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1. 发明专利

TW201717198A 提供用於記憶體裝置內的字元線之蝕刻停止技術审中-公开
简体标题：提供用于内存设备内的字符线之蚀刻停止技术
公开(公告)号：TW201717198A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105123271
申请日：2016-07-22
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：海勒葛登A , HALLER, GORDON A. , 劉鈞 , LIU, JUN
IPC分类号： G11C8/14 , H01L21/31
CPC分类号： H01L27/11551 , H01L21/76816 , H01L21/76834 , H01L21/76889 , H01L23/528 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L27/11582
摘要：本揭示內容之實施例係針對將蝕刻停止提供至形成一3D記憶體陣列之一階梯結構的字線之技術。於一實施例中，該裝置可包含具有設置在一晶粒之一階梯結構中的字線之一3D記憶體陣列。一字線可包括一矽化物層以及設置緊鄰該字線之一端點周圍的該矽化物層之一隔片。該矽化物層與該隔片可對一字線接點結構來形成該字線之一蝕刻停止，以便用以響應該蝕刻停止上之字線接點結構的一沉積而將該字線與該記憶體陣列電氣連接。該蝕刻停止可組配來防止該字線接點結構與該階梯結構之一相鄰字線作一實體或電氣接觸，以避免不必要的短路。本案亦敘述其他實施例及加以請求專利。
简体摘要：本揭示内容之实施例系针对将蚀刻停止提供至形成一3D内存数组之一阶梯结构的字线之技术。于一实施例中，该设备可包含具有设置在一晶粒之一阶梯结构中的字线之一3D内存数组。一字线可包括一硅化物层以及设置紧邻该字线之一端点周围的该硅化物层之一隔片。该硅化物层与该隔片可对一字线接点结构来形成该字线之一蚀刻停止，以便用以响应该蚀刻停止上之字线接点结构的一沉积而将该字线与该内存数组电气连接。该蚀刻停止可组配来防止该字线接点结构与该阶梯结构之一相邻字线作一实体或电气接触，以避免不必要的短路。本案亦叙述其他实施例及加以请求专利。

2. 发明专利

TWI576904B 半導體製造方法及半導體製造裝置有权
简体标题：半导体制造方法及半导体制造设备
公开(公告)号：TWI576904B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104127052
申请日：2015-08-19
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/324 , C23C16/44
CPC分类号： H05B3/0047 , H01L21/046 , H01L21/0485 , H01L21/28512 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68785 , H01L21/76889

3. 发明专利

TW201711158A 互連接結構與其製作方法與應用其之半導體元件审中-公开
简体标题：互连接结构与其制作方法与应用其之半导体组件
公开(公告)号：TW201711158A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105120581
申请日：2016-06-29
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林瑀宏 , LIN, YU HUNG , 劉繼文 , LIU, CHI WEN , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG HUEI
IPC分类号： H01L23/532 , H01L23/522 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/53209 , H01L21/28518 , H01L21/3065 , H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/76814 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76877 , H01L21/76886 , H01L21/76889 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L23/53266 , H01L23/535 , H01L29/41791
摘要：半導體元件包括半導體基板、存在於半導體基板中的接觸區及存在於接觸區之粗糙化表面上的矽化物。複數個濺射離子存在於矽化物與接觸區之間。由於接觸區之表面係經粗糙化的，使得由矽化物提供之接觸面積增加，從而降低半導體元件中的互連接結構之電阻。
简体摘要：半导体组件包括半导体基板、存在于半导体基板中的接触区及存在于接触区之粗糙化表面上的硅化物。复数个溅射离子存在于硅化物与接触区之间。由于接触区之表面系经粗糙化的，使得由硅化物提供之接触面积增加，从而降低半导体组件中的互连接结构之电阻。

