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1. 发明专利

TWI421912B 沉積III/V族化合物之方法有权
简体标题：沉积III/V族化合物之方法
公开(公告)号：TWI421912B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW097138211
申请日：2008-10-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：克瑞勞可歐嘉 , KRYLIOUK, OLGA , 奈哈萬山迪普 , NIJHAWAN, SANDEEP , 美林克尤瑞 , MELNIK, YURIY , 華盛頓羅莉D , WASHINGTON, LORI D. , 蓋森傑可W , GRAYSON, JACOB W. , 喬宋W , JUN, SUNG W. , 蘇金 , SU, JIE
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/365 , C23C16/448
CPC分类号： C30B25/02 , C23C16/303 , C23C16/4488 , C23C16/45578 , C30B29/403

2. 发明专利

TW201107522A ＭＯＣＶＤ腔室在原位清潔後利用ＮＨ３淨化之去汙染 DECONTAMINATION OF MOCVD CHAMBER USING NH3 PURGE AFTER IN-SITU CLEANING 审中-公开
简体标题：ＭＯＣＶＤ腔室在原位清洁后利用ＮＨ３净化之去污染 DECONTAMINATION OF MOCVD CHAMBER USING NH3 PURGE AFTER IN-SITU CLEANING
公开(公告)号：TW201107522A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099113537
申请日：2010-04-28
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：克瑞勞可歐嘉 , 蘇杰 , 葛瑞芬凱文 , 全晟元 , 奈哈萬山迪普 , 董希子 , 普恩茲 , 華盛頓羅莉D , 葛瑞松嘉寇伯
IPC分类号： C23C , H01L
摘要：本發明之實施例大致關於在腔室中處理基板(例如，藉由金屬-有機化學氣相沉積(MOCVD)處理形成III族-V族材料)後，自基板處理腔室之一或多個內表面移除不欲之沉積累增物之方法與設備。一實施例中，提供自基板處理腔室之一或多個內表面移除不欲之沉積累增物的方法。方法包括在配置於基板處理腔室中之基板上沉積一或多個含III族層；傳送基板離開基板處理腔室；及脈衝含鹵素氣體進入基板處理腔室，以自基板處理腔室之一或多個內表面移除不欲之沉積累增物的至少一部分。
简体摘要：本发明之实施例大致关于在腔室中处理基板(例如，借由金属-有机化学气相沉积(MOCVD)处理形成III族-V族材料)后，自基板处理腔室之一或多个内表面移除不欲之沉积累增物之方法与设备。一实施例中，提供自基板处理腔室之一或多个内表面移除不欲之沉积累增物的方法。方法包括在配置于基板处理腔室中之基板上沉积一或多个含III族层；发送基板离开基板处理腔室；及脉冲含卤素气体进入基板处理腔室，以自基板处理腔室之一或多个内表面移除不欲之沉积累增物的至少一部分。

3. 发明专利

TW201105820A 用於乾式清潔冷卻噴頭之方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR DRY CLEANING A COOLED SHOWERHEAD 审中-公开
简体标题：用于干式清洁冷却喷头之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR DRY CLEANING A COOLED SHOWERHEAD
公开(公告)号：TW201105820A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW099125955
申请日：2010-08-04
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：葛瑞芬凱文 , 克瑞勞可歐嘉 , 蘇杰
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4405 , C23C16/45572
摘要：本發明大體上提供一種用於清潔沉積腔室(諸如金屬有機化學氣相沉積(MOCVD))之噴頭之設備及方法。在一實施例中,在不將腔室暴露至腔室外的大氣的情況下清潔噴頭(即原位清潔)。在一實施例中,通過與噴頭流體連通的冷卻系統之液體冷卻劑流受到重新導引,以繞過(bypass)噴頭,而液體冷卻劑由噴頭汲引。在一實施例中,任何殘餘的冷卻劑是從噴頭透過加壓氣體源而沖流。在一實施例中,噴頭隨後受熱至適當的清潔溫度。在一實施例中來自冷卻系統的液體冷卻劑流隨後受重新導引至噴頭,而系統受調整以供繼續處理。因此,整個噴頭清潔製程是在對通過冷卻系統的冷卻劑流之最小改變的情況下執行。
简体摘要：本发明大体上提供一种用于清洁沉积腔室(诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD))之喷头之设备及方法。在一实施例中,在不将腔室暴露至腔室外的大气的情况下清洁喷头(即原位清洁)。在一实施例中,通过与喷头流体连通的冷却系统之液体冷却剂流受到重新导引,以绕过(bypass)喷头,而液体冷却剂由喷头汲引。在一实施例中,任何残余的冷却剂是从喷头透过加压气体源而冲流。在一实施例中,喷头随后受热至适当的清洁温度。在一实施例中来自冷却系统的液体冷却剂流随后受重新导引至喷头,而系统受调整以供继续处理。因此,整个喷头清洁制程是在对通过冷却系统的冷却剂流之最小改变的情况下运行。

