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2. 发明专利

TW200946713A 化學氣相沈積設備 CVD APPARATUS 审中-公开
简体标题：化学气相沉积设备 CVD APPARATUS
公开(公告)号：TW200946713A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098102538
申请日：2009-01-22
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：伯洛斯布萊恩H , 史帝文斯羅納德 , 葛瑞松嘉寇伯 , 波德斯塔約書亞J , 奈哈萬山迪普 , 華盛頓羅莉D , 譚亞歷山大 , 阿佳亞史蘇美德
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/452 , C23C16/481 , C23C16/52 , H01L21/67248 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：本發明之實施例一般係涉及用於在基材上進行化學氣相沉積（CVD）的方法及設備，更特定的是涉及用於金屬有機化學氣相沉積的製程腔室及部件。該設備包括：一腔室主體，界定一製程容積；一噴氣頭，位於一第一平面，並界定該製程容積的一頂端部分；一承載板，在一第二平面而延伸跨越該製程容積，並在該噴氣頭與該基座板之間形成一上方製程容積；一透明材料，位於一第三平面，並界定該製程容積的一底端部分，而在該承載板與該透明材料之間形成一下方製程容積；以及複數個燈，係在該透明材料下方形成一或多個區域。該設備提供均一的前驅物流動及混合，並同時維持較大基材上方之均一溫度，因而使生產率有相應的增長。
简体摘要：本发明之实施例一般系涉及用于在基材上进行化学气相沉积（CVD）的方法及设备，更特定的是涉及用于金属有机化学气相沉积的制程腔室及部件。该设备包括：一腔室主体，界定一制程容积；一喷气头，位于一第一平面，并界定该制程容积的一顶端部分；一承载板，在一第二平面而延伸跨越该制程容积，并在该喷气头与该基座板之间形成一上方制程容积；一透明材料，位于一第三平面，并界定该制程容积的一底端部分，而在该承载板与该透明材料之间形成一下方制程容积；以及复数个灯，系在该透明材料下方形成一或多个区域。该设备提供均一的前驱物流动及混合，并同时维持较大基材上方之均一温度，因而使生产率有相应的增长。

3. 发明专利

TW201128734A 化學氣相沉積設備 CVD APPARATUS 审中-公开
简体标题：化学气相沉积设备 CVD APPARATUS
公开(公告)号：TW201128734A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099126122
申请日：2010-08-05
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：伯洛斯布萊恩H , 史帝文斯羅納德 , 葛瑞松嘉寇伯 , 波德斯塔約書亞J , 奈哈萬山迪普 , 華盛頓羅莉D , 譚亞歷山大 , 阿佳亞史蘇美德
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/4412 , C23C16/4584 , C23C16/481 , H01L21/68742 , H01L21/68792
摘要：本發明之實施例一般係涉及在一基板上進行化學氣相沉積(CVD)的方法及設備，且特別是涉及在金屬有機化學氣相沉積中所使用的製程腔室及部件。該設備包括界定一製程容積的一腔室主體。在第一平面中的噴灑頭係界定製程容積的頂部部分。承載板在第二平面中延伸跨越製程容積，並在噴灑頭與基座板之間形成一上方製程容積。在第三平面中的透明材料界定製程容積的底部部分，並在承載板與透明材料之間形成一下方製程容積。複數個燈在透明材料的下方形成一或多個區。該設備提供均一的前驅物流及混合，並同時維持在較大基板上的均一溫度，因而造成生產率的相應增加。
简体摘要：本发明之实施例一般系涉及在一基板上进行化学气相沉积(CVD)的方法及设备，且特别是涉及在金属有机化学气相沉积中所使用的制程腔室及部件。该设备包括界定一制程容积的一腔室主体。在第一平面中的喷洒头系界定制程容积的顶部部分。承载板在第二平面中延伸跨越制程容积，并在喷洒头与基座板之间形成一上方制程容积。在第三平面中的透明材料界定制程容积的底部部分，并在承载板与透明材料之间形成一下方制程容积。复数个灯在透明材料的下方形成一或多个区。该设备提供均一的前驱物流及混合，并同时维持在较大基板上的均一温度，因而造成生产率的相应增加。

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