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1. 发明专利

TW201526106A 使用處理系統之氣隙結構整合审中-公开
简体标题：使用处理系统之气隙结构集成
公开(公告)号：TW201526106A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103142446
申请日：2014-12-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：那克美荷B , NAIK, MEHUL B. , 任河 , REN, HE , 崔振江 , CUI, ZHENJIANG
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/7682 , C23C16/303 , C23C16/36 , H01J37/32082 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/76819 , H01L21/76832 , H01L21/76834
摘要：一種在積體層堆疊中形成氣隙結構之方法，該方法包含在真空下在處理系統中乾蝕刻設置在堆疊上的模具層。模具層係設置於一或多個互連件之間，且模具層之乾蝕刻的處理曝露互連件之至少一部分。該方法亦包含在互連件之曝露部分上沉積襯層。在另一個實施例中，一種在積體層堆疊中形成氣隙結構之方法，包含在真空下在處理系統中在第一處理腔室中乾蝕刻設置在堆疊上的氧化物模具層。該方法亦包含在互連件上沉積低介電常數材料襯層，其中襯層具有低於約2奈米的厚度。於此揭露的方法係執行於處理系統中，且無需破壞真空。
简体摘要：一种在积体层堆栈中形成气隙结构之方法，该方法包含在真空下在处理系统中干蚀刻设置在堆栈上的模具层。模具层系设置于一或多个互连件之间，且模具层之干蚀刻的处理曝露互连件之至少一部分。该方法亦包含在互连件之曝露部分上沉积衬层。在另一个实施例中，一种在积体层堆栈中形成气隙结构之方法，包含在真空下在处理系统中在第一处理腔室中干蚀刻设置在堆栈上的氧化物模具层。该方法亦包含在互连件上沉积低介电常数材料衬层，其中衬层具有低于约2奈米的厚度。于此揭露的方法系运行于处理系统中，且无需破坏真空。

2. 发明专利

TW201244006A 具有減少低-K介電質損壞的鑲嵌結構之製程 PROCESS FOR DAMASCENE STRUCTURE WITH REDUCED LOW-K DAMAGE 审中-公开
简体标题：具有减少低-K介电质损坏的镶嵌结构之制程 PROCESS FOR DAMASCENE STRUCTURE WITH REDUCED LOW-K DAMAGE
公开(公告)号：TW201244006A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101110408
申请日：2012-03-26
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：那克美荷B , 崔振江
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02697 , H01L21/7681 , H01L21/76834 , H01L21/7685 , H01L21/76856 , H01L21/76873 , H01L21/76885 , H01L29/66583
摘要：在此描述的實施例大體上提供用以在使用犧牲介電材料與可選的阻障/帽蓋層的鑲嵌製程期間減少不期望的低-k介電質損壞的方法。在一個實施例中,鑲嵌結構是透過被沉積在介電基部層上方的犧牲介電材料來形成。以適當的金屬(諸如銅)來填充鑲嵌結構。被填充在銅鑲嵌之間的溝槽區域中的犧牲介電材料接著被移除,然後使阻障/帽蓋層共形地或選擇性地覆蓋住銅鑲嵌結構的暴露表面。之後,超低-k介電材料可填充先前被填充有犧牲介電材料的溝槽區域。本發明可避免金屬線之間的超低-k材料在鑲嵌製程期間暴露於各種損壞製程(諸如蝕刻、剝除、濕式清潔、預金屬清潔或CMP製程)。
简体摘要：在此描述的实施例大体上提供用以在使用牺牲介电材料与可选的阻障/帽盖层的镶嵌制程期间减少不期望的低-k介电质损坏的方法。在一个实施例中,镶嵌结构是透过被沉积在介电基部层上方的牺牲介电材料来形成。以适当的金属(诸如铜)来填充镶嵌结构。被填充在铜镶嵌之间的沟槽区域中的牺牲介电材料接着被移除,然后使阻障/帽盖层共形地或选择性地覆盖住铜镶嵌结构的暴露表面。之后,超低-k介电材料可填充先前被填充有牺牲介电材料的沟槽区域。本发明可避免金属线之间的超低-k材料在镶嵌制程期间暴露于各种损坏制程(诸如蚀刻、剥除、湿式清洁、预金属清洁或CMP制程)。