4. 发明专利

TW201705234A 半導體裝置電極的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备电极的制造方法
公开(公告)号：TW201705234A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105119284
申请日：2016-06-20
申请人：國立大學法人東京工業大學 , TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY , 田中貴金屬工業股份有限公司 , TANAKA KIKINZOKU KOGYO K. K.
发明人：大見俊一郎 , OHMI, SHUNICHIRO , 政広泰 , MASAHIRO, YASUSHI
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/28518 , C23C14/0036 , C23C14/06 , C23C14/0641 , C23C14/14 , C23C14/165 , C23C14/58 , C23C14/5873 , H01L21/28 , H01L21/2855 , H01L21/76889 , H01L29/417 , H01L29/456 , H01L29/78
摘要：本發明之半導體裝置電極的製造方法的特徵為包含以下工序：在包含矽(Si)之基板上形成由第一金屬構成的第一薄膜；在前述第一薄膜上形成由第二金屬化合物構成之第二薄膜；及藉由熱處理而形成由第一金屬之矽化物構成的電極；其中前述第二金屬採用鉿(Hf)。該第二金屬化合物宜為氮化鉿(HfN)、鎢化鉿(HfW)、硼化鉿(HfB)等。藉由本發明而在矽基板上形成矽化物電極時，可有效抑制金屬薄膜矽化時預期發生的氧化。
简体摘要：本发明之半导体设备电极的制造方法的特征为包含以下工序：在包含硅(Si)之基板上形成由第一金属构成的第一薄膜；在前述第一薄膜上形成由第二金属化合物构成之第二薄膜；及借由热处理而形成由第一金属之硅化物构成的电极；其中前述第二金属采用铪(Hf)。该第二金属化合物宜为氮化铪(HfN)、钨化铪(HfW)、硼化铪(HfB)等。借由本发明而在硅基板上形成硅化物电极时，可有效抑制金属薄膜硅化时预期发生的氧化。

5. 发明专利

TW201612962A 形成用於半導體裝置之接觸結構的方法及所產生的裝置审中-公开
简体标题：形成用于半导体设备之接触结构的方法及所产生的设备
公开(公告)号：TW201612962A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104122503
申请日：2015-07-13
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 泰勒二世威廉J , TAYLOR JR., WILLIAM J. , 卡米尼夫馬爾 , KAMINENI, VIMAL
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/4975 , H01L21/28525 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L21/76885 , H01L21/76889 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L23/535 , H01L29/41758 , H01L29/78 , H01L2221/1063 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本申請揭示形成用於半導體裝置的接觸結構的方法及所產生的裝置。該方法包括，除其他外，一種形成接觸結構在電晶體裝置的源極/汲極區域的方法。該電晶體裝置包含閘極結構及位在該閘極結構上方的閘極覆蓋層。該方法包含形成傳導耦接至該源極/汲極區域的延伸高度磊晶接觸結構。該延伸高度磊晶接觸結構包含位在該閘極覆蓋層的上表面的高度水平上方的高度水平處的上表面。該方法更包含執行蝕刻製程以縮減至少部分該延伸高度磊晶接觸結構的側向寬度，並且，在執行該蝕刻製程之後，形成金屬矽化物材料在至少部分經縮減的延伸高度的磊晶接觸結構上及形成傳導接觸件在該金屬矽化物材料上。
简体摘要：本申请揭示形成用于半导体设备的接触结构的方法及所产生的设备。该方法包括，除其他外，一种形成接触结构在晶体管设备的源极/汲极区域的方法。该晶体管设备包含闸极结构及位在该闸极结构上方的闸极覆盖层。该方法包含形成传导耦接至该源极/汲极区域的延伸高度磊晶接触结构。该延伸高度磊晶接触结构包含位在该闸极覆盖层的上表面的高度水平上方的高度水平处的上表面。该方法更包含运行蚀刻制程以缩减至少部分该延伸高度磊晶接触结构的侧向宽度，并且，在运行该蚀刻制程之后，形成金属硅化物材料在至少部分经缩减的延伸高度的磊晶接触结构上及形成传导接触件在该金属硅化物材料上。

6. 发明专利

TW201611192A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201611192A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104136057
申请日：2011-05-05
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：川村武志 , KAWAMURA, TAKESHI
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/768 , H01L27/092
CPC分类号： H01L23/535 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/28518 , H01L21/28568 , H01L21/31055 , H01L21/31111 , H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76852 , H01L21/76885 , H01L21/76889 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L21/823475 , H01L22/26 , H01L23/481 , H01L23/485 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L29/66477 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係在用以於半導體基板(1S)上形成層間絕緣膜(PIL)，且於層間絕緣膜(PIL)中形成插栓(PL1)之CMP結束之後，使層間絕緣膜(PIL)之上表面後退，藉此使插栓(PL1)之上表面高於層間絕緣膜(PIL)的上表面。藉此，可確保插栓(PL1)與配線(W1)之鉛垂方向之連接之可靠性。又，可以使配線(W1)不向層間絕緣膜(PIL)中掘入、或者可減少掘入形成之量。
简体摘要：本发明系在用以于半导体基板(1S)上形成层间绝缘膜(PIL)，且于层间绝缘膜(PIL)中形成插栓(PL1)之CMP结束之后，使层间绝缘膜(PIL)之上表面后退，借此使插栓(PL1)之上表面高于层间绝缘膜(PIL)的上表面。借此，可确保插栓(PL1)与配线(W1)之铅垂方向之连接之可靠性。又，可以使配线(W1)不向层间绝缘膜(PIL)中掘入、或者可减少掘入形成之量。