4. 发明专利

TW201039381A 在ＨＶＰＥ中形成原位預氮化鎵沉積層的方法 METHOD OF FORMING IN-SITU PRE-GAN DEPOSITION LAYER IN HVPE 审中-公开
简体标题：在ＨＶＰＥ中形成原位预氮化镓沉积层的方法 METHOD OF FORMING IN-SITU PRE-GAN DEPOSITION LAYER IN HVPE
公开(公告)号：TW201039381A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW099113741
申请日：2010-04-29
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：美林克尤瑞 , 小尻英博 , 克瑞勞可歐嘉 , 石川哲也
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/4488 , C23C16/303 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/403
摘要：本發明提供一種製備用於形成結合III/V族化合物半導體之電子元件基板的方法及裝置。使基本鹵素氣體、鹵化氫氣體或其它鹵素或鹵化物氣體與液態或固態III族金屬接觸,以形成前驅物,其可與氮氣源反應以於基板上沉積氮化物緩衝層。緩衝層可為轉換層,可併入超過一種III族金屬,且可以非晶型態或結晶型態沉積。非晶層可藉由熱處理而部份或完全再結晶。除了形成層以外,也可形成複數個分散的成核點,其尺寸、密度及分佈皆可控制。氮氣源可包含反應性氮氣化合物,也可包含來自遠端電漿源之活性氮氣。緩衝層或轉換層的深度可根據期望的剖面型態而改變。
简体摘要：本发明提供一种制备用于形成结合III/V族化合物半导体之电子组件基板的方法及设备。使基本卤素气体、卤化氢气体或其它卤素或卤化物气体与液态或固态III族金属接触,以形成前驱物,其可与氮气源反应以于基板上沉积氮化物缓冲层。缓冲层可为转换层,可并入超过一种III族金属,且可以非晶型态或结晶型态沉积。非晶层可借由热处理而部份或完全再结晶。除了形成层以外,也可形成复数个分散的成核点,其尺寸、密度及分布皆可控制。氮气源可包含反应性氮气化合物,也可包含来自远程等离子源之活性氮气。缓冲层或转换层的深度可根据期望的剖面型态而改变。

5. 发明专利

TW200940184A 具有前驅物來源的噴頭設計 SHOWERHEAD DESIGN WITH PRECURSOR SOURCE 审中-公开
简体标题：具有前驱物来源的喷头设计 SHOWERHEAD DESIGN WITH PRECURSOR SOURCE
公开(公告)号：TW200940184A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097140966
申请日：2008-10-24
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：華盛頓羅莉D , 克瑞勞可歐嘉 , 美林克尤瑞 , 葛瑞松嘉寇伯 , 奈哈萬山迪普
IPC分类号： B05B , C23C
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4488 , C23C16/45502 , C23C16/45512 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C23C16/481 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：本發明提供一種可以用於沈積製程中的方法和裝置，例如用於金屬氮化物膜的氫化物氣相磊晶（HVPE）沈積。第一組通道可引入含金屬前驅物氣體。第二組通道可提供含氮前驅物氣體。穿插配置第一和第二組通道，以分開含金屬前驅物氣體和含氮前驅物氣體直到它們到達基板為止。惰性氣體也可向下流經該些通道以幫助保持分開該些前驅物氣體，和限制該些通道處或其附近的反應，從而防止在通道上發生非期望的沈積作用。
简体摘要：本发明提供一种可以用于沉积制程中的方法和设备，例如用于金属氮化物膜的氢化物气相磊晶（HVPE）沉积。第一组信道可引入含金属前驱物气体。第二组信道可提供含氮前驱物气体。穿插配置第一和第二组信道，以分开含金属前驱物气体和含氮前驱物气体直到它们到达基板为止。惰性气体也可向下流经该些信道以帮助保持分开该些前驱物气体，和限制该些信道处或其附近的反应，从而防止在信道上发生非期望的沉积作用。

6. 发明专利

TWI480432B ＨＶＰＥ前驅物源硬體有权
简体标题：ＨＶＰＥ前驱物源硬件
公开(公告)号：TWI480432B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW099111314
申请日：2010-04-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：石川哲也 , ISHIKAWA, TETSUYA , 考區大衛H , QUACH, DAVID H. , 張恩中 , CHANG, ANZHONG , 克瑞勞可歐嘉 , KRYLIOUK, OLGA , 美林克尤瑞 , MELNIK, YURIY , 拉提亞哈蘇迪普S , RATIA, HARSUKHDEEP S. , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 潘莉莉 , PANG, LILY
IPC分类号： C30B25/14
CPC分类号： C30B29/403 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C30B25/02 , C30B29/406 , Y10T137/479 , Y10T137/4807 , Y10T137/4824 , Y10T137/7504 , Y10T137/8376