3. 发明专利

TW201007832A 使用共形電漿增強化學氣相沉積（ＰＥＣＶＤ）膜來縮減關鍵尺寸的方法 METHOD FOR CRITICAL DIMENSION SHRINK USING CONFORMAL PECVD FILMS 审中-公开
简体标题：使用共形等离子增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）膜来缩减关键尺寸的方法 METHOD FOR CRITICAL DIMENSION SHRINK USING CONFORMAL PECVD FILMS
公开(公告)号：TW201007832A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098115349
申请日：2009-05-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：夏立群 , 巴賽諾米海拉 , 雪克美伊 , 李思義 , 邱正建 , 那克美荷B , 艾馬克斯特麥克D , 麥克克林塔克威廉H
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/318 , H01L21/3185 , H01L21/76816
摘要：在此提出用於在基板中形成狹窄通孔的方法和設備。利用傳統微影技術將圖案凹部蝕入基板內。薄共形層形成在基板表面上，包括圖案凹部的側壁和底部上。共形層厚度縮減了圖案凹部的有效寬度。利用非等向性蝕刻移除圖案凹部底部的共形層而露出下面的基板。接著使用覆蓋住圖案凹部側壁的共形層做為罩幕來蝕刻基板。然後使用溼蝕刻劑移除共形層。
简体摘要：在此提出用于在基板中形成狭窄通孔的方法和设备。利用传统微影技术将图案凹部蚀入基板内。薄共形层形成在基板表面上，包括图案凹部的侧壁和底部上。共形层厚度缩减了图案凹部的有效宽度。利用非等向性蚀刻移除图案凹部底部的共形层而露出下面的基板。接着使用覆盖住图案凹部侧壁的共形层做为罩幕来蚀刻基板。然后使用湿蚀刻剂移除共形层。

4. 发明专利

TW201804567A 形成具有氣隙之半導體元件的方法审中-公开
简体标题：形成具有气隙之半导体组件的方法
公开(公告)号：TW201804567A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106130633
申请日：2015-03-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：任河 , REN,HE , 那克美荷B , NAIK,MEHUL B.
IPC分类号： H01L21/764 , H01L21/768 , C23C16/04
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/02126 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/32051 , H01L21/32053 , H01L21/32136 , H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/76834 , H01L21/76837 , H01L21/76838 , H01L21/76877 , H01L21/76885 , H01L21/76889
摘要：本文所述之實施例關於形成氣隙互連的方法。將金屬間隔墊層共形地沉積於上方形成有心軸結構的基板上。蝕刻金屬間隔墊層以形成間隔墊特徵並自基板移除心軸結構。可執行多種其他介電質沉積、圖案化與蝕刻步驟以如期望般圖案化基板上存在的材料。最終，在相鄰間隔墊特徵之間形成溝槽並在溝槽上沉積蓋層以在相鄰間隔墊特徵之間形成氣隙。為了封裝，互連介層洞可設以接觸相鄰氣隙之間隔墊特徵的至少一者。
简体摘要：本文所述之实施例关于形成气隙互连的方法。将金属间隔垫层共形地沉积于上方形成有心轴结构的基板上。蚀刻金属间隔垫层以形成间隔垫特征并自基板移除心轴结构。可运行多种其他介电质沉积、图案化与蚀刻步骤以如期望般图案化基板上存在的材料。最终，在相邻间隔垫特征之间形成沟槽并在沟槽上沉积盖层以在相邻间隔垫特征之间形成气隙。为了封装，互连介层洞可设以接触相邻气隙之间隔垫特征的至少一者。

5. 发明专利

TWI594370B 作爲先進互連之介電覆蓋障壁的含金屬膜有权
简体标题：作为雪铁龙互连之介电复盖障壁的含金属膜
公开(公告)号：TWI594370B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW103142212
申请日：2014-12-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳一宏 , CHEN, YIHONG , 美歐里克愛柏亥吉巴蘇 , MALLICK, ABHIJIT BASU , 那克美荷B , NAIK, MEHUL B. , 奈馬尼史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D.
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/76802 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76879 , H01L23/5283 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201615537A 形成金屬矽化物互連奈米線結構的方法审中-公开
简体标题：形成金属硅化物互连奈米线结构的方法
公开(公告)号：TW201615537A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104133892
申请日：2015-10-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梅寶其班徹奇 , MEBARKI, BENCHERKI , 雷克須瑪南安娜瑪萊 , LAKSHMANAN, ANNAMALAI , 辛格卡沙爾K , SINGH, KAUSHAL K. , 科伯恩安德魯 , COCKBURN, ANDREW , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 馬伯方 , MA, PAUL F. , 那克美荷B , NAIK, MEHUL B.
IPC分类号： B82Y40/00
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/42 , C23C16/56 , H01J37/32091 , H01J37/32321 , H01J37/32339 , H01L21/2686 , H01L21/28556 , H01L21/32053 , H01L21/76885
摘要：用以形成一金屬矽化物作為用於半導體應用的後端互連結構的奈米線的方法與設備係被提供。在一實施例中，該方法包括以下步驟：藉由一化學氣相沉積製程或一物理氣相沉積製程以形成一金屬矽化物層於一基材上；在一製程腔室中熱處理該金屬矽化物層；當熱處理該金屬矽化物層時，施加一微波功率於該製程腔室中；及當熱處理該金屬矽化物層時，維持一基材溫度於小於400℃。在另一實施例中，一種方法包括以下步驟：供應一沉積氣體混合物於一基材的一表面上，該沉積氣體混合物包括至少一含金屬前驅物與一反應氣體；在該沉積氣體混合物的存在下，藉由暴露於微波功率形成一電漿；暴露該電漿於光輻射；及從該沉積氣體形成一金屬矽化物層於該基材上。
简体摘要：用以形成一金属硅化物作为用于半导体应用的后端互链接构的奈米线的方法与设备系被提供。在一实施例中，该方法包括以下步骤：借由一化学气相沉积制程或一物理气相沉积制程以形成一金属硅化物层于一基材上；在一制程腔室中热处理该金属硅化物层；当热处理该金属硅化物层时，施加一微波功率于该制程腔室中；及当热处理该金属硅化物层时，维持一基材温度于小于400℃。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：供应一沉积气体混合物于一基材的一表面上，该沉积气体混合物包括至少一含金属前驱物与一反应气体；在该沉积气体混合物的存在下，借由暴露于微波功率形成一等离子；暴露该等离子于光辐射；及从该沉积气体形成一金属硅化物层于该基材上。

