会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 2. 发明专利
    • 具有減少低-K介電質損壞的鑲嵌結構之製程 PROCESS FOR DAMASCENE STRUCTURE WITH REDUCED LOW-K DAMAGE
    • 具有减少低-K介电质损坏的镶嵌结构之制程 PROCESS FOR DAMASCENE STRUCTURE WITH REDUCED LOW-K DAMAGE
    • TW201244006A
    • 2012-11-01
    • TW101110408
    • 2012-03-26
    • 應用材料股份有限公司
    • 那克美荷B崔振江
    • H01L
    • H01L21/02697H01L21/7681H01L21/76834H01L21/7685H01L21/76856H01L21/76873H01L21/76885H01L29/66583
    • 在此描述的實施例大體上提供用以在使用犧牲介電材料與可選的阻障/帽蓋層的鑲嵌製程期間減少不期望的低-k介電質損壞的方法。在一個實施例中,鑲嵌結構是透過被沉積在介電基部層上方的犧牲介電材料來形成。以適當的金屬(諸如銅)來填充鑲嵌結構。被填充在銅鑲嵌之間的溝槽區域中的犧牲介電材料接著被移除,然後使阻障/帽蓋層共形地或選擇性地覆蓋住銅鑲嵌結構的暴露表面。之後,超低-k介電材料可填充先前被填充有犧牲介電材料的溝槽區域。本發明可避免金屬線之間的超低-k材料在鑲嵌製程期間暴露於各種損壞製程(諸如蝕刻、剝除、濕式清潔、預金屬清潔或CMP製程)。
    • 在此描述的实施例大体上提供用以在使用牺牲介电材料与可选的阻障/帽盖层的镶嵌制程期间减少不期望的低-k介电质损坏的方法。在一个实施例中,镶嵌结构是透过被沉积在介电基部层上方的牺牲介电材料来形成。以适当的金属(诸如铜)来填充镶嵌结构。被填充在铜镶嵌之间的沟槽区域中的牺牲介电材料接着被移除,然后使阻障/帽盖层共形地或选择性地覆盖住铜镶嵌结构的暴露表面。之后,超低-k介电材料可填充先前被填充有牺牲介电材料的沟槽区域。本发明可避免金属线之间的超低-k材料在镶嵌制程期间暴露于各种损坏制程(诸如蚀刻、剥除、湿式清洁、预金属清洁或CMP制程)。