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    • 2. 发明专利
    • 化學氣相沈積設備 CVD APPARATUS
    • 化学气相沉积设备 CVD APPARATUS
    • TW200946713A
    • 2009-11-16
    • TW098102538
    • 2009-01-22
    • 應用材料股份有限公司
    • 伯洛斯布萊恩H史帝文斯羅納德葛瑞松嘉寇伯波德斯塔約書亞J奈哈萬山迪普華盛頓羅莉D譚亞歷山大阿佳亞史蘇美德
    • C23CH01L
    • C23C16/452C23C16/481C23C16/52H01L21/67248H01L21/68764H01L21/68771
    • 本發明之實施例一般係涉及用於在基材上進行化學氣相沉積(CVD)的方法及設備,更特定的是涉及用於金屬有機化學氣相沉積的製程腔室及部件。該設備包括:一腔室主體,界定一製程容積;一噴氣頭,位於一第一平面,並界定該製程容積的一頂端部分;一承載板,在一第二平面而延伸跨越該製程容積,並在該噴氣頭與該基座板之間形成一上方製程容積;一透明材料,位於一第三平面,並界定該製程容積的一底端部分,而在該承載板與該透明材料之間形成一下方製程容積;以及複數個燈,係在該透明材料下方形成一或多個區域。該設備提供均一的前驅物流動及混合,並同時維持較大基材上方之均一溫度,因而使生產率有相應的增長。
    • 本发明之实施例一般系涉及用于在基材上进行化学气相沉积(CVD)的方法及设备,更特定的是涉及用于金属有机化学气相沉积的制程腔室及部件。该设备包括:一腔室主体,界定一制程容积;一喷气头,位于一第一平面,并界定该制程容积的一顶端部分;一承载板,在一第二平面而延伸跨越该制程容积,并在该喷气头与该基座板之间形成一上方制程容积;一透明材料,位于一第三平面,并界定该制程容积的一底端部分,而在该承载板与该透明材料之间形成一下方制程容积;以及复数个灯,系在该透明材料下方形成一或多个区域。该设备提供均一的前驱物流动及混合,并同时维持较大基材上方之均一温度,因而使生产率有相应的增长。