7. 发明专利

TW201535658A 形成互連結構所用之鈍化保護的方法审中-公开
简体标题：形成互链接构所用之钝化保护的方法
公开(公告)号：TW201535658A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104103600
申请日：2015-02-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：任河 , REN, HE , 那克美荷B , NAIK, MEHUL B. , 曹勇 , CAO, YONG , 凱薩波拉加達斯瑞蘭嘉薩V , KESAPRAGADA, SREE RANGASAI V. , 石美儀 , SHEK, MEI-YEE , 程亞娜 , CHENG, YANA
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/31 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/76841 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02266 , H01L21/321 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76849
摘要：本發明提供在互連結構中的絕緣材料中所形成之金屬接線層上形成鈍化保護結構的方法。在一個實施例中，在半導體裝置之互連結構中的金屬接線上形成鈍化保護的方法包括：在併入多腔室處理系統的處理腔室中的基板上所形成之互連結構中由介電塊狀絕緣層圍束的金屬接線上選擇性形成金屬蓋層；在處理腔室中的基板上原位形成阻障層，其中阻障層係金屬介電層；及在多腔室處理系統中的阻障層上形成介電蓋層。
简体摘要：本发明提供在互链接构中的绝缘材料中所形成之金属接线层上形成钝化保护结构的方法。在一个实施例中，在半导体设备之互链接构中的金属接在线形成钝化保护的方法包括：在并入多腔室处理系统的处理腔室中的基板上所形成之互链接构中由介电块状绝缘层围束的金属接在线选择性形成金属盖层；在处理腔室中的基板上原位形成阻障层，其中阻障层系金属介电层；及在多腔室处理系统中的阻障层上形成介电盖层。

8. 发明专利

TW201535487A 防止銅擴散的介電／金屬阻障集成审中-公开
简体标题：防止铜扩散的介电／金属阻障集成
公开(公告)号：TW201535487A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104103440
申请日：2015-02-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：任河 , REN, HE , 那克美荷B , NAIK, MEHUL B. , 曹勇 , CAO, YONG , 石美儀 , SHEK, MEI-YEE , 程亞娜 , CHENG, YANA , 凱薩波拉加達斯瑞蘭嘉薩V , KESAPRAGADA, SREE RANGASAI V.
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/321 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/02178 , H01L21/02266 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/7685 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本文描述一種用於半導體元件的互連件結構與製造該互連件結構之方法。該方法包括將基板定位於真空處理腔室中。該基板具有暴露的銅表面與暴露的低k介電表面。金屬層形成於該銅表面上但不形成於該低k介電表面上。以金屬為基礎的介電層形成於該金屬層與該低k介電層上。
简体摘要：本文描述一种用于半导体组件的互连件结构与制造该互连件结构之方法。该方法包括将基板定位于真空处理腔室中。该基板具有暴露的铜表面与暴露的低k介电表面。金属层形成于该铜表面上但不形成于该低k介电表面上。以金属为基础的介电层形成于该金属层与该低k介电层上。

9. 发明专利

TWI685017B 在針對半導體應用之整合群集系統中形成互連結構的方法有权
简体标题：在针对半导体应用之集成群集系统中形成互链接构的方法
公开(公告)号：TWI685017B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW104107769
申请日：2015-03-11
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：那克美荷B , NAIK, MEHUL B. , 奈馬尼史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D. , 越澤武仁 , KOSHIZAWA, TAKEHITO , 任河 , REN, HE
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/321 , H01L21/768

10. 发明专利

TWI626688B 使用處理系統之氣隙結構整合有权
简体标题：使用处理系统之气隙结构集成
公开(公告)号：TWI626688B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW103142446
申请日：2014-12-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：那克美荷B , NAIK, MEHUL B. , 任河 , REN, HE , 崔振江 , CUI, ZHENJIANG
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3065

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