISHIKAWA, TETSUYA , 考區大衛H , QUACH, DAVID H. , 張恩中 , CHANG, ANZHONG , 克瑞勞可歐嘉 , KRYLIOUK, OLGA , 美林克尤瑞 , MELNIK, YURIY , 拉提亞哈蘇迪普S , RATIA, HARSUKHDEEP S. , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 潘莉莉 , PANG, LILY
IPC分类号： C30B25/14
CPC分类号： C30B29/403 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C30B25/02 , C30B29/406 , Y10T137/479 , Y10T137/4807 , Y10T137/4824 , Y10T137/7504 , Y10T137/8376

3. 发明专利

TW201114957A ＨＶＰＥ前驅物源硬體 HVPE PRECURSOR SOURCE HARDWARE 审中-公开
简体标题：ＨＶＰＥ前驱物源硬件 HVPE PRECURSOR SOURCE HARDWARE
公开(公告)号：TW201114957A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099111314
申请日：2010-04-12
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：石川哲也 , 考區大衛H , 張恩中 , 克瑞勞可歐嘉 , 美林克尤瑞 , 拉提亞哈蘇迪普S , 蓋葉頌T , 潘莉莉
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/403 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C30B25/02 , C30B29/406 , Y10T137/479 , Y10T137/4807 , Y10T137/4824 , Y10T137/7504 , Y10T137/8376
摘要：本文揭露之實施例大致係關於HVPE腔室。腔室可具有兩個不同的前驅物源與其耦接以便沉積兩個不同層。舉例而言，鎵源與不同的鋁源可耦接至處理腔室以便在相同處理腔室中分別地沉積氮化鎵與氮化鋁於基板上。可在較低溫度下在與鎵及鋁不同的位置處將氮導入處理腔室。不同溫度造成氣體混合在一起、反應且沉積於基板上，且極少或沒有沉積於腔室壁上。
简体摘要：本文揭露之实施例大致系关于HVPE腔室。腔室可具有两个不同的前驱物源与其耦接以便沉积两个不同层。举例而言，镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝不同的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。

4. 发明专利

TWI503437B ＨＶＰＥ腔室硬體與ＨＶＰＥ方法有权
简体标题：ＨＶＰＥ腔室硬件与ＨＶＰＥ方法
公开(公告)号：TWI503437B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW099111313
申请日：2010-04-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：石川哲也 , ISHIKAWA, TETSUYA , 考區大衛H , QUACH, DAVID H. , 張恩中 , CHANG, ANZHONG , 克瑞勞可歐嘉 , KRYLIOUK, OLGA , 美林克尤瑞 , MELNIK, YURIY , 拉提亞哈蘇迪普S , RATIA, HARSUKHDEEP S. , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 潘莉莉 , PANG, LILY
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/22
CPC分类号： C30B29/403 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C30B25/02 , C30B29/406 , Y10T137/479 , Y10T137/4807 , Y10T137/4824 , Y10T137/7504 , Y10T137/8376

5. 发明专利

TW201106502A ＬＥＤＳ的群集工具 CLUSTER TOOL FOR LEDS 审中-公开
公开(公告)号：TW201106502A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW099113540
申请日：2010-04-28
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：奈哈萬山迪普 , 伯洛斯布萊恩H , 石川哲也 , 克瑞勞可歐嘉 , 法蘇德夫安納德 , 蘇金 , 考區大衛H , 張恩中 , 美林克尤瑞 , 拉提亞哈蘇迪普S , 蓋葉頌T , 潘莉莉
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/67109 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L33/007
摘要：本發明大體而言提供用於形成LED結構之裝置及方法。本發明之一實施例提供一種用於製造一複合氮化物結構之方法,其包含以下步驟:在一第一處理腔室中,藉由一氫化物氣相磊晶(HVPE)製程或一金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)製程在基板上形成包含一第一第III族元素及氮之一第一層;在一第二處理腔室中,藉由一MOCVD製程在該第一層上形成包含一第二第III族元素及氮之一第二層;及藉由一MOCVD製程在該第二層上形成包含一第三第III族元素及氮之一第三層。
简体摘要：本发明大体而言提供用于形成LED结构之设备及方法。本发明之一实施例提供一种用于制造一复合氮化物结构之方法,其包含以下步骤:在一第一处理腔室中,借由一氢化物气相磊晶(HVPE)制程或一金属有机化学气相沉积(MOCVD)制程在基板上形成包含一第一第III族元素及氮之一第一层;在一第二处理腔室中,借由一MOCVD制程在该第一层上形成包含一第二第III族元素及氮之一第二层;及借由一MOCVD制程在该第二层上形成包含一第三第III族元素及氮之一第三层。

6. 外观设计

TWD138506S 前導浮標 PRECURSOR FLOAT 有权
简体标题：前导浮标 PRECURSOR FLOAT
公开(公告)号：TWD138506S
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099300477
申请日：2010-02-02
申请人：應用材料股份有限公司
设计人：石川哲也 , 蓋葉頌T , 拉提亞哈蘇迪普S
摘要：【物品用途】
本創作係一種前導浮標的新式樣設計。
【創作特點】
本創作前導浮標主要係由一圓盤及位於圓盤中央之一突出圓桿構成。該突出圓桿具有一定高度，以達到醒目、易於辯識之目的；該圓盤正面邊緣處設有一長條形圓弧鏤空造型，其背面設計成特殊視覺造型之單一通道溝槽。整體而言，本創作造形獨特美觀、且式樣新穎具獨創性，實為一特殊且實用之新式樣設計。
简体摘要：【物品用途】本创作系一种前导浮标的新式样设计。【创作特点】本创作前导浮标主要系由一圆盘及位于圆盘中央之一突出圆杆构成。该突出圆杆具有一定高度，以达到醒目、易于辩识之目的；该圆盘正面边缘处设有一长条形圆弧镂空造型，其背面设计成特殊视觉造型之单一信道沟槽。整体而言，本创作造形独特美观、且式样新颖具独创性，实为一特殊且实用之新式样设计。

7. 发明专利

TW201100575A ＨＶＰＥ腔室硬體 HVPE CHAMBER HARDWARE 审中-公开
简体标题：ＨＶＰＥ腔室硬件 HVPE CHAMBER HARDWARE
公开(公告)号：TW201100575A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099111313
申请日：2010-04-12
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：石川哲也 , 考區大衛H , 張恩中 , 克瑞勞可歐嘉 , 美林克尤瑞 , 拉提亞哈蘇迪普S , 蓋葉頌T , 潘莉莉
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C30B29/403 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C30B25/02 , C30B29/406 , Y10T137/479 , Y10T137/4807 , Y10T137/4824 , Y10T137/7504 , Y10T137/8376
摘要：本文揭露之實施例大致係關於HVPE腔室。腔室可具有兩個不同的前驅物源與其耦接以便沉積兩個不同層。舉例而言,鎵源與不同的鋁源可耦接至處理腔室以便在相同處理腔室中分別地沉積氮化鎵與氮化鋁於基板上。可在較低溫度下在與鎵及鋁不同的位置處將氮導入處理腔室。不同溫度造成氣體混合在一起、反應且沉積於基板上,且極少或沒有沉積於腔室壁上。
简体摘要：本文揭露之实施例大致系关于HVPE腔室。腔室可具有两个不同的前驱物源与其耦接以便沉积两个不同层。举例而言,镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝不同的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上,且极少或没有沉积于腔室壁上。

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