7. 发明专利

TWI265200B 利用鎳合金阻止鎳單矽化物之聚集 RETARDING AGGLOMERATION OF NI MONOSILICIDE USING NI ALLOYS 有权
简体标题：利用镍合金阻止镍单硅化物之聚集 RETARDING AGGLOMERATION OF NI MONOSILICIDE USING NI ALLOYS
公开(公告)号：TWI265200B
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：TW092133866
申请日：2003-12-02
申请人：萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：凱力爾卡拉爾二世 CABRAL, CYRIL JR. , 羅伊A 卡魯瑟斯 CARRUTHERS, ROY A. , 克里斯多夫戴塔芬尼爾 DETAVERNIER, CHRISTOPHE , 詹姆斯M E 哈佩 HARPER, JAMES M.E. , 克里斯頓拉佛伊 LAVOIE, CHRISTIAN
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C04B35/58 , C04B35/58085 , C04B2235/40 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/408 , C23C26/00 , C23C30/00 , H01L21/28518 , H01L21/76889
摘要：本發明係關於一種提供一可用於半導體裝置中之低電阻不聚集的鎳單矽化物接觸層之方法。其中用於製造一實質上不聚集之鎳合金單矽化物之本發明方法包含下述步驟：在含矽基板之一部分上形成、一金屬合金層，其中該金屬合金層包含鎳及一或多種合金添加劑，其中該合金添加劑係 Ti、V、Ge、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Rh、Pd或Pt或其混合物；在一溫度下對該金屬合金層實施退火處理，以將該金屬合金層之一部分轉變為一鎳合金單矽化物層；且移除剩餘的未轉化成鎳合金單矽化物之金屬合金層。所選合金添加劑係用於保持相(phase)穩定性並阻止聚集。可最有效阻止聚集之合金添加劑對於產生具有低薄層電阻之矽化物最有效。
简体摘要：本发明系关于一种提供一可用于半导体设备中之低电阻不聚集的镍单硅化物接触层之方法。其中用于制造一实质上不聚集之镍合金单硅化物之本发明方法包含下述步骤：在含硅基板之一部分上形成、一金属合金层，其中该金属合金层包含镍及一或多种合金添加剂，其中该合金添加剂系 Ti、V、Ge、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Rh、Pd或Pt或其混合物；在一温度下对该金属合金层实施退火处理，以将该金属合金层之一部分转变为一镍合金单硅化物层；且移除剩余的未转化成镍合金单硅化物之金属合金层。所选合金添加剂系用于保持相(phase)稳定性并阻止聚集。可最有效阻止聚集之合金添加剂对于产生具有低薄层电阻之硅化物最有效。

8. 发明专利

TW200541052A 具有低接觸電阻的半導體元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW CONTACT RESISTANCE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 失效
简体标题：具有低接触电阻的半导体组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW CONTACT RESISTANCE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200541052A
公开(公告)日：2005-12-16
申请号：TW093139348
申请日：2004-12-17
申请人：海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人：安台恒 AHN, TAE-HANG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28525 , H01L21/0243 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76843 , H01L21/76847 , H01L21/76855 , H01L21/76877 , H01L21/76889 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種具有低接觸電阻之半導體裝置及其製造方法。半導體裝置包括：一基板構造，設有接觸孔用以顯露一預設的部分；及一形成於該接觸孔上之接觸插塞，其中接觸插塞設有填充於接觸孔一部分中之外延矽層，及填充於接觸孔另一部分中並形成於外延矽層上的金屬層。用以製造該半導體裝置之方法所包括之步驟為：顯露一基板構造之一部分，因而形成一接觸孔；及在接觸孔上依序形成一外延矽層及一金屬層，因之而獲得接觸插塞。
简体摘要：本发明系关于一种具有低接触电阻之半导体设备及其制造方法。半导体设备包括：一基板构造，设有接触孔用以显露一默认的部分；及一形成于该接触孔上之接触插塞，其中接触插塞设有填充于接触孔一部分中之外延硅层，及填充于接触孔另一部分中并形成于外延硅层上的金属层。用以制造该半导体设备之方法所包括之步骤为：显露一基板构造之一部分，因而形成一接触孔；及在接触孔上依序形成一外延硅层及一金属层，因之而获得接触插塞。