7. 发明专利

TW201243915A 利用原位產生之聯氨或其片段以ＭＯＣＶＤ製造ＩＩＩ族氮化物材料之方法 MOCVD FABRICATION OF GROUP III-NITRIDE MATERIALS USING IN-SITU GENERATED HYDRAZINE OR FRAGMENTS THERE FROM 审中-公开
简体标题：利用原位产生之联氨或其片段以ＭＯＣＶＤ制造ＩＩＩ族氮化物材料之方法 MOCVD FABRICATION OF GROUP III-NITRIDE MATERIALS USING IN-SITU GENERATED HYDRAZINE OR FRAGMENTS THERE FROM
公开(公告)号：TW201243915A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101107910
申请日：2012-03-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：布朗卡爾 , 葛瑞芬凱文 , 布爾大衛 , 克瑞勞可歐嘉
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L21/0237 , C23C16/303 , C23C16/4488 , C23C16/452 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：本文中描述利用原位產生之聯氨或其片段以有機金屬化學汽相沉積(MOCVD)製造III族氮化物材料的方法。例如,用來製造III族氮化物材料的方法包含在原位(in-situ)製程中形成聯氨。聯氨或其片段會在MOCVD腔室中,與III族前驅物發生反應。由前述的反應,會形成III族氮化物層於基板上。
简体摘要：本文中描述利用原位产生之联氨或其片段以有机金属化学汽相沉积(MOCVD)制造III族氮化物材料的方法。例如,用来制造III族氮化物材料的方法包含在原位(in-situ)制程中形成联氨。联氨或其片段会在MOCVD腔室中,与III族前驱物发生反应。由前述的反应,会形成III族氮化物层于基板上。

8. 发明专利

TW201237942A Ｐ型ＩＩＩ族氮化物材料的電漿輔助ＭＯＣＶＤ製造 PLASMA-ASSISTED MOCVD FABRICATION OF P-TYPE GROUP III-NITRIDE MATERIALS 审中-公开
简体标题：Ｐ型ＩＩＩ族氮化物材料的等离子辅助ＭＯＣＶＤ制造 PLASMA-ASSISTED MOCVD FABRICATION OF P-TYPE GROUP III-NITRIDE MATERIALS
公开(公告)号：TW201237942A
公开(公告)日：2012-09-16
申请号：TW101107915
申请日：2012-03-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：布朗卡爾 , 葛瑞芬凱文 , 布爾大衛 , 克瑞勞可歐嘉
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0262 , C23C16/303 , C23C16/452 , C23C16/56 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L33/007
摘要：茲描述p型III族氮化物材料的電漿輔助金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製造。例如,製造p型III族氮化物材料的方法包括產生氮基電漿。在金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)腔室中,使出自氮基電漿的含氮物種與III族前驅物和p型摻質前驅物反應。包括p型摻質的III族氮化物層接著形成在基板上。
简体摘要：兹描述p型III族氮化物材料的等离子辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD)制造。例如,制造p型III族氮化物材料的方法包括产生氮基等离子。在金属有机化学气相沉积(MOCVD)腔室中,使出自氮基等离子的含氮物种与III族前驱物和p型掺质前驱物反应。包括p型掺质的III族氮化物层接着形成在基板上。

9. 发明专利

TW201145582A 藉由空間侷限磊晶法生長ＩＩＩ－Ｖ族材料層 GROWTH OF GROUP III-V MATERIAL LAYERS BY SPATIALLY CONFINED EPITAXY 审中-公开
简体标题：借由空间局限磊晶法生长ＩＩＩ－Ｖ族材料层 GROWTH OF GROUP III-V MATERIAL LAYERS BY SPATIALLY CONFINED EPITAXY
公开(公告)号：TW201145582A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100106026
申请日：2011-02-23
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：蘇杰 , 克瑞勞可歐嘉
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02502 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/0265
摘要：本案描述藉由空間侷限磊晶法於大型基板上無龜裂生長氮化鎵(GaN)及其相關膜層的技術。
简体摘要：本案描述借由空间局限磊晶法于大型基板上无龟裂生长氮化镓(GaN)及其相关膜层的技术。

10. 发明专利

TW201114957A ＨＶＰＥ前驅物源硬體 HVPE PRECURSOR SOURCE HARDWARE 审中-公开
简体标题：ＨＶＰＥ前驱物源硬件 HVPE PRECURSOR SOURCE HARDWARE
公开(公告)号：TW201114957A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099111314
申请日：2010-04-12
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：石川哲也 , 考區大衛H , 張恩中 , 克瑞勞可歐嘉 , 美林克尤瑞 , 拉提亞哈蘇迪普S , 蓋葉頌T , 潘莉莉
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/403 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C30B25/02 , C30B29/406 , Y10T137/479 , Y10T137/4807 , Y10T137/4824 , Y10T137/7504 , Y10T137/8376
摘要：本文揭露之實施例大致係關於HVPE腔室。腔室可具有兩個不同的前驅物源與其耦接以便沉積兩個不同層。舉例而言，鎵源與不同的鋁源可耦接至處理腔室以便在相同處理腔室中分別地沉積氮化鎵與氮化鋁於基板上。可在較低溫度下在與鎵及鋁不同的位置處將氮導入處理腔室。不同溫度造成氣體混合在一起、反應且沉積於基板上，且極少或沒有沉積於腔室壁上。
简体摘要：本文揭露之实施例大致系关于HVPE腔室。腔室可具有两个不同的前驱物源与其耦接以便沉积两个不同层。举例而言，镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝不同的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。

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