9. 发明专利

TW564514B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW564514B
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：TW091124868
申请日：2002-10-24
申请人：日本電氣股份有限公司
发明人：弘長伸夫 , 竹利至 , 國浩之 , 山本悦章
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/2855 , H01L21/32136 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76838 , H01L21/76877 , H01L21/76889 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：在半導體裝置之製造方法中，由含銅金屬膜所組成的第一配線形成於半導體基板上或上方。第一層間絕緣膜形成於半導體基板之整個表面上以覆蓋第一配線。選擇性移除第一層間絕緣膜以形成達到第一配線之連接孔。形成阻障金屬膜以覆蓋連接孔之內表面，然後形成含銅金屬膜以填滿連接孔。移除形成於連接孔外之含銅金屬膜。半導體基板之第二層間絕緣膜形成於整個表面上以覆蓋形成在連接孔中之含銅金屬膜。選擇性移除第二層間絕緣膜以形成配線溝槽，使得形成在連接孔中之含銅金屬膜於底部顯露出。形成阻障金屬膜以覆蓋配線溝槽之內部，然後形成含銅金屬膜以填滿配線溝槽。然後，移除配線溝槽外之含銅金屬膜以形成第二配線。(一)本案代表圖為：第3圖(二)本案代表圖之元件代表符號簡單說明：12 第一SiCN膜14a 第一疊層14b 第二疊層16 第二SiCN膜18 氧化矽膜20 第三SiCN膜22a 第一銅配線22b 第二銅配線24a 鉭型阻障金屬膜24b 鉭型阻障金屬膜26a 銅膜26b 銅膜28 連接插塞30 鉭型阻障金屬膜32 銅膜34a 第一矽化銅層34b 第二矽化銅層106 絕緣膜
简体摘要：在半导体设备之制造方法中，由含铜金属膜所组成的第一配线形成于半导体基板上或上方。第一层间绝缘膜形成于半导体基板之整个表面上以覆盖第一配线。选择性移除第一层间绝缘膜以形成达到第一配线之连接孔。形成阻障金属膜以覆盖连接孔之内表面，然后形成含铜金属膜以填满连接孔。移除形成于连接孔外之含铜金属膜。半导体基板之第二层间绝缘膜形成于整个表面上以覆盖形成在连接孔中之含铜金属膜。选择性移除第二层间绝缘膜以形成配线沟槽，使得形成在连接孔中之含铜金属膜于底部显露出。形成阻障金属膜以覆盖配线沟槽之内部，然后形成含铜金属膜以填满配线沟槽。然后，移除配线沟槽外之含铜金属膜以形成第二配线。(一)本案代表图为：第3图(二)本案代表图之组件代表符号简单说明：12 第一SiCN膜14a 第一叠层14b 第二叠层16 第二SiCN膜18 氧化硅膜20 第三SiCN膜22a 第一铜配线22b 第二铜配线24a 钽型阻障金属膜24b 钽型阻障金属膜26a 铜膜26b 铜膜28 连接插塞30 钽型阻障金属膜32 铜膜34a 第一硅化铜层34b 第二硅化铜层106 绝缘膜

10. 发明专利

TW457700B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW457700B
公开(公告)日：2001-10-01
申请号：TW089107245
申请日：2000-04-18
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：田中義典
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10855 , H01L21/76804 , H01L21/76805 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76889 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L23/53223 , H01L23/53228 , H01L27/10814 , H01L27/10888 , H01L28/84 , H01L28/90 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種具有多層配線構造的半導體裝置，其目的係可在被要求聚積度要高的情況下確保良率佳及可靠度高者。
其解決手段係在電晶體之源極汲極區域上層形成矽氧化膜7。以其一端面與源極汲極區域6導通，而另一端面露出於矽氧化膜7之表面的方式，在矽氧化膜7之內部設置具有導電性的襯墊(pad)襯墊10。在矽氧化膜7及襯墊10之上層形成矽氧化膜ll。以其一端面與襯墊10接觸，而另一端面與配線層14導通的方式，在矽氧化膜ll之內部設置具有栓塞(plug)功能的導電層。矽氧化膜7之表面、與襯墊l0之另一端面係形成平滑的同一平面。具有栓塞功能的導電層，係形成比襯墊10小，且與襯墊10之中央部附近接觸。
简体摘要：本发明系关于一种具有多层配线构造的半导体设备，其目的系可在被要求聚积度要高的情况下确保良率佳及可靠度高者。其解决手段系在晶体管之源极汲极区域上层形成硅氧化膜7。以其一端面与源极汲极区域6导通，而另一端面露出于硅氧化膜7之表面的方式，在硅氧化膜7之内部设置具有导电性的衬垫(pad)衬垫10。在硅氧化膜7及衬垫10之上层形成硅氧化膜ll。以其一端面与衬垫10接触，而另一端面与配线层14导通的方式，在硅氧化膜ll之内部设置具有栓塞(plug)功能的导电层。硅氧化膜7之表面、与衬垫l0之另一端面系形成平滑的同一平面。具有栓塞功能的导电层，系形成比衬垫10小，且与衬垫10之中央部附近接触。

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